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          Campylobacter fetus Subspecies jejuni에 관한 고찰

          김대근 ( Dae Keum Kim ), 박종윤 ( Jong Yoon Park ), 이상열 ( Sang Youl Lee ), 박종암 ( Chong Ahm Park ), 김경숙 ( Kyung Suk Kim ), 윤현정 ( Hrun Jung Yun ) 대한임상검사과학회 1982 대한임상검사과학회지(KJCLS) Vol.14 No.1

          Campylobacter fetus subsp. jejuni was lsolated from clinical material (stool, rectal swab) at HanYang University Hospital during the period of November 1981 to June 1982. Result obtained are as follow 1. The number of organisms identied as C. fetus Subsp. jejuni was 18(5.4%) from 332 specimens. They are all from the diarreal patients under the age of 2 years old. 2. Susceptibtlity to antibiotics of these strains revealed Amikacin 100%, Gentamicin 100%, Chloramphenicol 95%, Tobramycin 95%, Minocyclin 95% and Kanamycin 78%. 3. C. fetus subsp. jejuni was not isolated from the adult specimens.

        • KCI우수등재

          알칼리금속이 흡착된 Si(111)7×7 계의 초기 산화 과정 연구

          황찬국(Chan-Cuk Hwang), 안기석(Ki-Seok An), 김정선(Jeong-Seon Kim), 박래준(Rae-Jun Park), 이득진(Deuk-Jin Lee), 장현덕(Hyun-Duck Jang), 박종윤(Chong-Yun Park), 이순보(Soon-Bo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2

          X-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy: XPS)과 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~500℃)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7×7 표면의 초기 산화 과정에 대하여 연구하였다. 상온에서, Si(111)7×7 표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7×7 표면에 비해 산소의 초기 부착 계수 (initial sticking coefficient)와 산소의 포화량이 증가하는 반면 0.5ML 이하의 AM이 흡착된 경우는 깨끗한 Si(111)7×7 표면에 비하여 초기 부착 계수는 증가하지만 산소의 포화량은 증가하지 않았다. Si(111)7×7-AM 표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O Is 스펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7×7 표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며 이중에서 AM-O 결합의 산화과정상에서의 역할에 대하여 논의하였다. 상온과는 달리 고온에서는, Si(111)3×1-AM 표면으로 구조가 변화하면서 산소의 흡착이 급격히 떨어지는 것을 관측할 수 있었다. 이때 3×1-AM 표면을 형성시키는 AM 종류의 산화에 대한 의존성을 살펴보았다. We have studied initial oxidation of the alkali metal(AM)/Si(111) surface using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and reflection high energy electron diffraction(RHEED) at room temperature(RT) and high temperature(HT)(300~500℃). The oxidation of the Si(111)7×7 surface was promoted by the adsorption of 1 monolayer(ML) AM, whereas no promotion occurred for submonolayer(< 0.5 ML) adsorbed Si(111)7×7 surface at RT. 0 Is core level spectra were measured with increasing oxygen exposure. It was found that the oxygen adsorbed on the Si(111)7×7-AM surface have two different bond configurations, Si-O and AM-O, respectively. From these results, we discussed the role of AM-O bonding in the promoted oxidation. At HT(300~500℃), the AM-adsorbed surface became very inactive with the structural transformation to the 3×1-AM. We present the results of the oxidation of the Si(111)3×1-AM(Na, K, Cs) surface.

        • KCI등재

          수학자 보재 이상설(李相卨)의 근대자연과학 수용 -『백승호초(百勝胡艸)』를 중심으로-

          이상구 ( Sang Gu Lee ), 박종윤 ( Chong Yun Park ), 김채식 ( Chae Sik Kim ), 이재화 ( Jae Hwa Lee ) 한국수학교육학회 2013 수학교육논문집 Vol.27 No.4

