본 논문에서는 워드지향 메모리 내에서 셀 사이의 커플링 결함을 검출하기 위한 고갈 테스트 발생(exhaustive test generation) 문제를 연구하였다. 셀 사이의 거플링 결함 모델에 따르면 n 워드를 ...

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2005
English
학술저널
295-304(10쪽)
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본 논문에서는 워드지향 메모리 내에서 셀 사이의 커플링 결함을 검출하기 위한 고갈 테스트 발생(exhaustive test generation) 문제를 연구하였다. 셀 사이의 거플링 결함 모델에 따르면 n 워드를 갖는 메모리 내에서 w-비트 메모리 내용 또는 내용의 변화는 메모리 내의 s-1 워드 내용에 따라 영향을 받는다. 이때 검사 패턴 구성을 위한 최적의 상호작용 방법을 제안 하였으며, 제안한 검사 결과의 체계적인 구조는 간단한 BIST로 구현하였다.
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