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- 저자 : Chung Hong-Bay (검색결과 143 건)
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Fabry-Perot 광필터용 유전체 다층막의 반사도 측정
정홍배 광운대학교 신기술연구소 1996 신기술연구소논문집 Vol.25 No.-
본 연구에서는 광섬유 Fabry-Perot 필터에 이용되는 다층막의 미러 코팅 유전체박막의 제작과 특성에 대해 고찰하였다. TiO_2와 SiO_2 박막으로 구성되는 유전체 다층막을 RF 마그네트론 스퍼터(magnetron sputter)로 1550nm의 파장 영역에서 63.8∼99.9%의 반사도를 갖도록 제작하였다. TiO_2 박막의 투과도 측정과 수정된 포락선(modified envelope) 해석에 의해 632.8nm의 파장에서 예측된 굴절율은 2.251이었고 측정값은 2.242로 잘 일치함을 확인하였다. 이러한 결과로부터 1550nm 파장에서 굴절율은 2.170으로 결정되었다. 미러 코팅한 다층막의 반사도는 11층의 경우는 97.6%이고 23층의 경우는 99.9%의 높은 반사도를 얻어 안정된 필터특성을 갖는 최적의 제작설계조건을 나타내었다. In this study, we investigated the fabrication and characteristics of the mirror coated dielectric multilayer film for a Fabry-Perot(FP) filter. The dielectric multilayers consisted of alternating layers of TiO_2 and SiO_2 film which has the reflectance of 63.8∼99.9% at the wavelength of 1550nm were fabricated by RF magnetron sputter system with the fiber thickness monitor system. The refractive index of TiO_2 single film derived from the modified envelope method was the expected value of 2.251 and it was conformed that the expected value of 2.251 were coincided with the measured value of 2.242 at λ=632.8nm. From the refractive index curve, the refractive index of TiO_2 film was expected 2.17 at a wavelength around 1550nm. The reflectance of the mirror coated multilayer having 11 layers and 23 layers were 97.6% and 99.9% at the wavelength of 1.55μm, respectively. As the results, we conclude that the above condition was the optimum fabrication design.
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비정질 Se-Ge 박막을 이용한 무기질 Photoresist의 선택적 에칭효과
정홍배 光云大學校 1988 論文集 Vol.17 No.-
In this paper, the selective etching effect of ?? thin films was investigated as a function of illumination, heat treatment and the angle of deposition. As the results, the selective etching effect with illumiation of as-deposited films revealed -13% at 0°and +33% at 80°due to the photobleaching and photodarkening effects, respectively. In case of illuminated films after heat treatment showed the larger selective etching effects of +18% at 0°and +38% at 80% than only illuminated films of as-deposited.
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(Se,S)를 기본으로한 비정질 칼코게나이드 박막의 광수축 현상에 관한 연구
정홍배 光云大學校 1987 論文集 Vol.16 No.-
본 연구에서는 비정질 As-Se-S-Ge박막의 광혹화현상과 Se 첨가량에 따른 광흡수율의 변화를 조사하고 실험결과들을 이용하여 광수축현상을 규명하였다. 광수축의 최대 변화율은 65[℃], 25[mW]에서 34[%]이었다. 이상의 결과로부터 광조사와 열처리에 의하여 광흡수단이 이동하는 가역변화는 광혹화현상과 열표백현상에 의한 것으로 보이고, 광조사에 의한 박막두께의 수축은 광수축현상에 의한 것으로 생각된다. In this study, the photodarkening effect in As-Se-S-Ge amorphous thin films and the optical absorption variation along with Se additive were examined, and the photocontraction effect was proved by expermental results. The maximum photocontraction ratio was 34[%] at 65[℃], 25[mW]. With these results, it turned out that the reversible changes of optical absorption edge by light irradiation and annealing responsible for the photodarkening effect and the thermal bleaching effect, and the thickness contraction by light irradiation was considered due to photocontraction effect.
