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      마크 밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동 전력 제어 회로 = A Burst-mode Automatic Power Control Circuit Robust to Mark Density Variations

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      https://www.riss.kr/link?id=A104282441

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      As data rate was increased, the conventional burst-mode automatic power control circuit caused errors due to the effect of the mark density variation. To solve this problem we invented a new structured peak-comparator which could eliminate the effect of the mark density variation even in high date rate, and revised the conventional one using it. We proposed a burst-mode automatic power control circuit robust to mark density variations. We found that the peak-comparator in the proposed automatic power control circuit was very robust to mark density variations because it affected very little by the mark density variation in high date rate and in the wide variation range of the reference current and the difference current.
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      As data rate was increased, the conventional burst-mode automatic power control circuit caused errors due to the effect of the mark density variation. To solve this problem we invented a new structured peak-comparator which could eliminate the effect ...

      As data rate was increased, the conventional burst-mode automatic power control circuit caused errors due to the effect of the mark density variation. To solve this problem we invented a new structured peak-comparator which could eliminate the effect of the mark density variation even in high date rate, and revised the conventional one using it. We proposed a burst-mode automatic power control circuit robust to mark density variations. We found that the peak-comparator in the proposed automatic power control circuit was very robust to mark density variations because it affected very little by the mark density variation in high date rate and in the wide variation range of the reference current and the difference current.

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      국문 초록 (Abstract)

      기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 데이터 율이 증가함에 따라 마크밀도 변화 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 이 문제를 해결하기위해 높은 데이터 율에서도 마크밀도의 영향을 배제시킬 수 있는 새로운 구조의 첨두 비교기를 고안하고 이를 자동전력제어 회로에 적용하여 마크밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동전력제어 회로를 제안하였다. 제안한 자동전력제어 회로 내의 첨두 비교기는 높은 데이터 율에서 뿐만 아니라 광범위한 기준전류 및 차 전류 변화에서도 미소한 마크밀도 변화 영향만을 보여 마크밀도 변화에 매우 강한 특성을 확인 할 수 있었다.
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      기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 데이터 율이 증가함에 따라 마크밀도 변화 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 이 문제를 해결하기위해 높은 데이터 율에서도 마크밀도의 영...

      기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 데이터 율이 증가함에 따라 마크밀도 변화 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 이 문제를 해결하기위해 높은 데이터 율에서도 마크밀도의 영향을 배제시킬 수 있는 새로운 구조의 첨두 비교기를 고안하고 이를 자동전력제어 회로에 적용하여 마크밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동전력제어 회로를 제안하였다. 제안한 자동전력제어 회로 내의 첨두 비교기는 높은 데이터 율에서 뿐만 아니라 광범위한 기준전류 및 차 전류 변화에서도 미소한 마크밀도 변화 영향만을 보여 마크밀도 변화에 매우 강한 특성을 확인 할 수 있었다.

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      참고문헌 (Reference)

      1 C. Sackinger, "Low power CMOS Burst-Mode Laser Driver for Full service Access Network Application" 519-520, 1999.

      2 T. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation" 720-, 1998.

      3 P. E. Allen, "CMOS Analog Circuit Design" Oxford University Press 2 : 118-, 2002.

      4 T. Matsuyma, "A 156 Mbps CMOS Laser Driver for Optical Burst-Mode Transmission" 174-175, 2000.

      5 C. Sackinger, "A 15-mW, 155-Mb/s CMOS Burst-Mode Laser Driver with Automatic Power Control and End-of-Life Detection" 0-, 1999.

      6 C. Sackinger,, "A 15-mW, 155-Mb/s CMOS Burst-Mode Laser Driver with Automatic Power Control and End-of-Life Detection" 35 (35): 269-275, February.2000.

      1 C. Sackinger, "Low power CMOS Burst-Mode Laser Driver for Full service Access Network Application" 519-520, 1999.

      2 T. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation" 720-, 1998.

      3 P. E. Allen, "CMOS Analog Circuit Design" Oxford University Press 2 : 118-, 2002.

      4 T. Matsuyma, "A 156 Mbps CMOS Laser Driver for Optical Burst-Mode Transmission" 174-175, 2000.

      5 C. Sackinger, "A 15-mW, 155-Mb/s CMOS Burst-Mode Laser Driver with Automatic Power Control and End-of-Life Detection" 0-, 1999.

      6 C. Sackinger,, "A 15-mW, 155-Mb/s CMOS Burst-Mode Laser Driver with Automatic Power Control and End-of-Life Detection" 35 (35): 269-275, February.2000.

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      학술지 이력

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      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers
      2012-09-01 평가 학술지 통합(등재유지)
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2007-10-04 학술지명변경 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정(등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정(신규평가) KCI등재후보
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