RHEED 장치의 제작과 K, Cs / Si(111) 계에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계ㆍ제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20 keV까지 연속가변이 가능하도록 하였으며 전자선의 집속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다.<br/>
깨끗한 Si(111)7×7 표면을 가지는 기판의 온도를 상온 및 200℃~700℃에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7×7-K, 300℃~550℃에서 3×1 및 550℃ 이상에서 1×1 구조가 관측되었고, Cs의 경우는 상온에서 250℃까지는 1×1, 300℃에서 √3×√3, 350℃~400℃에서 √3×√3+3×1 구조가 관측되었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

RHEED apparatus which is one of the systems of surface structure analysis has been constructed. Electron beam is focused by means of magnetic lens, and the beam divergence is about 1×11^(-3) rad. The Acceleration voltage of this RHEED apparatus is continuously variable from 0 to 20㎸. K and Cs-adsorbed structures on Si(111)7×7 surface at room and high temperatures(200×700℃) have been investigated by RHEED. It is observed that the K and Cs-adsorbed Si(111)surface structures at saturation coverage are Si(111)7×7-K and Si(111)l×1-Cs at room temperature, respectively. When the specimen temperature was elevated during evaporation, the 3×1 structure appears in the range of temperature between 300℃ and 550℃, and the 1×1 structure appears above 550℃ in K/Si(111) system. Also, in Cs/Si(111) system the √3×√3structure appears at 300℃, and the √3×√3+3×1 structure appears between 350℃ and 400℃.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. RHEED 장치의 제작 및 최적동작조건
  
• 3. K, Cs / Si(111)계의 표면에 대한 RHEED 연구
  
• 4. 결론
  
• 참고문헌