          본 논문은 한국 근대수학교육의 아버지 이상설(李相卨, 1870-1917)이 자연과학―물리학―에 기여한 내용을 다루고있다. 이상설은 ?수리(數理)?를 쓴 시기를 전후하여, 같은 시기에 붓으로 총 8면에 걸쳐 『백승호초(百勝胡艸)』라는이름의 고전물리학 원고를 써서 남겼다. 분석결과 이 책의 원전은 1879년에 동경제대 의학부 교재로 발간된 『물리학(物理學)』이다. 이상설은 『백승호초』에서 먼저 개념을 정의하고, 일상에서 나타난 대표적 현상을 선록하여 한문으로번역하였고, 『물리학』의 전체 분량에서도 특히 ‘통유성(通有性)'에 중점을 두고 설명하였다. 동양에서 서양의 수리과학이 들어와야만 말할 수 있는 ‘질량보존의 법칙', ‘타성(惰性, 관성)'과 같은 고전물리학의 중요개념을 포함하는 내용이 19세기 말에 이미 이 책에 소개된 것으로 보아 이상설은 당대의 다른 저술에서 보기 힘들 정도로 당시 일반물리학의 최고수준의 원서를 통해 최신 정보를 수용하고 전파하기 위하여 노력하였음을 볼 수 있다. Sang-Seol Lee(1870-1917) wrote a manuscript BaekSeungHoCho(百勝胡艸) in the late 19th century. BaekSeungHo-Cho was transcribed in classical Chinese from the 1879 Japanese book Physics(物理學) by Teizo Ihimori (1851-1916). Sang-Seol Lee, a famous independence activist, is also called Father of the Modern Mathematics Education of Korea,because of his early contribution to the modern mathematics education in the 19th century. In this paper, we introduce contents of his manuscript BaekSeungHoCho for the first time and discuss the significance of this book. Also, we show his constribution on the introduction to modern physics in the late 19th century Korea.

        • KCI우수등재

          회전날개주위 분자천이유동의 수치해석방법에 관한 연구

          허중식(Joong-Sik Heo), 황영규(Young-Kyu Hwang), 박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.2

          하이브리드형 분자펌프를 구성하고 있는 원판형의 드래그펌프에 대하여 DSMC 수치해석을 이용한 성능해석을 수행하였다. 원판형위에 형성되어 있는 유로상의 기체유동은 3차원의 분자천이영역에 놓이게 된다. 상대적회전좌표계를 택하였기 때문에 분자 각각은 직선적이 아닌 곡선운동을 하게 된다. 따라서 본 연구에서는 코리올리스힘과 원심력을 포함한 미분방정식을 적분함으로써 분자 개개의 곡선궤적을 구하였다. 수 치해석시 분자충돌과정은 null-collision기법과 VSS(variable soft sphere)모델을 이용하여 계산하였으며, 이전의 선행연구와 비교한 결과 큰 차이를 보여주었다. 이것은 출구로 부터의 분자들의 역류에 의해 펌핑유로가 매우 제한되어지기 때문이며, 이러한 현상은 기존연구에서는 나타나지 않았다. Pumping performance of a disk-type molecular drag pump for a hybrid molecular pump is numerically analyzed by the direct simulation Monte-Carlo method. The flows in pumping channels are three-dimensional (3D) in a molecular transition regime. The main difficulty in modeling a 3D case comes from the rotating frame of reference. Thus, trajectories of particles are no longer straight lines. In the present study, trajectories of particles are calculated by integrating a system of differential equations including the Coriolis and centrifugal forces. The null-collision technique with a variable soft sphere molecular model is used for calculation of molecular collisions. The present numerical results significantly disagree with the previously known ones. This indicates that an actual pumping passage is very limited to a narrow region due to the significant backstreaming of molecules from the outlet.

        • KCI우수등재

          RHEED 장치의 제작과 K, Cs / Si(111) 계에 관한 연구

          이경원(Kyung-Won Lee), 안기석(Ki-Seok An), 강건아(Kun-A Kang), 박종윤(Chong-Yun Park), 이순보(Soon-Bo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

