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      • KCI등재

        A Study on a New Measurement Method of the Microstrip Parallel Coupled Lne Parameters

        장익수,윤영철,안달,Chang, Ik-Soo,Yoon, Young-Chul,Ahn, Dal The Institute of Electronics and Information Engin 1988 전자공학회논문지 Vol.25 No.2

        A new measurement method of coupled transmission line characteristics is described. This method presents precision values of even-and odd-mode impedances as well as effective dielectric constants of symmetric parallel coupled microstrip lines from the scalar quantities obtained by transmission coefficients at two different resonance frequencies. Especially these values include dispersion effects in the measured frequency band. The measured impedances and effective dielectric constants of actually fabricated coupled lines on the Teflon substrates with low dielectric constants are good agreement with predicted values. And the experimental pass band characteristics of single section resonator by using previously designed coupled lines agree well with theoretical values.

      • 초고주파 전력 트랜지스터의 Sweet spot에서의 위상 변화 특성 연구

        박웅희,장익수,조한유,Park, Ung-Hee,Chang, Ik-Soo,Cho, Han-You 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.38 No.1

        초고주파 대역의 전력증폭기로 주로 사용되는 트랜지스터는 전력 효율 측면에서 AB급 또는 B급 바이어스로 동작하게 된다. 고출력 트랜지스터가 AB급 바이어스 또는 B급 바이어스로 동작하게 되면 트랜지스터의 입력전력의 증가에 따라 3차 혼변조 성분에 Sweet spot이 발생하게 된다. 본 논문은 고출력 트랜지스터를 AB급 바이어스로 동작시켜 발생한 Sweet spot에서의 3차 혼변조 신호의 상대적인 위상 변화량은 실험을 통하여 측정하였다. 실험 결과로 3차 혼변조 신호의 Sweet spot에서의 약 $180^{\circ}$ 정도의 상대적 위상 변화량이 발생함을 측정하였다. When the high power transistor is used for amplifier in microwave frequency, the bias of transistor is usually AB-class or B-c1ass because of power efficiency. The sweet spot point having small IMD signal compared with near neighborhood exicts frequently in the high power transistor using AB class bias or B-class bias. On the sweet spot, the magnitude and phase of the main and IMD signal of HPA output change as the input signal power change, respective the relative phase on the sweet spot changes rapidly. If we know exactly the magnitude and phase characteristics of IMD signal, we can design a more adequate linearizer and understand the characteristics of transistor. In this paper the magnitude and phase of the main and IMD signal of HPA output on the sweet spot are measured using the designed hardware.

      • I&Q Demodulator를 이용한 RF 고정 위상 제어기 설계

        박웅희,장익수,허준원,강인호,Park, Ung-Hee,Chang, Ik-Soo,Huh, Jun-Won,Gang, In-Ho 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.1

        고주파에서 사용되는 능동소자들은 입력전력의 세기에 의하여 위상변화량이 달라지게 된다. 특히 증폭기에 사용되는 트랜지스터는 효율을 고려하여 포화영역 근처에서 사용하게 되면, 입력전력의 변화에 따른 위상 변화량이 크게 나타난다. 본 연구는 능동소자를 통과할 때 발생하는 위상변화량을 고정시키는 회로에 관한 것이다. 회로내의 임의의 가변 위상 벼노한기를 이용하여 위상을 변화시킬 시, 입력부에서 커플링 한 기준신호의 위상과 출력부의 비교신호의 위상을 비교하여 회로내의 또 다른 자동 위상 변환기를 동작하여 자동적으로 고정된 위상 변화량을 가진 신호가 출력되는 회로를 제작하였다. 약 10dB 동작 범위에서 위상이 고정됨과 2개 이상의 신호 입력과 FM 신호 입력시에도 전체회로를 통한 위상 변화량이 측정되고 또한 고정될 수 있음을 확인하였다. 실험주파수는 1960 MHz이고, 실험 기판은 두께가 31mil이고 비유전율 3.2인 테플론을 이용하였다. The active devices used at microwave frequency have the different phase shift according to input power. Especially, The difference of the phase shift is large in the saturation region of the amplifier. In this paper, we disigned the phase control system for fixing the different phase shift at device. With the high frequency nonlinear amplifier, we fabricated such system that the phase shift to be fixed automatically using the varible phase shifter. The variable phase shifter fixed total phase variation of the circuit using the information that was obtained from the comparison of imputsignal phase with output signal phase. Even though the input signal is 2-tone or FM type, we could estimate and also fix the phase variation on DUT Dynamic range is about 10dB. It has been experimented at 1960MHz using Teflon (H=31mil, ${\varepsilon}r$=3.2)

      • Predistorter 형태의 신호 결합에 의한 혼변조 신호 감쇠에 관한 연구

        박웅희,조한유,장익수,Park, Ung-Hee,Cho, Han-You,Chang, Ik-Soo 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.38 No.1

        고출력 증폭기의 선형화 방법 중 Predistorter 방식은 크기가 작고, 전력 효율이 좋아 고출력 증폭기 선형화에 많이 이용된다. 본 논문에서는 새로운 측정 방법을 이용하여 고출력 증폭기에서 발생하는 혼변조 신호와 Predistorter의 혼변조 신호가 결합하는 경우에 Predistorter의 혼변조 신호의 세기와 위상 변화에 따른 고출력 증폭기에서의 혼변조 신호 감쇠량을 실험적 방법을 통해 추정하였다. 결과적으로 동일한 혼변조 신호, 결합 조건(세기와 위상)의 Predistorter의 선형화 방법은 서로 다른 경로의 신호 결함을 하는 Feedforward 선형화 방법보다 5dB 정도의 혼변조 신호 감쇠량이 낮음을 확인하였다. Predistorter linearizer having small size and good efficiency is frequently used in High Power Amplifier linearizer system. In this paper, the amount of IMD signal cancellation according to amplitude and phase of predistorter in predistorter type lincarizer is investigated by new experiment method. In the combining method of predistorter type, IMD signal is combined at the amplifier input port, the magnitude and phase of combining signals cannot be easily expected due to different magnitude and phase of incoming signals. By experiment, it is measured that Predistorter linearizer has lower amount of lMD signal cancellation than thoce of Feedforward linearizer at the same condition (amplitude and phase).

