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추혜용,이정익,유병곤,Chu, H.Y.,Lee, J.I.,Yoo, B.G. 한국전자통신연구원 2009 전자통신동향분석 Vol.24 No.6
전 세계는 온실가스의 배출을 줄이기 위한 방안의 하나로 전 에너지 소비의 약 20%를 차지하고 있는 조명의 고효율화를 위한 노력을 다각적으로 벌이고 있으며, 그러한 노력의 일환으로 지난 100년간 사용되어온 백열등이 낮은 효율로 인하여 사용규제 논의의 대상이 되고 있다. 반면, 효율은 백열등의 7~8배인 형광등은 높은 효율에도 불구하고 수은과 납이 함유되어 중금속 사용규제(RoHs, WEEE)로 인하여 그 사용이 규제될 계획이다. 따라서, 백열등과 형광등의 빈자리를 채울 수 있는 친환경 차세대 조명에 대한 수요가 확대되고 있어 LED, OLED와 같은 반도체 조명에 대한 개발이 확대되고 있다. 본 기고서에서는 차세대 조명 중에서 OLED 기술을 기반으로 한 OLED 조명 기술과 선진국 및 선진산업체의 개발 동향을 소개하고자 한다.
추혜용 한국전기전자재료학회 2004 전기전자재료 Vol.17 No.8
반도체 기술, 나노기술 그리고 정보통신기술의 급격한 발달과 이들 기술간의 융합으로 정보저장, 정보처리, 통신기기들의 소형화가 이루어지고 있다. 또한 이러한 기술의 발전을 바탕으로 언제 어디서나 정보를 접할 수 있는 유비쿼터스 (ubiquitous) 시대의 도래를 맞이하고 있다. 기술 및 문화의 변화에 따라 디지털 컨버전스에 부응하는 전자정보기기와 인간의 인터페이스 역할을 하는 디스플레이의 중요성이 부각되고 있다. 특히, 인터넷, IMT-2000, PDA등 정보 이용 환경의 고도화로 경박단소형, 저소비전력 및 천연색 동영상 구현 등이 가능한 모바일 디스플레이의 수요가 급증하고 있다.(중략)
보론 도우핑된 비정질 실리콘을 이용한 쌍극 박막 트랜지스터의 전기적 특성
추혜용,장진,Chu, Hye-Yong,Jang, Jin 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
보론이 100ppm으로 도우핑된 비정질 실리콘을 이용한 쌍극 박막 트랜지스터를 CVD 방법으로 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 쌍극 박막 트랜지스터에 인가한 트레인 전압이 증가하면 정공채널의 드레인 전류는 전자와 정공의 주입에 의해 크게 증가한다. 또한 게이트 전압의 인가 시간에 따른 드레인 전류는 streched exponential로 감소하는데, 이는 전자축적층에 의해 생기는 댕글린 본드 밀도의 변화가 수소의 확산과 동일한 시간 의존성을 갖는 것을 의미한다. 이러한 실험 결과로 부터 보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘에 게이트 전압을 인가하거나, 빛 조사시 도우핑 효율이 변화함을 알 수 있다. We have studied the electrical characteristics of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) ambiploar thin film transistors (TET'S)using 100ppm boron-doped a-Si:H as an active layer. The enhancement of drain current due to the double injection behavior has been observed in the p-channel operation of the TFT. The drain current decreases with time in streched exponential form when the gate voltage is positive. The result indicates that the dangling bonds created by electron accumulation show identical time dependence as the diffusion of hydrogen in the film. We observed the experimental evidence that the doping efficiency changes either when the gate bias is applied or when the light is illuminated on boron-doped a-Si:H.
추혜용,이일희 대한전자공학회 1996 전자공학회논문지-A Vol.33 No.10
We report on the static and dynamic characteristics of optically modulated resonant tunneling diode oscillator (RTDO) formed in double-barrier quantum-well structure. Under the illumination of Ti:Sapphire laser, the dc current-voltage (I-V) curves of RTDO shifted towared lower voltages. This characteristic was found to odify the series resistance, negtive differential resistance, capacitance, and the inductance of the RTDO. As a result, the resonant frequency of TRDO centered at 5.302 GHz was found to decrease about 20 MHz under the laser illumination. At a constnat bias voltage, the oscillation frequency decreased linearly as the laser power was increased.
추혜용,박평운,이창희,이일항 대한전자공학회 1994 전자공학회논문지-A Vol.31 No.2
AlAs/GaAs/AlAs RTDs(Resonant Tunneling Diodes) are fabricated and current-voltage properties of them are measured. At room temperature, peak to valley ratio is 2.4 NOT.AND.OR logic gates and Flip-Flop are fabricated using the bistable characteristics of RTDs. Although NOT.AND.OR logic gates need 5~8 transistors. only one RTD is sufficient to fabricate the logic gates. Since the switching time is very short(<10$^12$sec), it is possible to drive the semiconductor circuits fast and integrate them very large. And it is convinced the possibility of integrating RTDs to multilevel logic circuits by observing two peaks of similar current in the serial connection of two RTDs.
추혜용(Hye Yong Chu),이정익(Jeong-Ik Lee),이종희(Jonghee Lee),한준한(Jun-Han Han),조두희(Doo-Hee Cho),신진욱(Jin-Wook Shin),유병곤(Byung Gon Yu) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
White organic light emitting diode for lighting application has been studied based on phosphorescence and/or blue fluorescence materials. We have successfully achieved highly efficient white phosphorescent OLED with 46 lm/W using all phosphorescent materials. We also developed hybrid white OLED with combining blue fluorescence materials and green/red phosphorescence materials. When we introduced external light extraction film, the power efficacies reached up to 74 and 43 lm/W. We have also fabricated transparent white OLEDs with cooperating a transparent cathode, and then 24 lm/W of power efficacy has been achieved together with 60% of transparency and over 80 color rendering index (CRI).
보론 도우핑된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열에 의한 준안정성 연구
이이상,추혜용,장진,Lee, Yi-Sang,Chu, Hye-Yong,Jang, Jin 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터를 플라즈마 CVD 방법으로 제작하여 트랜지스터의 특성 및 준안정성에 관한 연구를 수행하였다. 보론이 도우핑된 비정질 실리콘 ambipolar 트랜지스터를 열평형 온도 이상에서 급냉하면, active dopants가 증가하고 경계면 상태밀도가 감소하여 정공채널에 의한 드레인 전류가 증가하고 전자채널의 드레인 전류는 급냉 온도에 따라 증가하다 감소되는 현상을 측정하였다. 이런 급냉 효과는 실리콘내에 있는 수소의 운동과 밀접한 관계가 있고 active dopants, 댕글링 본드 및 경계면 상태밀도의 변화로 해석된다. Electrical transport and thermally induced metastability in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film transistors (TFTs) using boron-doped amorphous silicon as an active layer have been studied. The device characteristics n-channel and p-channel operations. The thermal quenching experiments on amorphous silicon-silicon nitride ambipolar TFT give clear evidence for the co-existence of two distinct metastable changes. The densities of metastable active dopants and dangling bonds increase with the quenching temperature. On the other hand, the interface state density appears to decrease with increasing quenching temperature.