Al0.3Ga0.7As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 Electroreflectance 특성 = Electroreflectance Spectroscopy of an Al0.3Ga0.7As/GaAs High Electron Mobility Transistor Structure

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Electroreflectance (ER) studies of the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs
high electron mobility transistor (HEMT) structure were performed in
the temperature range of 18-300 K. The room-temperature ER spectra
showed three signals: 1.41, 1.80 and 1.75 eV. These were attributed
to the band edges of GaAs and AlGaAs and to the spin-orbital
splitting of GaAs, respectively. From the measured Franz-Keldysh
oscillations (FKO), we found that the strength of the interfacial
electric field increasesd as the reverse dc bias voltage ($V_{dc}$)
was increased. We also observed that two-dimensional electron gas
(2DEG) was separated from the GaAs signal of about $V_{dc}$=-7 V,
and we determined the 2DEG concentrations were taken at various
temperatures.

국문 초록 (Abstract)

Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터 (high electron
mobility transistor; HEMT) 구조의 특성을 온도 18-300 K 범위에서
electroreflectance (ER) 방법으로 조사하였다. 상온 ER 신호에서는 약
1.41, 1.80 및 1.75 eV에서의 3개의 피크가 관측되었다. 이 피크들은
GaAs, AlGaAs 및 GaAs의 spin-orbital splitting에 관련된 신호이었다.
그리고 측정된 Franz-Keldysh oscillations (FKO)로부터, 역방향
바이어스 전압 ($V_{dc}$)이 증가함에 따라 계면 전기장의 세기는
증가하였다. 또한 $V_{dc}$=$-$7 V 부근에서 GaAs 신호로부터 2차원
전자가스 (2DEG)의 신호가 분리되었으며, 다양한 온도에서 2DEG 농도
($N_{2D}$)를 구하였다.

참고문헌 (Reference)

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