Ag 페이스트를 소스와 드레인 전극으로 사용한 OTFT-OLED 어레이 제작 = The Fabrication of OTFT-OLED Array Using Ag-paste for Source and Drain Electrode

국문 초록 (Abstract)

본 연구는 PC(polycarbonate) 기판 위에 소스(source)/드레인(drain) 전극으로 Ag 페이스트를 스크린 인쇄하여 OTFT(organic thin film transistor)를 제작하였다. 또한 이렇게 제작된 OTFT를 적용하여 OTFT-OLED(organic light emitting diode) 어레이를 제작하였으며 OTFT의 소스 및 드레인 전극과 더불어 데이터 배선전극을 Ag 페이스트를 이용하여 형성하였다. Ag 페이스트는 스크린 마스크의 mesh에 따라 325 mesh용과 500 mesh용을 사용하였으며, 325 mesh용 페이스트는 선폭 60 ㎛, 500 mesh용 페이스트는 선폭 40 ㎛까지 인쇄가 가능하였다. 그리고 면저항은 각각 60 mΩ/□, 133.1 mΩ/□이었다. 제작된 OTFT의 성능은 이동도가 각각 0.35 ㎠/V·sec와 0.12 ㎠/V·sec, 문턱전압 -4.7 V와 0.9 V이었으며, 전류 점멸비는 ～10?이었다. OTFT-OLED 어레이는 인쇄성이 우수한 500 mesh용 Ag 페이스트를 사용하였으며 OTFT의 채널길이를 50 ㎛로 설계하여 제작하였다. OTFT-OLED 어레이의 화소는 2개의 OTFT, 1개의 캐패시터 그리고 1개의 OLED로 구성하였고, 크기는 2 ㎜ × 2 ㎜이며, 해상도는 16 × 16 이다. 제작된 어레이는 일부 불량 화소를 포함하고 있지만 능동형 모드로 동작함을 확인할 수 있었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Ag paste was employed for source and drain electrode of OTFTs and for the data metal lines of OTFT-OLED array on PC(polycarbonate) substrate. We tested two kinds of Ag-pastes such as pastes for 325 mesh and 500 mesh screen mask to examine the pattern ability and electrical performance for OTFTs. The minimum feature size was 60 ㎛ for 325 mesh screen mask and 40 ㎛ for 500 mesh screen mask. The conductivity was 60 mΩ/□ for 325 mesh and 133.1 mΩ/□ for 500 mesh. For the OTFT performance the mobility was 0.35 ㎠/V·sec and 0.12 ㎠/V·sec, threshold voltage was -4.7 V and 0.9 V, respectively, and on/off current ratio was ～10?, for both screen masks. We applied the 500 mash Ag paste to OTFT-OLED array because of its good patterning property. The pixel was composed of two OTFTs and one capacitor and one OLED in the area of 2 ㎜ × 2 ㎜. The panel successfully worked in active mode operation even though there were a few bad pixels.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. Ag 페이스트의 스크린 인쇄공정
• Ⅲ. 단위 OTFT 제작 및 특성 분석
• Ⅳ. OTFT-OLED 어레이
• Ⅴ. 결론
• 참고문헌
• 저자소개

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