RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 음성지원유무
        • 원문제공처
          펼치기
        • 등재정보
          펼치기
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
          펼치기
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        HVPE 법을 활용한 GaN 성장 시 질화처리에 관한 연구

        이승훈,이주형,이희애,오누리,이성철,강효상,이성국,양재득,박재화,Lee, Seung Hoon,Lee, Joo Hyung,Lee, Hee Ae,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Kang, Hyo Sang,Lee, Seong Kuk,Yang, Jae Duk,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2019 한국결정성장학회지 Vol.29 No.4

        HVPE is one of the GaN single crystal manufacturing methods which has been commercially widely used due to its high growth rate. HVPE method consists of a number of processes, in particular the nitridation of the substrate prior to GaN growth has a significant effect on the crystalline quality of the manufactured GaN single crystal. In this study, we investigated the effect of nitridation for crystalline quality of GaN when it was grown on the sapphire substrate. The whole growth conditions except for the nitridation process were the same, and the gas flow rate supplied to the sapphire substrate was variously changed during the nitridation. Here, we examined the effect of nitridation via the surface characterization of GaN single crystal grown by HVPE. HVPE는 GaN 단결정의 제조 방법 중 하나로 빠른 성장 속도가 장점인 상업적으로 널리 사용되는 성장 방법이다. HVPE 법에 의한 GaN 단결정 성장은 여러 공정으로 이루어지며, 특히 GaN 성장 전 기판의 질화 처리는 성장되는 GaN 단결정 품질에 상당한 영향을 미친다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 GaN 단결정 성장 시 기판의 질화처리가 성장되는 GaN 단결정 품질에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 질화 처리를 제외한 다른 성장 조건은 동일하게 하였고 질화처리 시 기판에 공급되는 가스 유량을 다양하게 변화시킨 후 GaN 박막을 성장시키고, 성장된 GaN의 표면 특성평가를 통하여, HVPE 법에서의 질화처리 효과를 고찰하여 보고자 하였다.

      • KCI등재

        BPMN기반의 모델 단축을 이용한 서비스 시스템의 테스트 케이스 생성 기법

        이승훈,강동수,송치양,백두권,Lee, Seung-Hoon,Kang, Dong-Su,Song, Chee-Yang,Baik, Doo-Kwon 한국정보처리학회 2009 정보처리학회논문지D Vol.16 No.4

        시스템 개발에서 초기 테스트는 오류수정 비용을 현저하게 낮출 수 있으며 이는 SOA기반 서비스 시스템에서도 여전히 중요한 요소이다. 그러나 서비스 시스템을 위한 기존 테스트 케이스 생성 기법들은 XML 기반 언어를 사용하여 웹서비스에 한정적이라는 한계점을 가진다. 이를 극복하기 위해서 본 논문에서는 BPMN에 따라 작성된 비즈니스 프로세스 기반으로 서비스 시스템의 테스트 케이스 생성 기법을 제시한다. 테스트 노력을 최소화 하기 위해 기존 BPM을 워크플로우의 기본 요소로만 단순화 시킨 S-BPM을 사용한다. 테스트 케이스 생성 과정은 목표서비스 시스템에 대해 S-BPM을 생성하고, 이를 방향성 그래프로 변환 후, 시나리오 검색 알고리즘을 적용하여 서비스 시나리오를 생성하고, 메시지의 이동 정보를 추출함으로써 이루어진다. 본 기법을 적용하면 웹서비스에 한정적이지 않으면서도 범용 서비스에 적용이 가능한 효율성 높은 테스트 케이스를 얻을 수 있으며, 이 결과물은 SOA의 비즈니스 관점 지향 특징을 반영한 테스트 케이스로 볼 수 있다. The early test can greatly reduce the cost of error correction for system development. It is still important in SOA based service system. However, the existing methods of test case generation for SOA have limitations which are restricted to only web service using XML. Therefore, this paper proposes a method of test case generation using BPMN-based model reduction for service system. For minimizing test effort, an existing BPM is transformed into S-BPM which is composed of basic elements of workflow. The process of test case generation starts with making S-BPM concerning the target service system, and transforms the target service system into directed graph. And then, we generate several service scenarios applying scenario searching algorithm and extract message moving information. Applying this method, we can obtain effective test cases which are even unlimited to web service. This result is the generation of test case which is reflected in the business-driven property of SOA.

