http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 박홍이(H. L. Park) (검색결과 6 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
연속 파장 가변시 현상론적인 비 선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향
이석,박노헌,박홍이,최원준,한일기,이정일,강광남,Lee, S.,Park, N.,Park, H. L.,Choi, W. J.,Han, I. K.,Lee, J. I.,Kang, K. N. 한국광학회 1993 한국광학회지 Vol.4 No.3
현상론적인 비 선형 이득 포화 효과가 연속 파장 가변시 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향을 이론적으로 분석하였다. 수동 부분에 전류 주입의 증가에 따라 FM 효율, 3dB 대역폭, 공명 주파수는 감소하지만, flat FM응답은 증가한다. 비 선형 이득 포화 효과는 FM/IM응답, 3dB 대역폭, 공명 주파수, chirping-to-modulation-power ratio 등 변조 특성에 커다란 영향을 미치지만, 연속 파장 가변에 의한 변조 특성에는 영향을 미치지 않는다. Phenomenological nonlinear gain saturation effect on the modulation characteristics in a multi-electrode DBR laser, when the lasing wavelength changes, continuously is analized theoretically. FM efficiency, 3 dB bandwidth, and resonance frequency decrease with increasing bias current to the passive section, except increasing the flat FM response. It is found that the nonlinear gain saturation effect severely affects the modulation characteristics such as FM/IM response, 3 dB bandwidth, resonance frequency and CPR, but hardly affects the behavior of continuous frequency tuning.
-
박막 형광체 ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP>의 RF Magnetron Sputtering법을 이용한 생장
김종수(J. S. Kim),이성훈(S. H. Lee),박재홍(J. H. Park),박형원(H. W. Park),최진철(J. C. Choi),박홍이(H. L. Park) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
RF magnetron sputtering법을 이용하여 quartz 기판 위에 spinel 구조의 ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP> 박막 형광체를 상온에서 증착 하였다. 후 열처리 온도에 따라 박막의 결정성, 표면 거칠기와 조성비가 변하였으며 이는 박막 형광체의 발광특성에 영향을 주었다. 후 열처리 온도가 500 ℃에서 900 ℃로 올라감에 따라, 후 열처리 온도가 700 ℃일 때 가장 낮은 수치의 표면 거칠기를 보였고 이로 인한 낮은 외부 양자 효율로 인하여 발광특성이 좋지 않았다. 후 열처리 온도가 800 ℃일때 결정화 정도가 좋았으며 적당한 표면 거칠기와 화학적 조성비로 인해 최적의 발광특성을 보였다. 반면 후 열처리 온도가 900 ℃일 때 결정성은 가장 좋았으나 Zn의 높은 증기압으로 인한 화학적 조성비의 깨짐으로 발광특성이 좋지 못하였다. Thin-film ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP> phosphors of spinel structure were grown on quartz substrate by RF magnetron sputtering method at room temperature. As an increase of post-annealing temperatures, crystallinity, surface roughness and stoichiometry of thin films were varied. At the post-annealing temperatures of 500 ℃ and 600 ℃, the luminescence intensity was poor due to the poor crystallinity. The smallest surface roughness was observed at the sample post-annealed at 700 ℃ leading to low external extraction efficiency, and poor luminescence intensity. The highest luminescence intensity was shown at the sample post-annealed at 800 ℃. It was because both the surface roughness and crystallnity were optimized. On the other hand, at 900 ℃, the luminescence intensity was poor due to the violation of stoichiometry.
-
윤창선(C. S. Yoon),노정숙(J. S. Ro),정상조(S. J. Chung),진문석(M. S. Jin),박홍이(H. L. Park),송호준(H. J. Song),김화택(W. T. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.4
TlGaSe₂:Ho 결정에 대한 간접전이 에너지간격의 온도의존성은 각각 1차 상전이와 2차 상전이에 상당하는 100K와 108K에서 변칙특성을 보여주었다. TlGaSe₂:Ho 결정에서 Ho^(3+) 이온에 기인된 5^I_8→5^I_7과 5^I_8→5^F_5의 두 광학적 전이가 광흡수와 광전도도 스펙트라로부터 관측되었다. TlGaSe₂와 TiGaSe₂:Ho 결정의 열자극 전류로부터 고유결함과 Ho 불순물에 관련된 양공 덫을 발견하였다. The temperature dependence of the indirect energy gap of TlGaSe₂:Ho crystals showed anomalies at 100 K and 108 K corresponding to first-order and second-order phase transitions (PTI), respectively. Two optical transitions of 5^I_8→5^I_7 and 5^I_8→5^F_5 due to HO^(3+) ions are observed from optical absorption and photoconductivity spectra of TlGaSe₂:Ho crystals. From the thermally stimulated current (TSC) of TlGaSe₂ and TlGaSe₂:Ho crystals, hole traps related to the intrinsic defect and Ho impurity are observed.
