列 生成 技法에 의한 航空機 運航計劃 問題의 最適解法

기재석 漢陽大學校 大學院 1992 국내박사

열 생성이 있는 수직 채널에서의 자연 대류 열전달

두민수 漢陽大學校 大學院 1984 국내석사

고온열량계의 제작 및 천이금속화합물의 표준생성열 측정

유미라 국민대학교 대학원 2003 국내석사

본 연구에서는 Kleppa type 고온 calorimeter를 자체 기술력으로 제작하고, 이미 엔탈피 값이 보고되어 있는 NiGe, Ni3Ge, NiSi, CoSi, Ni3Al, Co2Al9 화합물의 표준생성엔탈피를 측정하여 다른 연구자의 결과와 비교함으로써 자체 제작한 calorimeter의 성능을 검토하는 것이다. 본 연구에서는 1000℃ 이상의 고온에서 사용가능한 단열형 calorimeter를 설계, 제작하였다. calorimeter는 노와 calorimeter tube, liner, 계측시스템으로 구성되며, 노의 발열체는 Kanthal선을 사용하였으며, calorimeter tube는 알루미나제로서 tube 외부에 열변화를 측정하기 위한 thermopile을 설치하였다. themopile에서 발생된 열기전력은 nanovoltmeter로 정밀하게 측정하며, 동시에 computer로 data를 받아 저장하고 또한 chart recorder를 사용하여 기록을 한다. Calibration은 순수한 Ag를 사용하였고, 천이금속화합물의 표준생성엔탈피를 Direct synthesis method를 이용하여 측정하였다. 실험에서 회수한 시료에서 목적화합물이외의 다른 상의 존재여부를 SEM ,EDS, XRD로 분석하였다. 본 실험온도는 1343K와 1293K이며, 표준생성엔탈피의 측정결과 NiGe(-25.7 kJ/mol.atom), Ni3Ge(-20.2 kJ/mol.atom), NiSi(-39.6 kJ/mol.atom)의 표준생성엔탈피는 타 연구결과와 양호하게 일치하였다. CoSi의 표준생성엔탈피는 타 연구결과와 일치하지 않았다. 그 원인은 실험온도가 낮아 Co와 Si의 반응이 충분히 일어나지 않은 것으로 사료된다. Ni3Al의 표준생성엔탈피는 타 연구결과와 매우 일치하였으나 EDS 분석결과 시료조성의 부위별 편차가 있어 근사값을 나타낸다. Co2Al9는 화합물이 Quartz 도가니와 반응하여 표준생성열을 정확히 측정하지 못하였으며, 대체 도가니를 사용하여 재 측정해야 할 것으로 판단된다. 이상의 연구결과로부터 본 연구에서 자체 제작한 Calorimeter는 열화학 연구에 활용할 수 있는 정도를 가지고 있음을 확인하였다. A microcalorimeter was designed and constructed for the application to measure the thermal change in a reaction tube above 1300K. The new calorimeter consists of the furnace, the calorimeter tube, the data gathering system and the reaction tube. The calorimeter tube is made of alumina, about 25.5mm I.D, 31.7mm O.D. and 900mm long. Sixty shallow vertical grooves have been ground on the outside surface of this tube to allow the placement of a 29 couple thermopile. A block of inner thermopile was located inside of the calorimeter tube. The inner thermopile is connected to the outer thermopile. The thermopile measures small temperature differences arising from the reactions in the reaction tube. The e.m.f. is measured by nanovoltmenter and converted to a digital signal and stored in a computer. In order to verify the performance of the new calorimeter, the standard enthalpies of NiGe, Ni3Ge, NiSi, CoSi, Ni3Al and Co2Al9 were measured by the direct synthesis calorimetry at 1323K and 1293K. The enthalpies of formation were obtained to be -25.7kJ/mol.atom , -20.2 kJ/mol.atom and -39.6kJ/mol.atom for NiGe, Ni3Ge and NiSi, respectively. Our result for CoSi was considered to be an indicative value, because of the incomplete reaction between Co and Si at our experimental temperature. A comparison has been made between theresults of present work and previously reported experimental or predicted values. The new calorimeter is believed to have a good performance for the thermochemical study of high temperature processes.