      • 고주파 온열치료시 케모포트의 열적 변화 연구

        이승훈,이선영,김양수,양명식,차석용,Lee, seung hoon,Lee, sun young,Gim, yang soo,Kwak, Keun tak,Yang, myung sik,Cha, seok yong 대한방사선치료학회 2015 대한방사선치료학회지 Vol.27 No.2

        목 적 : 고주파 온열치료 시 약물투여 및 혈액채취에 사용되는 케모포트로 인한 열적 변화를 알아보고자 한다. 대상 및 방법 : 전극 크기 20 cm인 고주파 온열치료기(EHY-2000, Oncotherm Kft, Hungary)를 이용하여 현재 본원에서 사용 중인 케모포트 중 재질이 플라스틱인 소재, 티타늄을 둘러싼 에폭시 소재와 티타늄 소재 케모포트를 자체 제작한 직경 20 cm, 높이 20 cm 원통형 한천(Agar)팬텀에 삽입하여 온도를 측정하였다. 온도측정기(TM-100, Oncotherm Kft, Hungary) 그리고 Sim4Life(Ver2.0, ZMT, Zurich, Switzerland) 프로그램을 사용하여 실제 측정된 온도변화와 비교 분석하였다. 측정위치는 전극 중심축 및 중심축 측면 1.5 cm지점에 각각 0 cm(표면), 0.5 cm, 1.8 cm, 2.8 cm 깊이별로 하였다. 측정조건은 온도 $24.5{\sim}25.5^{\circ}C$, 습도 30 ~ 32%, 출력 전력 100 W로 5분 간격으로 총 60분을 측정 하였다. 결 과 : 케모포트 미사용, 플라스틱, 에폭시 그리고 티타늄 케모포트를 사용한 경우의 최고온도는 전극 중심축 2.8 cm 깊이에서 측정값 $39.51^{\circ}C$, $39.11^{\circ}C$, $38.81^{\circ}C$, $40.64^{\circ}C$와 모의실험값 $42.20^{\circ}C$, $41.50^{\circ}C$, $40.70^{\circ}C$, $42.50^{\circ}C$이며, 전극 중심축 1.5 cm 측면 2.8 cm 깊이에서 측정값 $39.51^{\circ}C$, $39.32^{\circ}C$, $39.20^{\circ}C$, $39.46^{\circ}C$와 모의실험값 $42.00^{\circ}C$, $41.80^{\circ}C$, $41.20^{\circ}C$, $42.30^{\circ}C$이다. 고안 및 결론 : 고주파 전자기장에 의한 케모포트 주위의 열적 변화량은 부도체 물질인 플라스틱과 에폭시 소재에서 미사용의 경우보다 낮게 나타났으며, 도체 물질인 티타늄 케모포트에서는 약간의 차이를 보였다. 이는 케모포트내 금속 함유량 및 기하학적 구조에 의한 것과 이용 장비의 낮은 고주파 대역를 사용함에 있는 것으로 여겨진다. 즉 본 연구에 사용된 케모포트는 열 변화가 미미하여 장해를 고려하지 않아도 된다고 사료된다. Purpose : This study evaluate the thermal changes caused by use of the chemoport for drug administration and blood sampling during radiofrequency hyperthermia. Materials and Methods : 20cm size of the electrode radio frequency hyperthermia (EHY-2000, Oncotherm KFT, Hungary) was used. The materials of the chemoport in our hospital from currently being used therapy are plastics, metal-containing epoxy and titanium that were made of the diameter 20 cm, height 20 cm insertion of the self-made cylindrical Agar phantom to measure the temperature. Thermoscope(TM-100, Oncotherm Kft, Hungary) and Sim4Life (Ver2.0, Zurich, Switzerland) was compared to the actual measured temperature. Each of the electrode measurement position is the central axis and the central axis side 1.5 cm, 0 cm(surface), 0.5 cm, 1.8 cm, 2.8 cm in depth was respectively measured. The measured temperature is $24.5{\sim}25.5^{\circ}C$, humidity is 30% ~ 32%. In five-minute intervals to measure the output power of 100W, 60 min. Results : In the electrode central axis 2.8 cm depth, the maximum temperature of the case with the unused of the chemoport, plastic, epoxy and titanium were respectively $39.51^{\circ}C$, $39.11^{\circ}C$, $38.81^{\circ}C$, $40.64^{\circ}C$, simulated experimental data were $42.20^{\circ}C$, $41.50^{\circ}C$, $40.70^{\circ}C$, $42.50^{\circ}C$. And in the central axis electrode side 1.5 cm depth 2.8 cm, mesured data were $39.37^{\circ}C$, $39.32^{\circ}C$, $39.20^{\circ}C$, $39.46^{\circ}C$, the simulated experimental data were $42.00^{\circ}C$, $41.80^{\circ}C$, $41.20^{\circ}C$, $42.30^{\circ}C$. Conclusion : The thermal variations were caused by radiofrequency electromagnetic field surrounding the chemoport showed lower than in the case of unused in non-conductive plastic material and epoxy material, the titanum chemoport that made of conductor materials showed a slight differences. This is due to the metal contents in the chemoport and the geometry of the chemoport. And because it uses a low radio frequency bandwidth of the used equipment. That is, although use of the chemoport in this study do not significantly affect the surrounding tissue. That is, because the thermal change is insignificant, it is suggested that the hazard of the chemoport used in this study doesn't need to be considered.