          표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계ㆍ제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20 keV까지 연속가변이 가능하도록 하였으며 전자선의 집속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다.<br/> 깨끗한 Si(111)7×7 표면을 가지는 기판의 온도를 상온 및 200℃~700℃에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7×7-K, 300℃~550℃에서 3×1 및 550℃ 이상에서 1×1 구조가 관측되었고, Cs의 경우는 상온에서 250℃까지는 1×1, 300℃에서 √3×√3, 350℃~400℃에서 √3×√3+3×1 구조가 관측되었다. RHEED apparatus which is one of the systems of surface structure analysis has been constructed. Electron beam is focused by means of magnetic lens, and the beam divergence is about 1×11^(-3) rad. The Acceleration voltage of this RHEED apparatus is continuously variable from 0 to 20㎸. K and Cs-adsorbed structures on Si(111)7×7 surface at room and high temperatures(200×700℃) have been investigated by RHEED. It is observed that the K and Cs-adsorbed Si(111)surface structures at saturation coverage are Si(111)7×7-K and Si(111)l×1-Cs at room temperature, respectively. When the specimen temperature was elevated during evaporation, the 3×1 structure appears in the range of temperature between 300℃ and 550℃, and the 1×1 structure appears above 550℃ in K/Si(111) system. Also, in Cs/Si(111) system the √3×√3structure appears at 300℃, and the √3×√3+3×1 structure appears between 350℃ and 400℃.

        • KCI우수등재

          다양한 흡착자에 의한 Si(113)3×2 표면의 상변화 연구

          김학수(Hak-Su Kim), 황찬국(Chan-Cuk Hwang), 김용기(Yong-Ki Kim), 김정선(Jeong-Seon Kim), 박종윤(Chong-Yun Park), 김기정(Ki-Jeong Kim), 강태희(Tae-Hee Kang), 김봉수(Boong-Soo Kim) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)

          전자회절법을 이용하여 K 및 다양한 흡착자에 의한 Si(113)3×2 표면의 상변화를 관찰하였으며 광전자분광법을 이용하여 산소 노출량에 따른 가전자대 빛 내각준위스펙트럼을 관찰하였다. 산소 흡착에 의해 가전자대의 표면상태가 내각준위에서 관찰되는 두 피크(S1, S2)와 동시에 사라지면서 3×1 주기성을 보였다. 특히 이러한 변화가 동종물질인 실리콘 증착에서도 관찰되었으며 후열처리에 의해 3×2 주기성으로 환원되는 것으로 미루어 Si(113)3×2 표면의 3×1으로의 초기 상전이가 실리콘표면의 흡착자에 의해서 형성된 것이 아니며 기판 자체의 재배열과 관련되어 있음을 확인하였다. The phase transition on the surface which several adsorbates(K, Mg, etc.) are deposited was observed by Low Energy Electron Diffraction (LEED) and Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). We took the photoelectron spectra from the valence and core level at several oxygen exposure. For oxygen adsorption, the surface state in valence spectra diminished concurrently with S1, S2 peaks in core level spectra and surface periodicity turned to 3×1. Especially even on the Si-deposited surface the same result was observed. The surface is recovered to 3×2 by post-annealing. These results suggest that the phase transition from 3×2 to 3×1 on the Si(113) at initial stage is induced by a rearrangement of atoms on the substrate, not by the formation of overlayer.

        • KCI우수등재

          절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구

          양지훈(Ji Hoon Yang), 문병식(Byung-Sik Moon), 김관표(Kwan Pyo Kim), 김종걸(Chong Geol Kim), 정동근(Donggeun Jung), 노용한(Yonghan Roh), 박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)

          CeO₂/Si 표면에 실리콘의 성장 과정을 연구했다. 실리콘 박막은 전자빔 증착 방법을 사용해 증착되었다. CeO₂ (111) 박막은 700℃의 증착 온도, 5×10^(-5) Torr의 산소 부분압에서 (111)방향의 실리콘웨이퍼 위에 적층 성장하였다. CeO₂/Si위의 실리콘 박막의 적층 성장 조건을 조사하기 위해 여러 온도에서 실리콘을 증착했다. 상부 실리콘은 x-ray diffraction(XRD), double crystal x-ray diffraction(DCXRD), 그리고 transmission electron microscopy(TEM)으로 분석하였다. 690℃보다 높은 증착 온도에서는 CeO₂에서 해리된 산소와 실리콘이 화학적 반응을 일으켜 Si/CeO₂의 계면에서 SiO₂층이 성장하는 것을 관찰했다. 620℃에서 CeO₂/Si 표면에 실리콘을 증착 했을 때 실리콘 박막이 (111)방향을 따라 적층 성장하였다. We have investigated the growing process of a silicon film on the CeO₂/Si surface. The silicon was deposited by using electron beam deposition method. The CeO₂ (111) film was grown on a (111)-oriented silicon substrate at 700℃ at oxygen partial pressure of 5×10^(-5) Torr. To investigate the condition of epitaxial growth of Si films on the CeO₂/Si substrate, we deposited Si at various temperatures. The overlayer silicon was characterized by using x-ray diffraction (XRD), double crystal x-ray diffraction (DCXRD), and transmission electron microscopy (TEM). At temperature higher than 690℃, SiO₂ layer was observed at the Si/CeO₂ interface, which was formed by chemical reaction with silicon and oxygen dissociated from CeO₂. When silicon was deposited on the CeO₂/Si at 620℃, silicon grew epitaxially along the (111)-direction.

