혼합 소스 수소화물 기상 에피택시에 의한 AlN 에피층 성장 = Growth of an AlN Epilayer by Using Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

A high-quality AlN epilayer as a base for next generation power semiconductor devices was grown by the mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. Mixed-source HVPE is a growth method that used a mixed-source of solid-state semiconductor materials and is different from the existing HVPE method. Various substrates having an influence on the growth of AlN epilayers were analyzed. Changes in the crystal structure and threading dislocation concentrations in AlN epilayers were investigated by using X-ray diffraction (XRD) measurements. In addition, the origin of the defects caused by the lattice mismatch between the grown epilayer and the crystal structure of the substrate was analyzed, and growth characteristics of AlN epilayers grown by using the mixed-source HVPE method were investigated.

국문 초록 (Abstract)

차세대 전력 반도체 소자의 기반이 될 양질의 AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 (hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 방법으로 성장시켰다. 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법은 기존의 수소화물 기상 에피택시 방법과는 다르게 고체 상태 반도체 물질들의 혼합 소스에 의해 성장 되어지는 방법이다. 본 논문에서는 성장된 AlN 에피층 내 관통 전위 밀도와 결정구조의 변화가 X선 회절 (X-ray diffraction, XRD) 측정으로 조사 되었다. 또한 성장된 에피층과 기판 결정 구조 사이의 격자 부정합에 의한 결함의 원인을 분석하고, 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법으로 기판별 AlN 에피층의 성장 특성을 조사하였다.

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