      • KCI등재

        CMOS 이미지 센서용 NMOS-Diode eFuse OTP 설계

        이승훈,하판봉,김영희,Lee, Seung-Hoon,Ha, Pan-Bong,Kim, Young-Hee 한국정보통신학회 2016 한국정보통신학회논문지 Vol.20 No.2

        본 논문에서는 프로그램 선택 소자는 채널 폭이 큰 NMOS (N-channel MOSFET) 트랜지스터 대신 DNW (Deep N-Well) 안에 형성된 채널 폭이 작은 isolated NMOS 트랜지스터의 body인 PW (P-Well)과 source 노드인 n+ diffusion 영역 사이에 형성된 기생하는 접합 다이오드를 사용하는 NMOS-Diode eFuse OTP (One-Time Programmable) 셀을 제안하였다. 제안된 eFuse OTP 셀은 프로그램 모드에서 NMOS 트랜지스터에 형성되는 기생하는 접합 다이오드를 이용하여 eFuse를 blowing 시킨다. 그리고 읽기 모드에서는 접합 다이오드를 이용하는 것이 아니고 NMOS 트랜지스터를 이용하기 때문에 다이오드의 contact voltage 강하를 제거할 수 있으므로 '0' 데이터에 대한 센싱불량을 제거할 수 있다. 또한 읽기 모드에서 채널 폭이 작은 NMOS 트랜지스터를 이용하여 BL에 전압을 전달하므로 OTP 셀의 blowing되지 않은 eFuse를, 통해 흐르는 읽기 전류를 $100{\mu}A$ 이내로 억제하여 blowing되지 않은 eFuse가 blowing되는 문제를 해결할 수 있다. In this paper, an NMOS-diode eFuse OTP (One-Time Programmable) memory cell is proposed using a parasitic junction diode formed between a PW (P-Well), a body of an isolated NMOS (N-channel MOSFET) transistor with the small channel width, and an n+ diffusion, a source node, in a DNW (Deep N-Well) instead of an NMOS transistor with the big channel width as a program select device. Blowing of the proposed cell is done through the parasitic junction formed in the NMOS transistor in the program mode. Sensing failures of '0' data are removed because of removed contact voltage drop of a diode since a NMOS transistor is used instead of the junction diode in the read mode. In addition, a problem of being blown for a non-blown eFuse from a read current through the corresponding eFuse OTP cell is solved by limiting the read current to less than $100{\mu}A$ since a voltage is transferred to BL by using an NMOS transistor with the small channel width in the read mode.

      • SCOPUSKCI등재

        고선택비 인산공정에서의 식각율 향상과 SiO<sub>2</sub> 재성장에 관한 연구

        이승훈,모성원,이양호,배정현,Lee, Seunghoon,Mo, Sungwon,Lee, Yangho,Bae, JeongHyun 한국재료학회 2018 한국재료학회지 Vol.28 No.12

        To improve the etch rate of $Si_3N_4$ thin film, $H_2SiF_6$ is added to increase etching rate by more than two times. $SiO_3H_2$ is gradually added to obtain a selectivity of 170: 1 at 600 ppm. Moreover, when $SiO_3H_2$ is added, the etching rate of the $SiO_2$ thin film increases in proportion to the radius of the wafer. In $Si_3N_4$ thin film, there is no difference in the etching rate according to the position. However, in the $SiO_2$ thin film, the etching rate increases in proportion to the radius. At the center of the wafer, the re-growth phenomenon is confirmed at a specific concentration or above. The difference in etch rates of $SiO_2$ thin films and the reason for regrowth at these positions are interpreted as the result of the flow rate of the chemical solution replaced with fresh solution.

