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      SCIE SCOPUS KCI등재

      Linearity of Hetero-Gate-Dielectric Tunneling Field-Effect Transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A99876732

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      Linearity characteristics of hetero-gatedielectric tunneling field-effect transistors (HG TFETs) have been compared with those of high-k-only and SiO₂-only TFETs in terms of IIP3 and P1dB. It has been observed that the optimized HG TFETs have higher IIP3 and P1dB than high-k-only and SiO₂-only TFETs. It is because HG TFETs show higher transconductance (gm) and current drivability than SiO₂-only TFETs and gm less sensitive to gate voltage than high-k-only TFETs.
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      Linearity characteristics of hetero-gatedielectric tunneling field-effect transistors (HG TFETs) have been compared with those of high-k-only and SiO₂-only TFETs in terms of IIP3 and P1dB. It has been observed that the optimized HG TFETs have higher...

      Linearity characteristics of hetero-gatedielectric tunneling field-effect transistors (HG TFETs) have been compared with those of high-k-only and SiO₂-only TFETs in terms of IIP3 and P1dB. It has been observed that the optimized HG TFETs have higher IIP3 and P1dB than high-k-only and SiO₂-only TFETs. It is because HG TFETs show higher transconductance (gm) and current drivability than SiO₂-only TFETs and gm less sensitive to gate voltage than high-k-only TFETs.

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      목차 (Table of Contents)

      • Abstract
      • I. INTRODUCTION
      • II. SIMULATION CONDITION
      • III. RESULTS AND DISCUSSION
      • IV. CONCLUSIONS
      • Abstract
      • I. INTRODUCTION
      • II. SIMULATION CONDITION
      • III. RESULTS AND DISCUSSION
      • IV. CONCLUSIONS
      • REFERENCES
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