금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할 = The Roles of Hydrogen and Trapped Holes in the Generation of Interface Traps in MOS Devices

국문 초록 (Abstract)

MOS 소자의 게이트산화막에 정공이 트랩핑된 후 계면전하의 발생 메커니즘을 게이트 금속의 종류 및 게이트 인가된 전압의 극성의 함수로써 연구하였다. 기존의 정공 트랩핑에 의한 계면전하의 발생 메커니즘과는 다른 새로운 메커니즘을 확인하였으며, 트랩핑된 정공과 발생된 계면전하의 상관관계는 16 : 1이였다. 본 연구 결과와 기존의 모델들을 토대로 고열전자에 의하여 MOS 소자의 발생하는 계면전하의 발생 메커니즘을 전하와 수소의 역할을 구분할 수 있는 전자주입 fluence의 함수로서 규명하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Mechanisms of interface traps induced by hole trapping was investigated as a function of both gate metals and gate polarity applied during the stressing. We find that a new generation mechanism which has not been reported previously, and show that approximately one interface trap is induced by sixteen trapped holes. Based on the current findings, we propose a comprehensive interface-trap generation mechanism which can predict the hot electron effects so that clarify the roles of hydrogen and trapped holes as a function of injection fluences.