      • SCOPUSKCI등재

        유기용제 취급자들에게 정신증상

        이승훈,윤능기,이종영,서석권,Lee, Seoung-Hoon,Yoon, Nung-Ki,Lee, Jong-Young,Suh, Suk-Kwon 대한예방의학회 1992 예방의학회지 Vol.25 No.1

        유기용제를 취급하는 작업장의 근로자들의 정신증상의 양상과 정신증상에 관련된 요인을 조사하기 위하여 모 화학섬유공장에서 유기용제를 취급하는 42명의 폭로군과 일반사무직에 종사하는 96명을 비폭로군으로하여 환자 대조군 연구를 시행하였다. 정신증상은 일반 건강설문지(general health questionnaire 28 : GHQ28)로 평가하였고, 대상자들의 사회경제학적인 변수와 유기용제에 대한 폭로정도를 알기위한 지표로서 근무기간과 톨루엔의 요중 대상물인 마뇨산을 측정하였다. 폭로군은 마뇨산농도의 평균과 표준편차가 $2.953{\pm}1.496g/creatinine\;g$(범위:$1.06{\sim}7.67$)이었고 비폭로군은 $0.395{\pm}0.128g/creatinine\;g$(범위:$0.11{\sim}0.71$)으로 폭로군은 비폭로군 보다 통계적으로 유의하게 높았다(P<0.01). 전 문항의 증상 호소율은 폭로군은 27.1%이었고, 비폭로군이 17.2%로서 폭로군의 호소율이 비폭로군보다 유의하게 높았다(P<0.05). 항목별로는 폭로군의 경우 신체화 증상이 34.7%의 호소율로 가장 높았고 다음으로 불안증, 사회적 적응장해, 우울증의 순위로 나타났으나, 비폭로군에서는 사회적 적응장해의 호소율이 21.7%로 가장 높았고 불안증, 우울증, 신체화증상의 순위로 나타났으며, 신체화증상과 불안증의 호소율에서 폭로군이 비폭로군보다 통계적으로 유의하게 높았다(P<0.05). 전체문항 중 6문항이상의 증상이 있었던 감정부전 상태(dysthymic state)는 폭로군이 64.3%로, 비폭로군의 37.5%보다 통계적으로 유의하게 높았으며(P<0.01), 나이, 성, 보수, 근무기간 및 교육수준을 통제한 후에도 두 군사이의 정신증상에 대한 총점수는 통계적으로 유의한 차이가 있었다(P<0.01). 통제변수들 중에서는 보수만이 정신증상에 영향을 미치는 통계적으로 유의한 변수였다(P<0.05). 폭로군에서 폭로정도와 관련된 변수로서 근무기간은 길수록 그리고 요중 마뇨산의 농도는 높을수록 즉, 고농도의 유기용제에 폭로될 수록 폭로군의 정신증상에 영향을 미치는 위험요인으로 작용하는 경향이 있었으나 통계적으로 유의하지는 않았다. 앞으로 유기용제 폭로군에 대한 보다 정확한 정신증상의 평가와 함께 본 연구에서 조사되지 않은 다른 사회과학적인 변수들을 고려하여 지속적인 연구가 필요하다고 생각된다. To assess the pattern of psychiatric symptoms and to evaluate the relationship between exposure related variables(duration of work and urinary hippuric acid concenturation) and psychiatric symptoms in organic solvent exposed workers, case control study of forty-two solvent exposed workers and ninethy-six non-exposed workers was conducted. The general health questionnaire 28(GHQ28) was administered to evaluate psychiatric symptoms and urinary hippuric acid concenturations was measured to estimate the present status of solvent exposure in exposed group and to estimate normal level in non-exposed group. The mean concenturation of urinary hippuric acid was significantly higher in exposed group (2.953g/creatinine g) than non-exposed group(0.395g/creatinine g) (P<0.01). The total positive rates of symptoms were significantly higher in exposed group(28.2%) than non-exposed group(17.5%)(P<0.05). The positive rates of symptoms for four sub-scales of GHQ28 in exposed group were in the order of somatic symptoms, anxiety, social dysfunction, depression and in the order of social dysfunction, anxiety, depression, somatic symptoms in non -exposed group. The positive rates of symptoms for somatic symptoms and anxiety were significantly higher in exposed group than non-exposed group (P<0.05) and the proportion of workers with six or more positive symptoms(dysthymic states) in exposed group were significantly higher than non-exposed group (P<0.01). After the effect of age, sex, level of income, level of education, and duration of work were controlled, the total score of GHQ28 was still significantly different between exposed and non-exposed group(P<0.01). In multipile logistic regression analysis on the dysthymic state, the odds ratio of level of income was statictically significant in both group. The odds ratios of exposure related variables such as duration of work and hippuric acid concenturations were not statistically significant but there was a tendency that exposure related variables had an affect on dysthymic state in exposed group. In future, continuous evaluation of psychiatric symptoms on organic solvent exposed workers and studies to detect the factors that affect on psychiatric symptoms are required.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