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      Al0.3Ga0.7As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 Electroreflectance 특성 = Electroreflectance Spectroscopy of an Al0.3Ga0.7As/GaAs High Electron Mobility Transistor Structure

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      https://www.riss.kr/link?id=A104321594

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Electroreflectance (ER) studies of the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs
      high electron mobility transistor (HEMT) structure were performed in
      the temperature range of 18-300 K. The room-temperature ER spectra
      showed three signals: 1.41, 1.80 and 1.75 eV. These were attributed
      to the band edges of GaAs and AlGaAs and to the spin-orbital
      splitting of GaAs, respectively. From the measured Franz-Keldysh
      oscillations (FKO), we found that the strength of the interfacial
      electric field increasesd as the reverse dc bias voltage ($V_{dc}$)
      was increased. We also observed that two-dimensional electron gas
      (2DEG) was separated from the GaAs signal of about $V_{dc}$=-7 V,
      and we determined the 2DEG concentrations were taken at various
      temperatures.
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      Electroreflectance (ER) studies of the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs high electron mobility transistor (HEMT) structure were performed in the temperature range of 18-300 K. The room-temperature ER spectra showed three signals: 1.41, 1.80 and 1.75 eV. Th...

      Electroreflectance (ER) studies of the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs
      high electron mobility transistor (HEMT) structure were performed in
      the temperature range of 18-300 K. The room-temperature ER spectra
      showed three signals: 1.41, 1.80 and 1.75 eV. These were attributed
      to the band edges of GaAs and AlGaAs and to the spin-orbital
      splitting of GaAs, respectively. From the measured Franz-Keldysh
      oscillations (FKO), we found that the strength of the interfacial
      electric field increasesd as the reverse dc bias voltage ($V_{dc}$)
      was increased. We also observed that two-dimensional electron gas
      (2DEG) was separated from the GaAs signal of about $V_{dc}$=-7 V,
      and we determined the 2DEG concentrations were taken at various
      temperatures.

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      국문 초록 (Abstract)

      Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 (high electron
      mobility transistor; HEMT) 구조의 특성을 온도 18-300 K 범위에서
      electroreflectance (ER) 방법으로 조사하였다. 상온 ER 신호에서는 약
      1.41, 1.80 및 1.75 eV에서의 3개의 피크가 관측되었다. 이 피크들은
      GaAs, AlGaAs 및 GaAs의 spin-orbital splitting에 관련된 신호이었다.
      그리고 측정된 Franz-Keldysh oscillations (FKO)로부터, 역방향
      바이어스 전압 ($V_{dc}$)이 증가함에 따라 계면 전기장의 세기는
      증가하였다. 또한 $V_{dc}$=$-$7 V 부근에서 GaAs 신호로부터 2차원
      전자가스 (2DEG)의 신호가 분리되었으며, 다양한 온도에서 2DEG 농도
      ($N_{2D}$)를 구하였다.
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      Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 (high electron mobility transistor; HEMT) 구조의 특성을 온도 18-300 K 범위에서 electroreflectance (ER) 방법으로 조사하였다. 상온 ER 신호에서는 약 1.41, 1.8...

      Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 (high electron
      mobility transistor; HEMT) 구조의 특성을 온도 18-300 K 범위에서
      electroreflectance (ER) 방법으로 조사하였다. 상온 ER 신호에서는 약
      1.41, 1.80 및 1.75 eV에서의 3개의 피크가 관측되었다. 이 피크들은
      GaAs, AlGaAs 및 GaAs의 spin-orbital splitting에 관련된 신호이었다.
      그리고 측정된 Franz-Keldysh oscillations (FKO)로부터, 역방향
      바이어스 전압 ($V_{dc}$)이 증가함에 따라 계면 전기장의 세기는
      증가하였다. 또한 $V_{dc}$=$-$7 V 부근에서 GaAs 신호로부터 2차원
      전자가스 (2DEG)의 신호가 분리되었으며, 다양한 온도에서 2DEG 농도
      ($N_{2D}$)를 구하였다.

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      참고문헌 (Reference)

      1 O. J. Glembocki, 46 : 970-, 1985

      2 D. P. Wang, 12 : 3103-, 1994

      3 H. Chouaib, 200-, 2005

      4 Michael Sydor, 67 : 7423-, 1990

      5 Michael Sydor, 58 : 948-, 1991

      6 I. Hwang, 103 : 1-, 1997

      7 V. Cambel, 51 : 188-, 1998

      8 H. Shen, 78 : 2151-, 1995

      9 R. N. Bhattacharya, 37 : 4044-, 1998

      10 I. S. Kim, 6 : 136-, 1997

      1 O. J. Glembocki, 46 : 970-, 1985

      2 D. P. Wang, 12 : 3103-, 1994

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      4 Michael Sydor, 67 : 7423-, 1990

      5 Michael Sydor, 58 : 948-, 1991

      6 I. Hwang, 103 : 1-, 1997

      7 V. Cambel, 51 : 188-, 1998

      8 H. Shen, 78 : 2151-, 1995

      9 R. N. Bhattacharya, 37 : 4044-, 1998

      10 I. S. Kim, 6 : 136-, 1997

      11 D. E. Aspnes, 37 : 418-, 1973

      12 Y.S. Tang, 6 : 391-, 1989

      13 L. Zamora-Peredo, 287 : 591-, 2005

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2016-09-05 학술지명변경 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli KCI등재
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2003-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2002-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) KCI등재후보
      1999-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.18 0.18 0.17
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.15 0.14 0.3 0.1
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