고집적 소자에 적용을 위한 Ni & NiTa/epi-Si1-xGex 시스템에서의 Ni-Germanosilicide 형성과 열안정성 연구

김지선 연세대학교 대학원 2005 국내석사

Ge 함량이 10 at.%, 20 at.% 인 epi-SixGe1-x 기판 위에 Ni 및 Ni-Ta 합금박막을 증착 후 RTP를 이용하여 Ni germanosilicide 형성반응을 관찰하였고, RTP 500℃에서 형성된 Ni germanosilicide 박막을 furnace에서 후속 열처리를 수행하여 열안정성을 평가하였다. Ni 및 NiTa 합금 (25nm)epi-Si1-XGeX(50nm)Si 구조의 시편을 500℃~900℃ 온도구간에서 30초 동안 RTA 공정을 실시한 결과 500℃에 형성된 상은 저 저항의 Ni(Si1-yGey) 로 관찰되었다. Ni 박막 증착 시편에서는 RTP 500℃ 온도에서 저 저항인 약 3, 4 Ωsq. 의 낮은 면저항 값이 관찰되고 RTP 780℃까지 실리사이드 단락에 의해 면저항이 서서히 증가하였다. RTP 820℃ 이후와 후속 열처리에서는 실리사이드의 응집에 의해서 100 Ωsq. 이상으로 면저항 값이 급격히 증가하였다. 실리사이드 박막의 단락과 응집은 NiSi 와 NiGe 의 생성열의 차이로부터, Ni이 Si과 우선 반응함으로써 전제 시스템의 에너지를 낮출 수 있기 때문에 실리사이드 grain boundary에서 Ge rich Si-Ge alloy가 형성되고 RTP 820℃ 이후에는 Ge rich Si-Ge alloy가 급격히 결정립계 사이에서 성장하므로 실리사이드 박막의 열안정성이 악화되었기 때문에 발생하였다. NiTa 합금 박막 증착 시편에서는 후속 열처리 에서 면저항이 RTA 온도 500℃ 에서의 면저항 값이 유지되고 있으나 실리사이드의 단락이 관찰되고 있다. We investigated the formation and thermal stability of Ni germanosilicide films with Ge contents upon annealing througth the interfacial reaction of Ni and SiGe. ~25nm Ni films are deposited on epitaxial Si1-xGex(x=0.1, 0.2) substrate by DC magneton sputtering. The thickness and compositon of Ni and NiTa alloySi1-xGex films were confirmed by RBS. And Ni(Si1-xGex) films were formed by RTP in N2 ambient. The annealed sample at RTP 500℃ was post-annealed by furnace for studying thermal stability.The thickness of the Ni germanosilicide at RTA 500°C was each maximum ~56nm and ~71nm for the NiSi0.9Ge0.1 and NiSi0.8Ge0.2 systems. Sheet resistance of Ni germoanosilicide at 500°C was ~3, 4 Ωsq. As the RTA temperature increased, sheet resistance in the NiSi0.9Ge0.1 and NiSi0.8Ge0.2 systems increase gradually due to the separation of Ni silicide and the growth of the epi-SiGe grain. The driving force of the Si-Ge alloy grain formation is the difference of heat of formation between NiSi and NiGe. After 820°C, The sharp increase to more than 100Ωsq. in sheet resistance is caused by agglomeration of Ni silicide. In the Niepi-Si1-xGex(x=0.1, 0.2) systems, post-annealied Ni germanosilicide in a furnace at 600, 650°C shows that sheet resistance of post annealed sample increase more sharply. The sharp increase in sheet resistance above 106Ωsq. is attributed to the Ge segregation at the surface of the film. In case of NiTa alloy films deposted systems, post-annealied Ni germanosilicide in a furnace at 600, 650°C shows that sheet resistance of post annealed sample was maintained to the sheet resistance of Ni germanosilicide at RTA 500°C.

