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박막 형광체 ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP>의 RF Magnetron Sputtering법을 이용한 생장
김종수(J. S. Kim),이성훈(S. H. Lee),박재홍(J. H. Park),박형원(H. W. Park),최진철(J. C. Choi),박홍이(H. L. Park) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
RF magnetron sputtering법을 이용하여 quartz 기판 위에 spinel 구조의 ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP> 박막 형광체를 상온에서 증착 하였다. 후 열처리 온도에 따라 박막의 결정성, 표면 거칠기와 조성비가 변하였으며 이는 박막 형광체의 발광특성에 영향을 주었다. 후 열처리 온도가 500 ℃에서 900 ℃로 올라감에 따라, 후 열처리 온도가 700 ℃일 때 가장 낮은 수치의 표면 거칠기를 보였고 이로 인한 낮은 외부 양자 효율로 인하여 발광특성이 좋지 않았다. 후 열처리 온도가 800 ℃일때 결정화 정도가 좋았으며 적당한 표면 거칠기와 화학적 조성비로 인해 최적의 발광특성을 보였다. 반면 후 열처리 온도가 900 ℃일 때 결정성은 가장 좋았으나 Zn의 높은 증기압으로 인한 화학적 조성비의 깨짐으로 발광특성이 좋지 못하였다. Thin-film ZnGa₂O₄:Mn<SUP>2+</SUP> phosphors of spinel structure were grown on quartz substrate by RF magnetron sputtering method at room temperature. As an increase of post-annealing temperatures, crystallinity, surface roughness and stoichiometry of thin films were varied. At the post-annealing temperatures of 500 ℃ and 600 ℃, the luminescence intensity was poor due to the poor crystallinity. The smallest surface roughness was observed at the sample post-annealed at 700 ℃ leading to low external extraction efficiency, and poor luminescence intensity. The highest luminescence intensity was shown at the sample post-annealed at 800 ℃. It was because both the surface roughness and crystallnity were optimized. On the other hand, at 900 ℃, the luminescence intensity was poor due to the violation of stoichiometry.
홍상기,이혜선,최진철,배명남,이강복,Hong, S.G,Lee, H.,Choi, J.C.,Bae, M.N.,Lee, K.B. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.5
최근 사물인터넷 장치 증가와 관련 서비스의 급속한 확산, 기존의 수직적인 사물인터넷 서비스 구조로부터 수평적인 개방형 생태계로의 변화 추세에 따라 oneM2M, AllSeen, Open Interconnect Consortium(OIC)과 같은 표준협의체 및 산업체 컨소시엄을 중심으로 개방형 사물인터넷 플랫폼 규격 제정 및 오픈 소스 생태계 구축을 위한 노력이 지속되고 있다. 특히 다양한 사물인터넷 장치로부터 데이터를 수집하여 정보를 생성하고, 이종 장치 간의 정보 공유, 분산협업 및 실행제어 기술을 제공하는 사물인터넷 플랫폼은 사물인터넷 서비스 확산을 위한 핵심기술이라 할 수 있다. 본고에서는 오픈 생태계를 지향하는 AllSeen/AllJoyn, OIC/IoTivity, oneM2M 사물인터넷 소프트웨어 플랫폼의 표준화 동향을 살펴보고, 플랫폼의 핵심 기술에 대한 비교 분석을 통해 주요 기술개발 동향를 살펴보고자 한다.
차세대 인공위성 전기저항제트 가스추력기의 다물리 수치모사
장세명(S.M. Chang),최진철(J.C. Choi),한조영(C.Y. Han),신구환(G.H. Shin) 한국전산유체공학회 2016 한국전산유체공학회지 Vol.21 No.2
NEXTSat-1 is the next-generation small-size artificial satellite system planed by the Satellite Technology Research Center(SatTReC) in Korea Advanced Institute of Science and Technology(KAIST). For the control of attitude and transition of the orbit, the system has adopted a RHM(Resisto-jet Head Module), which has a very simple geometry with a reasonable efficiency. An axisymmetric model is devised with two coil-resistance heaters using xenon(Xe) gas, and the minimum required specific impulse is 60 seconds under the thrust more than 30 milli-Newton. To design the module, seven basic parameters should be decided: the nozzle shape, the power distribution of heater, the pressure drop of filter, the diameter of nozzle throat, the slant length and the angle of nozzle, and the size of reservoir, etc. After quasi one-dimensional analysis, a theoretical value of specific impulse is calculated, and the optima of parameters are found out from the baseline with a series of multi-physical numerical simulations based on the compressible Navier-Stokes equations for gas and the heat conduction energy equation for solid. A commercial code, COMSOL Multiphysics is used for the computation with a FEM (finite element method) based numerical scheme. The final values of design parameters indicate 5.8% better performance than those of baseline design after the verification with all the tuned parameters. The present method should be effective to reduce the time cost of trial and error in the development of RHM, the thruster of NEXTSat-1.
박준희,손영성,박동환,조준면,배명남,한미경,이훈기,최진철,김현,황승구,Park, J.H.,Son, Y.S.,Park, D.H.,Cho, J.M.,Bae, M.N.,Han, M.K.,Lee, H.K.,Choi, J.C.,Kim, H.,Hwang, S.K. 한국전자통신연구원 2018 전자통신동향분석 Vol.33 No.1
IoT is used not only as a technical terminology but also as a paradigm representation. As the number of IoT devices spread tremendously throughout the world, they are able to be located anywhere,recognize their environment, and achieve adaptable reactions. All market investigation agencies expect the number of IoT devices to reach tens to hundreds of billions in number. They also expect various technical problems owing to the huge number of connected things and data that will emerge during the AI era. The decentralization of centralized computing for AI is the one of the technical solutions to such problems, and the computing roles for AI will be soon distributed into the things, which can be located anywhere. In this article, the traditional distributed intelligence and its current research activities are introduced, and the next distributed intelligence target for the IoT 2.0 era is briefly touched upon using the keyword Socio-Things.
서제형,정승욱,이원선,최윤성,최명운,최진철,최광호,Seo, J.H.,Jung, S.W.,Lee, W.S.,Choi, Y.S.,Choi, M.W.,Choi, J.C.,Jeong, K.H. 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.1
$600{\times}1,200mm$ 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ${\pm}5%$의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형증발원을 평가하였다. XRF 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 $$Cu{\leq_-}5%$$, $$In{\leq_-}7%$$, $$Ga{\leq_-}4%$$, $$Se{\leq_-}3%$$으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 하향 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다. In this paper, to develop linear source for evaporating $600{\times}1,200mm$ size of large area CIGS absorber layer, we simulated linear thermal source and obtained ${\pm}5%$ thickness uniformity with various nozzle sizes and regular nozzle distance. Flux density was confirmed linear source length. Using this linear source, we tested thickness uniformity of Copper, Indium single layer which was obtained Cu ${\pm}5%$ and In ${\pm}5%$ thickness uniformity. And then CIGS absorber layers were evaporated with In-line single-stage co-evaporation. Large area CIGS absorber layers were confirmed composition uniformity of $$Cu{\leq_-}5%$$, $$In{\leq_-}7%$$, $$Ga{\leq_-}4%$$, $$Se{\leq_-}3%$$ with 600 mm width by XRF. Uniform shape of CIGS absorber layers was confirmed by SEM. XRD showed peaks which indicate chalcopyrite structure of CIGS absorber layers. Thus, developed linear source is suitable for evaporating CIGS absorber layer.