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조성비에 따른 칼코게나이드 As_40Ge_10Se_50-_xS_x 박막의 광유기 스칼라 현상에 대한 연구
정홍배 광운대학교 신기술연구소 1997 신기술연구소논문집 Vol.26 No.-
비정질 (Se, S)를 기본으로 한 칼코게나이드유리질 박막은 굴절률변화를 이용한 홀로그래픽 수퍼마이크로피쉬에 응용이 되고 있다. 본 연구에서는 조성비변화에 따른 (Se, S)를 기본으로한 칼코게나이드 박막에서 광유기 스칼라현상에 대하여 관찰하였다. 최적의 조성비를 찾기 위하여 10000Å께의 As_40Ge_10Se_50-xS_x (x=0, 25, 35 at. %)박막을 제작하였다. 실험결과 15분간 blue-pass filtered Hg lamp(∼ 4300Å과 200℃로 처리한 경우 각각 6328Å7800Å 파장에서 굴절률변화량, △n 이 0.007∼0.35 정도 변화됨을 알 수 있었다. 또한 초기에 열처리한 As_40Ge_10Se_15S_35 박막에서 광흑화현상과 열표백화현상이 나타남을 알았다. 결국 칼코게나이드 As_40Ge_10Se_15S_35 박막이 비정질(Se, S)을 기본으로한 칼코게나이드유리질 박막에서 최적의 조성임을 알 수 있었다. Amorphous (Se, S)-based chalcogenide films are attracted and used for a holographic supermicrofiche by using the refractive-index change. In this study, we investigated the photo-induced scalar phenomena of (Se, S)-based chalcogenide thin film with composition ratio change. In order to find the optimum composition ratio, we fabricated the 10,000 thick As_40Ge_10Se_50-xS_x (x=0, 25, 35 at. %) thin film by thermal evaporation. As the results, it was found that the amount of refractive-index change, △n reaches 0.007∼0.35 at the wavelength of 6328Å800Åy exposing for 15 minutes blue-pass filtered Hg lamp(∼4300Åand annealing 200℃. And it was shown the photodarkening(PD) and thermal bleaching(TB) phenomena in initially annealed As_40Ge_10Se_15S_35 thin film. So, we were concluded that chalcogenide As_40Ge_10Se_15S_35 thin film must be the optimum composition ratio of amorphous (Se, S)-based chalcogenide films.
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미세패턴 형성을 위한 무기질 a- Se Ge 포토레지스트의 에칭특성
정홍배 光云大學校 1987 論文集 Vol.16 No.-
본 논문에서는 각도에 따라 증착된 a-?? 박막과 Ag/a-?? 박막에서의 에칭특성을 고찰하였다. 에칭율은 빛이 조사된 a-?? 박막이 열처리된 박막보다 더욱 크며, 증착각도가 증가함에 따라서 증가한다. positive형인 경우 에칭율은 80°로 증착된 박막에서 최대를 나타낸다. negative형인 경우 Ag가 광도프 되지 않은 a-?? 박막은 알칼리용액(HN₄OH)에 쉽게 용해되지만, Ag가 광도프핀된 박막은 거의 녹지 않음을 알 수 있다. In this paper, the etching characteristics was investigated in obliquely deposited a-?? films was larger than the annealed films, and it was increased with oblique angles. In the case of positive-type, the etching rate was maximum for films deposited at 80°obliqueness. In the case of negative type, the AG photo-undoped a-?? films esaily dissolved at alkaline solution(HN₄OH) but the Ag-photodoped films hardly dissolved at this solution.
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鄭鴻倍,康勝彦,黃正男 光云大學校 1984 論文集 Vol.13 No.-
In this study,Li? ions are implanted into PET, using small low energy C-W type accelerator in order to investigate trap level, activation energy, escape frequency, and kinetic order for ionic trap in polymers. The TSC curve showed two peaks at about 345K and 375K. An ionic TSC peak occurs at about 375K, and the activation energy, escape frequency for this trap are 2.06 eV and 4.5×?? ??, respectively. Shallow surface traps are found to be created due to ionization during Li? implantation. And the value ΔT?/ΔT is 0.54, which means that the mechanism of ionic trap is 2 nd kinetic order process.
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Sb-doping에 의한 Ge-Se-Te의 개선된 스위칭 특성
정홍배(Hong-Bay Chung),남기현(Ki-Hyun Nam),구상모(Sang-Mo Koo) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
A detailed investigation and structure of tested samples are clearly presented. As a reference, Ge₁Se₁Te₂/Sb only sample was also investigated. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this esperiment in order to solve that problem by doping-Sb.
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