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Thermo-hydraulic analysis of the KSTAR central solenoid model coil
Chung, Wooho,Park, Soohwan,Wang, Qiuliang,Jeong, Sangkwon,Yoon, Cheon Seog,Oh, Yeong-Kook,Kim, Keeman,Bak, Joo Shik,Lee, G.S. IEEE 2005 IEEE transactions on applied superconductivity Vol.15 No.2
The Korea Superconducting Tokamak Advanced Research (KSTAR) Central Solenoid Model Coil (CSMC) has been developed to validate the design of KSATR CS coil. The thermo-hydraulic characteristics were analyzed for the KSTAR CSMC. The major thermo-hydraulic parameters of the coil are AC losses, strand temperature, coolant temperature, pressure drop and temperature margin. A numerical code has been developed for the thermo-hydaulic analysis of the KSTAR CSMC according to the operating conditions. In this paper, the description of the thermo-hydraulic analysis models and analysis results of CSMC are presented. The total energy deposition due to AC losses in CSMC winding will induce a flow reversal of supercritical helium. The minimum temperature margin is estimated approximately 0.5 K. The maximum temperature in CSMC winding is about 7.6 K.
Characteristics of HfN Films Deposited by Using Remote Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition
전형탁,Wooho Jeong,Youngbin Ko,Seokhwan Bang,Seungjun Lee 한국물리학회 2010 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.56 No.3
HfN films were deposited by using remote plasma-enhanced atomic layer deposition (RPALD)with tetrakis-dimethylamino-hafnium {TDMAH, Hf[N(CH3)2]4} as a Hf precursor and a N2 plasma as a reactant. The growth rate of the HfN films was about 0.2 nm/cycle in the process window of 150 - 250℃ The optimized process temperature, plasma power, and pressure were 250 ℃,300 W, and 1 Torr, respectively. The as-deposited film was slightly nitrogen-rich, and the nitrogen content decreased slightly after in-situ vacuum annealing at 700 ℃ for 10 min. HfN films deposited on contact holes (0.12-µm wide and 1.8-µm deep) showed excellent conformal coverage. Barrier characteristics were observed in the Cu/HfN/Si samples after annealing at various temperatures,and the formation of a copper silicide phase was observed after annealing at 650 ℃.
농업가뭄 예·경보를 위한 지하수위 관측자료 분석방법 고찰
정찬덕 ( Chanduck Jeong ),서상진 ( Sangjin Seo ),명우호 ( Wooho Myeong ),이병선 ( Byeongsun Lee ),이규상 ( Kyusang Lee ),송성호 ( Sungho Song ) 한국농공학회 2022 한국농공학회 학술대회초록집 Vol.2022 No.-
기후변화로 인해 전 세계적으로 가뭄과 홍수, 폭염이 빈번하게 발생되고 있다. 우리나라도 이에 대한 대응책 마련이 매우 시급한 실정이다. 많은 분야에서 대응책 마련에 고심하고 있겠지만, 특히 가뭄에 대비하여 농어촌에서의 식량자원 생산을 위한 적정량의 용수 공급은 무엇보다도 중요하다고 할 수 있다. 그러나 가뭄으로 인해 매년 많은 농작물들이 말라 죽거나 적기에 용수공급이 안되어 수확량이 감소하는 등 많은 피해를 입고 있어 적기에 농업가뭄에 대한 예·경보가 필수적이다. 우리나라의 농업가뭄은 평년대비 저수지 저수율로 구분하여 구분하고 있으며, 이에 대한 정보는 국가가뭄정보포털(www.drought.go.kr)과 농업가뭄관리시스템(www.adms.or.kr)에서 정보를 제공하고 있다. 그러나 홍수 전에도 하류지역의 홍수 예방 등을 위해 수문을 사전에 개방하기도 하고, 가뭄에도 최적의 용수공급을 위해 즉시 개방하지 않는 저수지의 특성상 실제 가뭄상황과 저수율로 구분하는 가뭄단계와는 차이가 있을 수밖에 없다. 그래서 아직은 관측자료의 부족으로 완벽한 정보를 제공하지는 못하고 있으나, 2013년 Bloomfield and Marchant가 강수량을 이용한 SPI(Standardized Precipitation Index)와 지하수위를 이용한 SGI(Standardized Groundwater level Index)가 높은 상관성을 보임을 확인한 이후 많은 연구자들이 지하수위 관측자료를 분석해서 농업가뭄 단계를 구분하는 방법을 도입하고 있다. 우리나라에서는 지하수위 변화를 이용해 농업가뭄 정보를 유일하게 제공하고 있는 국가가뭄정보포털에서 시군별 대표성 있는 관측공 1개씩 선별하여 과거 지하수위 대비 현재 지하수위를 비교하여 농업가뭄을 표출하고 있다. 그러나 1개 대표 관측공의 지하수위 변화값만으로는 넓은 시·군 단위 규모의 지하수위 변화를 대표하기에는 한계가 있다. 따라서 1개 대표 관측공이 아닌 시·군 또는 읍·면에 설치된 관측공의 전체 평균 지하수위 대비, 현재 지하수위를 비교하여 가뭄단계를 구분하는 방법을 기존 방법과 비교하여 구체적으로 제시하고자 한다. 아직까지는 관측공 개소수와 장기 관측자료 부족으로 시·군 또는 읍·면 단위 전체를 대변하기에는 다소 미흡한 점이 있으나, 향후 관측공 설치가 점차 늘어나고, 많은 관측자료가 축적되면 보다 나은 지하수위 변화를 분석하여 농업가뭄 예·경보 자료로 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
가뭄 수요대응 관정연계이용을 위한 지하수 최적 배분 연구
이병선(Byungsun Lee),명우호(Wooho Myoung),정찬덕(Chanduck Jeong),이규상(Gyusang Lee) 대한지질학회 2021 대한지질학회 학술대회 Vol.2021 No.10
