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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      The Physical Properties of Doped GaN Grown by MBE on GaAs substrates

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      https://www.riss.kr/link?id=A3003249

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      The GaN layers were grown on(100) GaAs substrates and doped with silicon as n-type dopants. Photoluminescence(PL) measurement shows single emission as representing free hole to donor recombination. The spectrum for the zinc-blende GaN is shifted by about 200meV to lower energy with respect to the wurtzite spectrum, which is consistent with the reduced band gap in zinc-blende GaN. The electrical contact properties of the metal/GaN was investigated using the I-V, C-V characteristics. The results of the I-V measurement for the all contacts on GaN show nonlinear shapes. The AFM measurements have also been carried out for GaN/GaAs surface in order to the measurement of morphology.
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      The GaN layers were grown on(100) GaAs substrates and doped with silicon as n-type dopants. Photoluminescence(PL) measurement shows single emission as representing free hole to donor recombination. The spectrum for the zinc-blende GaN is shifted by ab...

      The GaN layers were grown on(100) GaAs substrates and doped with silicon as n-type dopants. Photoluminescence(PL) measurement shows single emission as representing free hole to donor recombination. The spectrum for the zinc-blende GaN is shifted by about 200meV to lower energy with respect to the wurtzite spectrum, which is consistent with the reduced band gap in zinc-blende GaN. The electrical contact properties of the metal/GaN was investigated using the I-V, C-V characteristics. The results of the I-V measurement for the all contacts on GaN show nonlinear shapes. The AFM measurements have also been carried out for GaN/GaAs surface in order to the measurement of morphology.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ.서론
      • Ⅱ.실험방법
      • Ⅲ.실험결과 및 논의
      • 1) PL(Photoluminescence) 측정
      • 2) I-V(Current-Voltage) 측정
      • Ⅰ.서론
      • Ⅱ.실험방법
      • Ⅲ.실험결과 및 논의
      • 1) PL(Photoluminescence) 측정
      • 2) I-V(Current-Voltage) 측정
      • 3) AFM(Atomic Force Microscopy) 측정
      • Ⅳ.결론
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