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- 저자 : 한일기(I. K. Han) (검색결과 5 건)
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황처리가 금속/InP Schootky 접촉과 $Si_3$$N_4$/InP 계면들에 미치는 영향
허준,임한조,김충환,한일기,이정일,강광남,Her, J.,Lim, H.,Kim, C.H.,Han, I.K.,Lee, J.I.,Kang, K.N. 대한전자공학회 1994 전자공학회논문지-A Vol.31 No.12
The effects of sulfur treatments on the barrier heithts of Schottky contacts and the interface-state density of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors on InP have been investigated. Schottky contacts were formed by the evaporation of Al, Au, and Pt on n-InP substrate before and after (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments, respectively. The barrier height of InP Schottky contacts was measured by their current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C_V) characteristics. We observed that the barrier heights of Schottky contacks on bare InP were 0.35~0.45 eV nearly independent of the metal work function, which is known to be due to the surface Fermi level pinning. In the case of sulfur-treated Au/InP ar Pt/InP Schottky diodes, However, the barrier heights were not only increased above 0.7 eV but also highly dependent on the metal work function. We have also investigated effects of (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments on the distribution of interface states in Si$_{3}$N$_{4}$InP MIS diodes where Si$_{3}$N$_{4}$ was provided by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The typical value of interface-state density extracted feom 1 MHz C-V curve of sulfur-treated SiN$_{x}$/InP MIS diodes was found to be the order of 5${\times}10^{10}cm^{2}eV^{1}$. This value is much lower than that of MiS diodes made on bare InP surface. It is certain, therefore, that the (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatment is a very powerful tool to enhance the barrier heights of Au/n-InP and Pt/n-InP Schottky contacts and to reduce the density of interface states in SiN$_{x}$/InP MIS diode.
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연속 파장 가변시 현상론적인 비 선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향
이석,박노헌,박홍이,최원준,한일기,이정일,강광남,Lee, S.,Park, N.,Park, H. L.,Choi, W. J.,Han, I. K.,Lee, J. I.,Kang, K. N. 한국광학회 1993 한국광학회지 Vol.4 No.3
현상론적인 비 선형 이득 포화 효과가 연속 파장 가변시 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향을 이론적으로 분석하였다. 수동 부분에 전류 주입의 증가에 따라 FM 효율, 3dB 대역폭, 공명 주파수는 감소하지만, flat FM응답은 증가한다. 비 선형 이득 포화 효과는 FM/IM응답, 3dB 대역폭, 공명 주파수, chirping-to-modulation-power ratio 등 변조 특성에 커다란 영향을 미치지만, 연속 파장 가변에 의한 변조 특성에는 영향을 미치지 않는다.
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이중 크기분포를 가지는 자발형성 InAs 양자점의 광특성 평가
정순일,여현영,윤일구,한일기,이주인,Jung, S.I.,Yeo, H.Y.,Yun, I.,Han, I.K.,Lee, J.I. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.3
We report a photoluminescence (PL) study on the growth process of self-assembled InAs quantum dots (QDs) under the various growth conditions. Distinctive double-peak feature was observed in the PL spectra of the QD samples grown at the relatively high substrate temperature. From the excitation power-dependent PL and the temperature-dependent PL measurements, the double-peak feature is associated with the ground state transitions from InAs QDs with two different size branches. In addition, the variation in the bimodal size distribution of the QD ensembles with different InAs coverage is demonstrated.
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