상습가뭄지역의 가뭄 수요대응 방안으로, 기설 관정을 연계 이용하여 지하수 공급 극대화를 도모하는 기술이 제안되었다. 기설 관정 연계 이용 시 가장 중요한 사항은 해당 농업가뭄 발생지역의 정확한 수요량에 대한 분석이고, 이에 대응하기 위해 연계 가능한 관정을 수리지질학적 분석을 토대로 지정하는 것이다. 이 연구에서는 충청남도 홍성군의 대표적인 상습 가뭄지역에 대하여 가뭄 수요 대응 상시 지하수 공급체계를 수립하고자 수행되었다. 연구지역은 총 1,164필지(면적 약 289 ha)로 구성되며, 지하수 공공관정에 대한 의존도가 높은(53%) 편이다. 농경지는 537필지(약 46 ha)이며 총면적(약 289 ha)의 약 16% 이고, 논이 약 11%(약 33 ha), 밭이 약 5%(약 13 ha)에 해당한다. 논에 대한 관개용수 수요량의 경우 논(297필지) 면적변화를 기반으로 HOMWRS 프로그램을 이용하여 산정하였다. 밭에 대한 관개용수 수요량은 밭(240개 필지)의 재배작물에 대하여 작물별 증발산량이 밭작물의 관개용수 수요량과 동일하다는 가정 하에 산정하였다. 이 결과, 최근 10년간(2010-2019) 연구지역 관개용수 수요량은 평균 377천 ㎥/년으로 추정되었다. 논은 밭에 비해 약 6배 관개 용수 수요량이 많았고, 상세하게는, 논의 관개용수 수요량은 평균 321천 ㎥/년이었고, 반면 밭의 관개용수 수요량은 평균 56천 ㎥/년으로 산정되었다. 이 후, 양수시험 자료(양수정과 주변 관측공의 수위변동 자료)를 이용하여 상대적으로 지하수가 풍부한 수계와 그렇지 못한 수계의 대수층의 이방성을 확인하였고, 수리전도도의 공간적 분포를 분석하였으며,각 수계별 이방성에 따른 연계대상 관정을 지정하여 상습가뭄 발생지역의 최적 지하수 공급을 도모하였다.
Characteristics of the ZnO thin film transistor by atomic layer deposition at various temperatures
Kwon, Semyung,Bang, Seokhwan,Lee, Seungjun,Jeon, Sunyeol,Jeong, Wooho,Kim, Hyungchul,Gong, Su Cheol,Chang, Ho Jung,Park, Hyung-ho,Jeon, Hyeongtag Institute of Physics 2009 Semiconductor science and technology Vol.24 No.3
<P>ZnO thin films were deposited by atomic layer deposition (ALD) at various temperatures and the resulting electrical and chemical properties were examined. The fraction of O–H bonds in ZnO films decreased from 0.39 to 0.24 with increasing processing temperatures. The O/Zn ratio decreased from 0.90 at 70 °C to 0.78 at 130 °C. The carrier concentration and resistivity changed sharply with decreasing temperature. The ZnO thin film transistors (TFTs) were fabricated at processing temperatures of 70 to 130 °C and the electrical properties of the TFT were as follows: the field-effect mobility ranged from 8.82 × 10<SUP>−3</SUP> to 6.11 × 10<SUP>−3</SUP> cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP> s<SUP>−1</SUP>, the on/off current ratio ranged from 1.28 × 10<SUP>6</SUP> to 2.43 × 10<SUP>6</SUP>, the threshold voltage ranged from −12.5 to 14.7 V and the subthreshold swing ranged from 1.21 to 24.1 V/decade. The electrical characteristics of the ZnO TFT were enhanced as the processing temperature decreased.</P>
Bang, Seokhwan,Lee, Seungjun,Park, Joohyun,Park, Soyeon,Jeong, Wooho,Jeon, Hyeongtag Institute of Physics [etc.] 2009 Journal of Physics. D, Applied Physics Vol.42 No.23
<P>Thin films of ZnO were deposited by atomic layer deposition (ALD) at different process temperatures and the resulting chemical and electrical characteristics were investigated. As the process temperature increased, the ZnO film exhibited an increase in carrier concentration from 1.3 × 10<SUP>15</SUP> to 2.1 × 10<SUP>19</SUP> cm<SUP>−3</SUP>, and a decrease in resistivity from 6.7 × 10<SUP>3</SUP> to 8.2 × 10<SUP>−3</SUP> Ω cm. We utilized this temperature dependence of the electrical properties and fabricated thin film transistors (TFTs) at different temperatures with both single and double channel layers. In the ZnO-TFT with a single channel layer, the overall device performance of the ZnO-TFT, such as the <I>I</I><SUB>on</SUB>/<I>I</I><SUB>off</SUB> ratio and subthreshold swing (SS), was degraded as the entire channel resistance decreased. In contrast, the ZnO-TFT with a double channel layer could control the turn-on voltage and threshold voltage by suppressing the increase in the off-current. The <I>I</I><SUB>on</SUB>/<I>I</I><SUB>off</SUB> ratios were 8.6 × 10<SUP>5</SUP>, 2.2 × 10<SUP>6</SUP> and 4.7 × 10<SUP>5</SUP> and the subthreshold swings exhibited 0.60 V/decade, 0.71 V/decade and 0.68 V/decade for the TFT with interface channel layers deposited at 120 °C, 140 °C and 160 °C, respectively. The saturation mobility slightly increased from 1.267 to 1.912 cm V<SUP>−1</SUP>s<SUP>−1</SUP> as the process temperature of the interface channel layer increased.</P>