Hot Wall Epitaxy를 이용한 GaN 박막의 생장및 특성 연구 = Hot Wall Epitaxial Growth and Characterization of GaN Film

국문 초록 (Abstract)

GaN 박막 생장을 위하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 생장장치를 제작하였으며, 생장조건의 변화에 따른 PL 특성을 조사하여 최적 생장조건을 구하였다. 이러한 최적 조건에서 사파이어(0001) 기판에 생장된 GaN 박막은 XRD(X-ray diffraction), 저온(10K) PL(photoluminescence), XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 그리고 Hall 측정을 통하여 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 나타난 3.473eV의 주 피크는 D-X 전이에 의한 것이며, 3.421eV의 피크는 산소 불순물에 의한 자유홀-전자 재결합에 의한 것이다. In을 접점으로 사용하여 측정된 Hall 측정결과 n형으로, 운반자(carrier) 농도는 3×10^17㎝^-3, 이동도(mobility)는 16 ㎠/Vs이다. PL 측정에서 9 meV의 반치폭은 HWE를 이용하여 비교적 양질의 GaN 박막을 생장할 수 있음을 보여준다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

HWE(Hot Wall Epitaxy) apparatus had been built for the growth of GaN film and the optimum growth conditions were found by PL(photoluminescence) measurements GaN film grown on sapphire(0001) substrate in optimum conditions was characterized by XRD(X-ray diffraction), low temperature(10K) PL, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and Hall measurement PL spectra showed D-X transition at 3.473 eV as a main peak and free hole-electron recombination peak at 3.421 eV. The carrier concentration and Hall mobility were ×10^17㎝^-3 and 16 ㎠/Vs, respectively In PL spctrum 9 meV of FWHM(Full width half maximum) shows that good quality GaN film can be grown using HWE.

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ.서론
• Ⅱ.실험
• Ⅲ.결과및고찰
• Ⅳ.결론
• 참고문헌