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짧은 채널 효과의 억제를 위한 ISRC (Inverted-Sidewall Recessed-Channel)구조를 갖는 0.1$\mu\textrm{m}$ nMOSFET의 특성
류정호,박병국,전국진,이종덕 대한전자공학회 1997 電子工學會論文誌, D Vol.d34 No.8
To suppress the short channel effects in nMOSFET with 0.1.mu.m channel length, we have fabricated and characterized the ISRC n MOSFET with several process condition. When the recess oxide thickness is 100nm and the channel dose for threshold voltge adjustment is 6*10$^{12}$ /c $m^{-2}$ , B $F_{2}$$^{+}$, the maximum transconductance at $V_{DS}$ =2.0V is 455mS/mm and the BIDL is kept within 67mV. By comparing the ISRC n MOSFET with the conventioanl SHDD (shallowly heavily dopped drain) nMOSFET, we verify the suppression of short channel effects ISRC structure.e.
Halogen floating zone 법에 의한 $LiTaO_3$ 단결정 성장$I.LiTaO_3$단결정 성장특성
류정호,임창성,오근호 한국결정성장학회 1997 韓國結晶成長學會誌 Vol.7 No.4
Halogen type floating zone system을 이용하여 직경 6 mm, 길이가 20 mm인 조화용융조성(congruently melting composition)의 $LiTaO_3$(LT) 단결정을 성장시켰다. 최적의 분말합성조건, 원료봉의 소결조건, 결정 성장조건을 확립하였다. 공기나 질소분위기에서는 결정성장이 불가능하였으나 아르곤 분위기에서는 안정한 형태의 용융대를 형성 및 유지할 수 있어서 결정성장이 용이하게 진행될 수 있었다. 성장된 결정으로 Laue back reflection pattern, 전이온도, 굴절율분포, 투과율을 측정하여 성장된 결정의 물성을 평가하였다. 성장된 결정의 부분별(top, body, tail) 전이온도 차가 $1^{\circ}C$로 측정되어 floating zone(FZ)법으로 성장된 LT결정이 조성적으로 균일함을 확인할 수 있었다. $LiTaO_3$ single crystals of congruently melting composition were grown by the halogen lamp type floating zone system. Calcination and sintering parameters for the growth were established. Optimum crystal growth conditions were investigated by a controlling of growth rates, rotation speeds and atmospheres. Based on the melting aspect and the shape of molten zone, stable conditions could not be found in air or Na atmosphere. However the growth stability in Ar atmosphere was more regular than that in air or $N_2$. The grown crystals were characterized using Laue back reflection, Curie temperature, refractive index and transmittance. Curie temperature fluctuation in the section of the grown crystal part of top, body and tail was $1^{\circ}C$.
$Al_2O_3-C$계 내화물에서 알루미늄 금속분말의 산화억제 메카니즘
류정호,임창성,오근호 한국결정성장학회 1998 韓國結晶成長學會誌 Vol.8 No.1
$Al_2O_3-C$계 내화물에 Al 금속분말을 첨가하여 $800^{\circ}C$에서 $1400^{\circ}C$의 온도영역에서 탄소의 산화억제 메카니즘을 조사하였다. 탄소의 산화는 Al 금속분말을 5wt% 첨가한 $Al_2O_3-C-Al $ 시편에서 억제되었으며, 시편의 표면과 내부계면에 탄소가 비교적 균일하게 분포되어 있었다. Al-C 시편의 조성에서 중간생성물인 $Al_4C_3$ 및 AlN이 $800-1200^{\circ}C$의 온도범위에서 존재하였으며, $1400^{\circ}C$ 이상의 고온에서 모두 $Al_2O_3$로 전이하였다. $1000^{\circ}C$에서 1시간 가열한 Al-C 시편에서 $Al_4C_3$의 생성과 관계있는 cavity structure가 관찰되었다. 열역학적 고찰을 기초로 하여 산환억제 효과와 관계있는 $Al_4C_3$와 AlN의 생성, $Al_2O_3$로의 전이, C(s)의 형성등이 논하였다. Antioxidation mechanism of Al metal powders on $Al_2O_3-C$ refractory was investigated in temperature range from 800 to $1400^{\circ}C$. The addition of 5 wt% Al metal powders suppressed the oxidation of carbon in $Al_2O_3$-C sample. The carbons were distributed uniformly on the surface and the interface of the $Al_2O_3$-C-Al. Reaction products of $Al_4C_3$ and AIN were found with a composition of Al-C at temperatures between 800 and $1200^{\circ}C$ and transformed to $Al_2O_3$ above $1400^{\circ}C$. Cavity structures related to the to the formation of $Al_4C_3$ were observed for the AI-C after heating at $1000^{\circ}C$ ofr 1 hour. Thermodynamic mechanism was considered to discuss the formation $Al_4C_3$, AlN and their transformation to $Al_2O_3$, which leads to the effect of oxidation resistance.
The Estimation and Comparison of Photocatalytic Activities of Different TiO2 Samples
류정호,최원용 한국화학공학회 2007 화학공학의이론과응용 Vol.10 No.1
최근 새로운 광촉매를 합성하거나 기존의 광촉매를 개질하여 높은 활성을 보인다는 연구보고가 많으나 객관적으로 신빙성이 부족한 경우가 많은데, 이는 주로 한가지의 특정물질에 대한 활성으로 보고되고 있기 때문이다. 이에 본 연구에서는, 기존에 광촉매 활성 측정을 위해 사용되고 있는 여러 화학물질군들을 이용하여 다양한 광촉매의 활성을 측정하였고, 이를 바탕으로 시험물질에 대한 광촉매 활성의 상관관계를 도출함으로써 활성평가의 객관성을 위한 기초를 제시하고자 하였다. 우선 Aromaticcompound, Organic acid, Amine, Chlorohydrocarbon의 화학물질군 내에서는 광촉매 활성의 선형적 상관관계를 얻었고, 이는 같은 구조를 가지는 물질에 대해서는 비슷한 활성을 나타냄을 의미한다. DCA,Formic acid, Iodide, AO7, SDS 등의 활성은 광촉매의 Surface area에 비례한 반면 Phenol, RhodamineB 등의 활성은 반비례하였다. 또한 시험물질들의 흡착특성 및 광촉매의 표면전위에 따라서도 상관성이 입증되었다.