질소이온 주입에 의한 Al의 재결정화 및 AlN의 형성에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

진공증착된 Al 다결정 박막에 질소이온을 25 keV-50 keV, 1×10¹⁴-2×10^(17)ions/㎠로 주입하여 박막의 결정구조와 nitride의 형성을 TEM으로 측정하였다. N₂^+ 이온을 에너지 25keV, dose 1×10¹⁴ions/㎠로 주입하면 fcc 구조의 Al 결정이 관찰되며, 40keV 이상의 에너지로 2×10^(17)ions/㎠ 이상 주입하면 AlN이 형성됨을 확인하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

N₂^+ ions were bombarded onto films at room temperature to a dose of 2×10^(17)ions/㎠ (with energy 25-50 keV). The formation of nitride and ion induced crystallization were investigated by TEM. When the N₂^+ions are implanted with l×10¹⁴ions/㎠ (25keV) on the vacuum deposited Al thin film, the crystallization of the Al film (fcc structure) occured. At higher doses and energies (2×10^(17)ions/㎠, 40 keV) the formation of AlN was observed.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 참고문헌