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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      실리콘 산화막의 트랩 밀도에 관한 연구 = A study on the Trap Density of Silicon Oxide

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      The trap density by the stress bias in silicon oxides with different thicknesses has been investigated. The trap density by stress bias was shown to be composed of on time current and off time current. The on time trap density was composed of dc current. The off time trap density was caused by the tunneling charging and discharging of the trap in the interfaces. The on time trap density was used to estimate to the limitations on oxide thicknesses. The off time trap density was used to estimate the data retention in nonvolatile memory devices.
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      The trap density by the stress bias in silicon oxides with different thicknesses has been investigated. The trap density by stress bias was shown to be composed of on time current and off time current. The on time trap density was composed of dc curre...

      The trap density by the stress bias in silicon oxides with different thicknesses has been investigated. The trap density by stress bias was shown to be composed of on time current and off time current. The on time trap density was composed of dc current. The off time trap density was caused by the tunneling charging and discharging of the trap in the interfaces. The on time trap density was used to estimate to the limitations on oxide thicknesses. The off time trap density was used to estimate the data retention in nonvolatile memory devices.

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