        • KCI등재

          니켈 (111)과 (100) 결정면에서 성장한 그래핀에 대한 라만 스펙트럼 분석

          정대성 ( Daesung Jung ), 전철호 ( Cheolho Jeon ), 송우석 ( Wooseok Song ), 안기석 ( Ki-seok An ), 박종윤 ( Chong-yun Park ) 한국복합재료학회 2016 Composites research Vol.29 No.4

          이차원 구조의 탄소 결합체인 그래핀은 뛰어난 물리적, 화학적 특성으로 인해 미래 전자 소자의 소재로 크게 각광을 받고 있는 물질이다. 따라서, 소자에서 사용된 기판이 그래핀의 물리적 특성에 끼치는 영향에 대한 이해는 그래핀의 응용에 있어서 필수적이며, 그에 대한 연구를 수행하였다. 니켈 (111)과 (100) 결정면에서 각각 성장한 그래핀과 니켈 기판의 상호작용에 대한 연구를 수행함과 동시에, 산화규소 기판으로 전사한 후, 기판과 그래핀과의 상호작용을 라만 분광법을 이용하여 연구하였다. 니켈 기판에서 성장한 그래핀은 기판의 면 방향과 상관없이 기판으로부터 전하의 이동에 따른 도핑효과는 발견되지 않았으며, 산화규소 기판 또한 도핑효과는 없었다. 니켈 기판과 그래핀 사이의 결합력이 그래핀과 산화규소 기판과의 결합력합보다 더 큰 것으로 분석이 되었으며, 니켈에서 성장한 그래핀은 기판의 영향을 받아 수축되어 있었고, 니켈 (100) 면에서는 그래핀이 엇맞음 성장 하였음을 확인하였다. 마지막으로, 니켈 (111), (100) 면에서 성장한 그래핀을 산화 규소 기판으로 전사하면 서로 다른 파수 값에서 2D band의 픽이 관측되었다. A graphene film, two-dimensional carbon sheet, is a promising material for future electronic devices and so on. In graphene applications, the effect of substrate on the atomic/electronic structures of graphene is significant, so we studied an interaction between graphene film and substrate. To study the effect, we investigated the graphene films grown on Ni substrate with two crystal face of (111) and (100) by Raman spectroscopy, comparing with graphene films transferred on SiO<sub>2</sub>/Si substrate. In our study, the doping effect caused by charge transfer from Ni or SiO<sub>2</sub>/Si substrate to graphene was not observed. The bonding force between graphene and Ni substrate is stronger than that between graphene and SiO<sub>2</sub>/Si. The graphene films grown on Ni substrate showed compressive strain and the growth of graphene films is incommensurate with Ni (100) lattice. The position of 2D band of graphene synthesized on Ni (111) and (100) substrate was different, and this result will be studied in the near future.

        • KCI우수등재

          Si(111)7×7 표면에서 Mg 성장양상 연구

          안기석(Ki-Seok An), 여환욱(Hwan-Wook Yeo), 이경원(Kyung-Won Lee), 이순보(Soon-Bo Lee), 조용국(Yong-Kook Joh), 박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4

          Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다. Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) and(2√3/3×2√3/3-R30°) patterns with increasing deposition time of Mg at room temperature. The three domain (3×1) structure appear at the adsorption temperature of 350℃. In particular, we first observed (1×1) and single domain (3×1) structures at adsorption temperature of 300, 450℃, respectively. From these results and measuring Mg KLL/Si2p XPS peak intensity ratio, we would expect that the relative coverages of Mg on Mg-induced (3×1) and (1×1) structure are to be 1/3 and 1 ML, respectively.

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