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      Enhancement of the electrical characteristics of indiumezinc tin-oxide thin-film transistors utilizing dual-channel layers

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      https://www.riss.kr/link?id=A104122955

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      Thin film transistors (TFTs) with indiumezinc tin-oxide (IZTO) dual-channel layers were fabricated on heavily-doped p-type Si substrates by using a tilted dual-target radio-frequency magnetron sputtering system. The number of oxygen vacancies in the IZTO channel layer decreased with increasing oxygen partial pressure, resulting in a decrease in the conductivity. The threshold voltage (Vth) shifted toward positive gate-source voltage with increasing oxygen partial pressure for the growth of the IZTO layer because of a decrease in the carrier concentration. The Vth, the mobility, the on/off-current ratio, and the subthreshold swing of the dual-channel IZTO TFTs were 3.5 V, 7.1 cm2/V s, 1.3 V/decade, and 8.2 106, respectively, which was enhanced by utilizing dual-channel layers consisting of a top channel deposited at a high oxygen partial pressure and a bottom channel deposited at a low oxygen partial pressure.
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      Thin film transistors (TFTs) with indiumezinc tin-oxide (IZTO) dual-channel layers were fabricated on heavily-doped p-type Si substrates by using a tilted dual-target radio-frequency magnetron sputtering system. The number of oxygen vacancies in the I...

      Thin film transistors (TFTs) with indiumezinc tin-oxide (IZTO) dual-channel layers were fabricated on heavily-doped p-type Si substrates by using a tilted dual-target radio-frequency magnetron sputtering system. The number of oxygen vacancies in the IZTO channel layer decreased with increasing oxygen partial pressure, resulting in a decrease in the conductivity. The threshold voltage (Vth) shifted toward positive gate-source voltage with increasing oxygen partial pressure for the growth of the IZTO layer because of a decrease in the carrier concentration. The Vth, the mobility, the on/off-current ratio, and the subthreshold swing of the dual-channel IZTO TFTs were 3.5 V, 7.1 cm2/V s, 1.3 V/decade, and 8.2 106, respectively, which was enhanced by utilizing dual-channel layers consisting of a top channel deposited at a high oxygen partial pressure and a bottom channel deposited at a low oxygen partial pressure.

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      참고문헌 (Reference)

      1 J. Elias, 515 : 8553-, 2007

      2 K. M. Kim, 32 : 1242-, 2011

      3 K. Nomura, 432 : 488-, 2004

      4 E. M. C. Fortunato, 17 : 590-, 2005

      5 E. Fortunato, 29 : 988-, 2008

      6 B. N. Pal, 20 : 1023-, 2008

      7 K. Ip, 84 : 544-, 2004

      8 A. N. Banerjee, 515 : 7324-, 2007

      9 S. -W. Chen, 61 : 4097-, 2007

      10 M. Fahland, 516 : 5777-, 2008

      1 J. Elias, 515 : 8553-, 2007

      2 K. M. Kim, 32 : 1242-, 2011

      3 K. Nomura, 432 : 488-, 2004

      4 E. M. C. Fortunato, 17 : 590-, 2005

      5 E. Fortunato, 29 : 988-, 2008

      6 B. N. Pal, 20 : 1023-, 2008

      7 K. Ip, 84 : 544-, 2004

      8 A. N. Banerjee, 515 : 7324-, 2007

      9 S. -W. Chen, 61 : 4097-, 2007

      10 M. Fahland, 516 : 5777-, 2008

      11 J. C. Park, 22 : 5512-, 2010

      12 W. S. Cheong, 326 : 186-, 2011

      13 P. T. Liu, 32 : 10-, 2011

      14 K. M. Kim, 32 : 9-, 2011

      15 W. H. Jeong, 59 : 8-, 2012

      16 K. Koike, 25 : 527-, 2007

      17 C. Guillén, 92 : 938-, 2008

      18 G. H. Kim, 94 : 233501-, 2009

      19 D. Stryakhilev, 12 : J101-, 2009

      20 H. Y. Chong, 99 : 161908-, 2011

      21 K. Ide, 99 : 093507-, 2011

      22 C. J. Chiu, 31 : 1245-, 2010

      23 S. Jeong, 22 : 1346-, 2010

      24 D. K. Schroder, "Semiconductor Material and Device Characterization" John Wiley & Sons 1998

      25 Hsing-Hung Hsieh, "Development of IGZO TFTs and Their Applications to Next-Generation Flat-Panel Displays" 한국정보디스플레이학회 11 (11): 160-164, 2010

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      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
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