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- 저자 : 이득진(Deuk-Jin Lee) (검색결과 6 건)
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증착방법에 따른 Al 피막의 증착율 및 증기분포에 관한 연구
정재인(Jae-In Jeong),정우철(Woo-Chul Jung),손영호(Young-Ho Son),이득진(Deuk-Jin Lee),박성렬(Serng-Yerl Park) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
진공증착 및 이온플레이팅 방법을 이용하여 냉간 압연된 강판상에 알루미늄 피막을 형성시킨 후, 증 발율 및 증기분포 변화를 측정하고 각 증착방법에서의 증발율에 따른 증기분포 변화를 비교 및 검토하였다. 본 실험에서의 이온플레이팅은 증발원 근처에 이온화전극을 설치하는 방법으로 고전류 아크 방전을 유도하여 10^(-4) Torr 이하에서도 기존의 이온플레이팅에 비해 높은 이온화율을 얻을 수 있는 아크방전 유도형 이온플레이팅(Arc-induced Ion Plating; AIIP) 방법을 이용하였다. 전자빔을 이용하면서 알루미나 크루시블을 사용하여 알루미늄을 증발시킬 경우 분당 2.0 ㎛이상의 높은 증발율을 얻을 수 있었으며, 이온플레이팅의 경우 이온화된 증기의 상호작용에 따른 산란 효과로 증발율이 다소 낮아짐을 알 수 있었다. cos^nφ로 이루어지는 증기분포의 결정인자(n)의 값이 진공증착의 경우는 1에 근접하는 것으로 나타났고 AIIP의 경우는 2 또는 그보다 더 큰 값으로 이루어지는 것을 확인하였다. 이로부터 이온플레이팅의 경우 이온화율 또는 기판 바이어스 전압의 효과가 다른 조건에 비해 증기분포에 더 크게 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. Al films on cold-rolled steel sheet have been prepared by vacuum evaporation and arc-induced ion plating, respectively, and the evaporation rate and vapor distribution (thickness distribution over the substrate) have been investigated according to deposition conditions. The arc-induced ion plating (AIIP) method have been employed, which makes use of arc-like discharge current induced by ionization electrode located near the evaporation source. The AIIP takes advantage of high ionization rate compared with conventional ion plating, and can be carried out at low pressure of less than 10^(-4) torr. Very high evaporation rate of more than 2.0 ㎛/min could be achieved for Al evaporation using alumina liner by electron beam evaporation. The geometry factor n for the cos^nφ vapor distribution, which affects the thickness distribution of films at the substrate turned out to be around 1 for vacuum evaporation, while it features around 2 or higher for ion plating. For the ion plated films, it has been found that the ionization condition and substrate bias are the main parameters to affect the thickness distribution of the films.
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알칼리금속이 흡착된 Si(111)7×7 계의 초기 산화 과정 연구
황찬국(Chan-Cuk Hwang),안기석(Ki-Seok An),김정선(Jeong-Seon Kim),박래준(Rae-Jun Park),이득진(Deuk-Jin Lee),장현덕(Hyun-Duck Jang),박종윤(Chong-Yun Park),이순보(Soon-Bo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
X-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy: XPS)과 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~500℃)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7×7 표면의 초기 산화 과정에 대하여 연구하였다. 상온에서, Si(111)7×7 표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7×7 표면에 비해 산소의 초기 부착 계수 (initial sticking coefficient)와 산소의 포화량이 증가하는 반면 0.5ML 이하의 AM이 흡착된 경우는 깨끗한 Si(111)7×7 표면에 비하여 초기 부착 계수는 증가하지만 산소의 포화량은 증가하지 않았다. Si(111)7×7-AM 표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O Is 스펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7×7 표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며 이중에서 AM-O 결합의 산화과정상에서의 역할에 대하여 논의하였다. 상온과는 달리 고온에서는, Si(111)3×1-AM 표면으로 구조가 변화하면서 산소의 흡착이 급격히 떨어지는 것을 관측할 수 있었다. 이때 3×1-AM 표면을 형성시키는 AM 종류의 산화에 대한 의존성을 살펴보았다. We have studied initial oxidation of the alkali metal(AM)/Si(111) surface using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and reflection high energy electron diffraction(RHEED) at room temperature(RT) and high temperature(HT)(300~500℃). The oxidation of the Si(111)7×7 surface was promoted by the adsorption of 1 monolayer(ML) AM, whereas no promotion occurred for submonolayer(< 0.5 ML) adsorbed Si(111)7×7 surface at RT. 0 Is core level spectra were measured with increasing oxygen exposure. It was found that the oxygen adsorbed on the Si(111)7×7-AM surface have two different bond configurations, Si-O and AM-O, respectively. From these results, we discussed the role of AM-O bonding in the promoted oxidation. At HT(300~500℃), the AM-adsorbed surface became very inactive with the structural transformation to the 3×1-AM. We present the results of the oxidation of the Si(111)3×1-AM(Na, K, Cs) surface.