-
GaAs (001) 기판 위에 분자선 에피텍시 방법으로 성장시킨 Cd_(x)Zn_(1-x)Te 에피층에서의 CuPt형 규칙상에 대한 고찰
이호성,이정용,김태환,권명석,박홍이 대한금속재료학회 2004 대한금속·재료학회지 Vol.42 No.12
We have studied an atomic ordering and ordered domains in Cd_(x)Zni_(1-x),Te epilayers grown by molecular beam epitaxy on ZnTe buffer layers. The composition of Cd_(x)Zni_(1-x)Te thin films was determined by X-ray diffraction patterns using the Vegard's law. Selected area electron diffraction pattern and high-resolution transmission electron microscopy measurements were performed in order to investigate the ordered structure and ordered domains in Cd_(x)Zni_(1-x),Te thin films. The strong contrast modulations along the [001] direction parallel to the growth direction were observed in samples with composition x = 0.15~0.76. A superstructure reflection spots corresponding to a CuPt-type ordering were observed. Ordered domain regions were randomly distributed in Cd_(x)Zni_(1-x),,Te thin films. A possible atomic arrangement of and a formation mechanism for the CuPt-type ordered structure in the Cd_(x)Zni_(1-x);Te epitaxial layer are presented based on the TEM results. These results provide important information on the microstructural properties for enhancing efficiencies of the devices operating at the blue-green region of the spectrum. (Received July 12, 2004)
-
장민수,박홍이,노지현,진병문,심윤보 부산대학교 물성연구소 1986 물성연구소연구논문집 Vol.5 No.-
강탄성 BiVO₄분말은 고상반응시켜서 제작하였으며, 원료 분말의 화학 반응 상태는 X-ray 회절 방법으로 확인했다. Czochralski 방법에 의하여 이 물질의 단결정을 육성하였으며 상전이점은 유전 상수의 온도 변화에 의하여 조사되었다. Ferroelastic BiVO₄has been synthesized through the conventional solid state reaction technique. Its phase and reaction mechanism are investigated by the X-ray diffraction method. The single crystals of BiVO₄have been grown by Czochralski method along with the optimum conditions. The phase transition of BiVO₄was observed through the temperature dependent dielectric constant measurements.
-
Yun, S.I.,Yun, B.K.,Moon, B.K.,Seo, H.G.,Park, H.L. 부산대학교 물성연구소 1986 물성연구소연구논문집 Vol.5 No.-
비방사과정에 의해 발행하는 열을 음파로 바꾸어 마이크로폰으로 검출하는 광음향법을 실리콘 태양전지에 적용하여 태양전지의 전기에너지 반환효율과 양자효율을 측정했다. 이 방법에서는 입사광의 세기, 태양전지의 유효면적등을 측정하지 않고도 에너지 변화효율을 얻을 수 있다. 태양전지가 개회로 상태에 있을 때에는 전기에너지 출력이 없기 때문에 받아들인 에너지 전부가 열에너지로 바꾸어지지만 부하가 걸리면 전기에너지 출력이 있어 발생하는 열이 감소된다. 따라서 개회로 때와 부하가 있을 때의 광음향신호의 세기가 달라진다. 이와같은 원리가 에너지변화효율 측정에 사용되었다. 입사광의 세기에 따른 에너지 변환효율 및 양자효율, 입사광의 파장에 따른 에너지 변화효율 및 양자효율등을 측정했다. The photoacoustic technique for the measurement of energy conversion efficiency and quantum efficiency of photovoltaic processes is studied, using a Si solar cell as the sample. The most significant advantage of this method over the conventional method is the capability of determining intrinsic energy conversion efficiency and quantum efficiency of the solar cell without knowlege of the irradiance or the number of photons irradiated and/or absorbed.
DBpia
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
