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이흥수(H. S. Lee),윤천호(C. Yoon),박정일(J. I. Park),박광자(K. J. Park) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.1
원격플라즈마화학증착(RPCVD)에 의하여 파이렉스 유리 기판 위에 투명전도성 산화주석막을 제조하였다. RPCVD 공정의 주요한 조절변수는 증착시간, 사메틸주석, 산소 및 아르곤의 유속, 라디오 주파수 출력, 및 기판온도를 포함했다. 양질의 산화주석막을 제조하고 RPCVD 공정을 보다 잘 이해하기 위하여 이들 파라미터에 대한 증착속도, 전기적 저항, 광학적 투과도 및 결정구조의 의존성을 체계적으로 살펴보았다. 산화주석막의 성질에 미치는 이들 파라미터의 영향은 복잡하게 서로 연관되어 있다. 최적화된 증착조건에서 제조된 산화주석막은 102 Å/min의 증착속도, 9.7×10^(-3) Ωㆍ㎝의 비저항 및 ~80%의 가시선 투과도를 나타냈다. Transparent and conducting tin oxide films were prepared on Pyrex glass substrates by the remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD). The main control variables of the RPCVD process included the deposition time, the flow rates of tetramethyltin, oxygen and argon, the radio-frequency power, and the substrate temperature. Dependence of the deposition rate, electric resistivity, optical transmittance and crystal structure on these parameters was systematically examined to prepare high qualities of tin oxide films and to better understand RPCVD process. The effect of those parameters on the properties of tin oxide films is complicatedly related one another. A tin oxide film prepared under optimized deposition conditions exhibited deposition rate of 102 Å/min, electric resistivity of 9.7×10^(-3) Ωㆍ㎝, and visible trasnsmittance of ~80%.