수치해석을 이용한 전력 BJT의 정특성 분석|RISS 상세보기

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An algorithm for analyzing the characteristics of the power BJT using numerical analysis method is proposed. The Fermi-Dirac statistics is used to calculate the carrier concentration in highly doped region. Philips Unified mobility model, SRH model and Auger model is used to calculate the recombination current of base region. To verify the accuracy of the proposed method, the collector current of BANDIS is compared with the measured data in the condition of the base current increased from $1.0[{\mu}A]\;to\;3.5[{\mu}A]$. The collector current of BANDIS show a maximum relative error within 8.9% compared with the measured data.

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