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Na/Si(111)계의 초기 산화과정에 대한 XPS 연구
이득진,안기석,황찬국,장현덕,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1995 論文集 Vol.46 No.1
X-선광 전자분광법을 이용하여 Na의 흡착에 의해 형성되는 Si(111)7×7-Na과 Si(111)3×1-Na 표면의 초기 산화과정에 대하여 연구하였다. Si(111)7×7-Na 표면은 깨끗한 Si(111)7×7 표면에 비하여 산화가 더욱 잘 일어나지만, Si(111)3×1-Na의 경우 산소와 거의 반응하지 않음을 알 수 있다. 또한 Si(111)7×7 표면과는 달리, Si(111)7×7-Na 표면에 1 ML의 Na를 흡착시키고 산소를 100L 노출한 경우 0 ls 내각 스펙트럼에 두 종류의 산소성분이 존재를 함을 알 수 있다. 산소의 노출량이 증가함에 따라 낮은 운동에너지 성분의 세기는 계속 증가를 하지만, 높은 운동에너지 쪽의 성분은 초기에 포화되었다. 이러한 0 ls 내각 스펙트럼의 변화와 Na KLL Auger peak intensity 증가로부터 Si(111) 7×7-Na 표면에 흡착되는 산소는 Si-0-Si, 그리고 Si-0-Na 두가지의 결합형태로 존재함을 예상 할 수 있다. 또한, Si(111)7×7-Na 표면에 주입되는 산소 노출량이 증가함에 따른 Na KLL Auger peak intensity가 증가하는 현상에 대하여 논의하였다. The initial oxidation of Si(111)7×7-Na and Si(111)3×1-Na surfaces have been studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The Si oxidation rate of Si(111)7×7-Na surface was much enhanced more than that of the clean Si(111)7×7, but the Si(111)3×1-Na surface hardly reacted with oxygen. It shows that 0 1s peak of the Si(111)7×7-Na surfaces for 100L O_2 exposure consists of two components, coming from a different oxygen bonding configuration. From the change in intensity of two component of 0 ls and the increase of Na KLL peak intensity with increasing O_2 exposure, it is found that one component originates from Si-0-Si bonding at the lower kinectic energy and the other component comes from the Si-0-Na bonding at higher kinectic energy. Also, we have discussed a possible interpretation for the abnormally increase of Na KLL peak intensity.
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Cs이 흡착된 Si(111)7×7 표면의 초기 산화과정 연구
황찬국,안기석,이득진,장현덕,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1995 論文集 Vol.46 No.1
X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 상온에서 Cs이 1ML 흡착된 Si(111)7 × 7 표면의 초기 산화과정에 대하여 연구하였다. 산소의 주입량과 Cs의 흡착량의 변화에 따른 0 1s, Cs 3d_(5/2), 그리고 Si 2p 스펙트럼의 변화를 관측하였다. 이러한 측정결과, 표면에 흡착되는 산소량은 Cs의 임계피복량(약 0.5ML)이상에서 급격한 증가를 보임을 알 수 있다. 따라서 Si(111) 7 × 7-Cs 표면의 산화과정은 non-local mechanism을 따르는 것으로 이해할 수 있다. 또한 0 1s 스펙트럼에 서로 다른 chemical environment를 가진 두 종류의 산소 성분이 존재하는 것을 알수 있다. 이러한 두 종류의 0 1s 성분중 높은 운동에너지 성분의 세기는 Cs 흡착량에 의존하며 낮은 운동에너지 성분은 Cs이 완전히 탈착된 후에도 남아있다. 그리고 산소 주입량이 증가함에 따라 Si 2p peak의 세기는 감소하는 반면 Cs 3d_(5/2) peak의 세기는 거의 일정하다. 이러한 결과로부터 Si(111) 7 × 7 표면에 주입되는 산소원자는 Si-0-Si, Si-0-Cs 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 예상된다. We have studied initial oxidation of Cs-adsorbed Si(111)7×7 surface using X-ray photoelectron spectroscopy at room temperature. It was measured that the changes of 0 1s, Cs 3d_(5/2) and Si 2p spectrum with increasing O_2 exposure and Cs deposition time, respectively. The 0 1s/Si 2p peak intensity ratio rapidly increased at 0.5ML Cs coverage, which means that the non-local mechanism is favored on the Cs-promoted oxidation. The 0 1s peak observed consists of two chemical-shifted components. The 0 1s peak intensity of high kinetic energy component depended on the Cs coverage while low kinetic energy component still remained after complete Cs desorption. The Cs 3d_(5/2) peak intensity was nearly constant, though the Si 2p peak intensity decreased with increasing O_2 exposure. These results suggest that oxygen atoms adsorbed on the Si(111)7×7 surface have two different bond configurations such as Si-O-Si, Si-O-Cs.
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