CMOS 소자에의 적용을 위한 Ni/Si_(1-x)Ge_x 시스템에서의 germanosilicide 형성 반응 연구

최효직 연세대학교 2000 국내석사

CMOS 소자에의 적용을 위한 Ni/Si1-xGex 시스템에서의 germanosilicide 형성 반응 연구

최효직 연세대학교 대학원 2001 국내석사

The solid-state reaction and thermal stability of nickel germanosilicide on poly-Si1-XGeX has been studied as a function of both the initial germanium content and the annealing temperature. The silicidation was performed by RTP under N2 flow ranging from 500℃ to 980℃ for 30sec and the first phase formed was observed to be the low resistive Ni(Si1-yGey). This accounts for the low Rs values below 10Ω/□ ranging from 500℃ to 580℃. NiSi phase is not detected above 660℃ in the case of X=0, but Ni(Si1-yGey) that forms a Ni/Si1-XGeX reaction is observed until above 820℃. The sharp increase in sheet resistance above 106Ω/□ observed after a 620℃ anneal is attributed to the onset of germanosilicide layer inversion caused by the formation and the growth of the Ge rich Si-Ge grains at germanosilicide grain boundaries. The driving force of the Si-Ge alloy grain formation is the crystal energy reduction caused by substituting Ge with Si. When Ge is incorporated into the silicide grains, the increase in surface energy and the decrease in the free energy changes are expected. So, according to the classical thermodynamics the phase transition delay from monosilicide to disilicide is observed in the Ni/Si1-XGeX system. And it occurred after all Ge inside Ni(Si1-yGey) grains has diffused out of them. Ge 의 함량을 0%, 16%, 25%로 설정하여 Ge 함량 및 열처리 온도 변화에 따른 Ni 과 SixGe1-x 간의 고상 반응에 대한 실험결과를 바탕으로 Ni germanosilicide 형성 반응에 대한 연구를 진행하였다.Si/SiO2/poly-Si1-XGeX(2000Å)/Ni(250Å) 구조의 시편을 500℃∼980℃ 온도구간에서 30초 동안 RTA 공정을 실시한 결과 초기에 형성된 상은 저 저항의 Ni(Si1-yGey) 로 관찰되었다. Poly-Si/Ni 인 경우에는 660℃에서 NiSi2 로의 상변이가 일어났지만 X=0.16, 0.25인 시편에서는 germanosilicide 가 820℃ 까지 관찰되었다. 500℃∼580℃ 온도구간에서는 저 저항의 Ni(Si1-yGey) 상에 의해서 10Ω/□ 이하의 낮은 면저항 값이 관찰되고 620℃ 이후에 germanosilicide 와 poly-Si1-XGeX 결정립의 inversion 에 의해서 약 106Ω/□로 면저항 값이 급격히 증가하였다. 실리사이드 박막의 inversion은 NiSi 와 NiGe 의 생성열의 차이로부터, Ge 이 Si 으로 대체됨으로써 crystal energy를 낮출 수 있기 때문에 Ge rich Si-Ge alloy 가 형성되어 620℃ 이후에 급격히 결정립계 사이에서 성장하므로 실리사이드 박막의 열 적 안정성이 악화되었기 때문에 발생하였다. Ge이 첨가되면 실리사이드 박막의 계면에너지의 변화량(Δσ)은 증가하고 자유에너지의 변화량(ΔG)은 감소하므로 상변이에 필요한 에너지 장벽이 증가하여 NiSi2 로의 상변이를 지연시킨다. 따라서 Ni(Si1-yGey) 에서 Ge이 모두 실리사이드 결정립 밖으로 확산해 나간 이후에 NiSi2 로의 상변이가 관찰되었다.

Zingerone의 열분해생성물에 관한 연구

김용태 建國大學校 1985 국내박사

Gold-Palladium 합금에서의 내각 전자 순위 에너지 이동량

남창우 서울大學校 大學院 1990 국내석사

최적화 기법을 이용한 경로 결정 군사 OR 응용 문제의 연구

이문걸 서울대학교 대학원 2009 국내박사

할로겐 화합물의 표준생성열(ΔH_(f)°)의 계산

이필희 서울大學校 大學院 1980 국내박사