      • KCI등재

        고주파 대역에서 Dielectric Rod Resonator 방법에 의한 저유전 손실 물질의 유전 특성 측정

        김근영,심화섭,안철,장익수,Kim, Geun-Young,Shim, Hwa-Sup,An, Chul,Chang, Ik-Soo 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.

        Dielectric rod resonator 방법을 이용하여 고주파 대역에서 낮은 유전 손실을 갖는 유전체의 유전 특성을 측정하는 이론과 실험결과를 보였다. 유전체 시편과 금속 도체판 사이에 존재하는 공기층 효과를 최소화하기 위해 $TE_{011}$ mode 공진 주파수를 이용하였다. 컴퓨터를 사용하여 공진 주파수와 시편 크기, 2-dB 대여폭으로부터 유전 특징을 계산하였다. 측정의 오차 범위는 유전 상수인 경우 ${\pm}3{\%}$ 유전 손실인 경우 ${\pm}12{\%}$ 이내였다. Theory and experimental results of measuring the microwave dielectric characteristics of low-loss materials by using dielectric rod resonator method are presented. The $TE_{011}$ mode resonance frequency was adapted to minimize the effect of the air gap between the rod and the conducting plates. The dielectric properties were computed from the resonance frequency, sample geometry and 3 dB bandwidth. The error of measurements was within ${\pm}3{\%}$ for dielectric constant and was within ${\pm}12{\%}$ for dielectric loss.

      • KCI등재

        A Simplified GaAs MESFET Modeling for the Design of Ultrabroad-Band Microwave Amplifiers

        윤영철,김병철,안달,장익수,Yoon, Young-Chul,Kim, Byung-Chul,Ahn, Dal,Chang, Ik-Soo The Institute of Electronics and Information Engin 1989 전자공학회논문지 Vol.26 No.9

        A simplified 10-element GaAs MESFET equivalent circuit model has been presented which is suitable for the design of ultrabroad-band microwave small-signal amplification, the these circuit element values are extracted from measured S-parameters using complex-curve fitting algorithm. Packaged GaAs MESFET equivalent circuits are composed of intrinsic \ulcornermodel and several extrinsic elements at microwave frequencies, of which the largest effects are caused by package lead inductances. If these are eliminated from measured S-parameters, newly obtained S-parameters are closed to intrinsic \ulcornermodel, and the rest element values can be easily extracted. The modeling results applied to the packaged GaAs MESFET NE71083 are almost equal between the measure S-parameters and the mideled S-parameters within b 2% errors from DC to 8GHz, and errors are increased to \ulcorner% upto 12GHz wide bandwidth.

      • KCI등재

        동일 군속도 지연 신호 상쇄기를 이용한 광대역 Feedforward증폭기 설계

        정용채,안달,김홍기,김철동,장익수,Jeong Yong-Chae,Ahn Dal,Kim Hong-Gi,Kim Chul-Dong,Chang Ik-Soo 한국전자파학회 2005 한국전자파학회논문지 Vol.16 No.8

        본 논문에서는 인가되는 두 입력 단자의 신호들을 동일 군속도를 가지게 하면서 신호 상쇄를 가능하게 하는 새로운 구조의 신호 상쇄기를 제안하였고, 이를 적용한 feedforward 전력 증폭기를 제작하였다. 종전의 신호 상쇄기는 동작 주파수 전 대역에서 위상 정합과 군속도 지연 정합을 동시에 만족시킬 수 없으나 제안된 동일 군속도 지연 신호 상쇄기는 위상 정합과 군속도 지연 정합을 동시에 만족시킬 수 있다. 위상과 군속도 지연 정합은 광대역 신호 상쇄를 가능하게 한다. 제안한 동일 군속도 지연 신호 상쇄기를 적용한 feedforward 전력 증폭기의 주 신호 제거 루프에서는 $2,140{\pm}100$ MHz 대역에서 26.3 dB 이상의 신호 상쇄를 얻었고, 혼변조 왜곡 신호 제거 루프에서는 15.2 dB 이상의 신호 상쇄를 얻었다. 또한 2,115 MHz와 2,165 MHz인 2-tone 신호를 인가하여 (C/I)를 20.8 dB 개선시켰다. In this paper, a new signal canceller that input signals are equally group-delayed and cancelled each other is proposed and feedforward linearizing power amplifier that adopt the proposed signal cancellers is fabricated. Although the conventional signal canceller can't matches the phase and the group delay time of input signals simultaneously, the proposed signal canceller matches those simultaneously. Simultaneous matching of the phase and the group delay time can makes wideband signal cancellation. The main signal cancellation loop of the fabricated feedforward amplifier with the proposed signal cancellers cancel input signal more than 26.3 dB and the intermodulation distortion signal cancellation loop cancel more than 15.2 dB for 200 MHz bandwidth. And the proposed feedforward power amplifier improves C/I ratio by 20.8 dB with two tones at 2,115 MHz, 2,165 MHz, respectively.

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