승화방법으로 황화카드뮴 단결정을 성장하였다. 결정 모양은 원추형이고 직경 17㎜, 길이 17㎜ 이었다. 진공, 공기, 카드뮴 분위기에서 열처리한 후 황화카드뮴 광전도셀을 제작하였다. 각 ...
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국문 초록 (Abstract)
승화방법으로 황화카드뮴 단결정을 성장하였다. 결정 모양은 원추형이고 직경 17㎜, 길이 17㎜ 이었다. 진공, 공기, 카드뮴 분위기에서 열처리한 후 황화카드뮴 광전도셀을 제작하였다. 각 ...
승화방법으로 황화카드뮴 단결정을 성장하였다. 결정 모양은 원추형이고 직경 17㎜, 길이 17㎜ 이었다. 진공, 공기, 카드뮴 분위기에서 열처리한 후 황화카드뮴 광전도셀을 제작하였다.
각 광전도셀의 감도는 γ_vac = 0.95, γ_air = 0.82, and γ_Cd = 1.61 이었다. 반응시간을 측정한 결과 상승시간은 RT_vac = 4.1 ㎲, RT_air = 6.0 ㎲, RT_Cd = 7.0 ㎲ 이고, 소멸시간은 DT_vac = 70 ㎲, DT_air = 3.1 ㎲, DT_Cd = 90 ㎲ 이었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The single crystal of cadmium sulfide was grown by sublimation method. The shape of the crystal was cone type and the diameter was 17㎜, the length 17㎜. The CdS Photoconductive cells annealed in vacuum, air, and cadmium atmospheres were fabricated...
The single crystal of cadmium sulfide was grown by sublimation method. The shape of the crystal was cone type and the diameter was 17㎜, the length 17㎜.
The CdS Photoconductive cells annealed in vacuum, air, and cadmium atmospheres were fabricated.
The sensitivities of CdS photoconductive cells annealed in vacuum, air, and cadmium atmospheres are γ_vac = 0.95, γ_air = 0.82, and γ_Cd = 1.61, respectively.
The rise times of CdS photoconductive cells are RT_vac = 4.1 ㎲, RT_air = 6.0 ㎲, and RT_Cd = 7.0 ㎲ and the decay times are DT_vac = 70 ㎲, DT_air = 3.1 ㎲, and DT_Cd = 90 ㎲ at the light level of 20 Lux, respectively.
Free-field representations of Z_N symmetric conformal quantum algebras from SU(N)Toda field theories
광발광 측정에 의한 단결정형 황화카드뮴 반도체의 발광중심 연구
GaAs의 EL2 준위 및 그와 관련된 준안정상태 EL2 준위