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최광남,정관수,김동욱,In. K. Yoo 한국물리학회 2006 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.48 No.5I
We have studied a 1 : 1 electron-beam projection lithography method using an electron emission mask (EEM). The method is applicable to printing nanoscale patterns by using very short exposure below 10 seconds. The design and the characteristics of the EEM fabricated with a metal-insulatormetal (MIM) structure are discussed. The I-V characteristics of EEM show that the optimal thickness of the insulator layer of MIM structure is 12 nm, and the electron-beam resist developed by using a 1 : 1 projection of EEM shows patterns with 100-nm linewidths.??
한국과학기술인용색인의 효용성 및 서비스 방향에 관한 연구
최광남,조현양,안세필 한국정보관리학회 2002 정보관리학회지 Vol.19 No.4
In this study we analyze the present situation of cited and citing references among researchers, based on Korean Science Citation Index developed by Korea Institute of Science & Technology Information. There are some differences on the rank of frequently cited journals between JCR of ISI and KSCI, especially in the field of mechanical engineering. The purpose of this study is to find an efficient way of constructing KSCI database and to propose a service model which can be available as a tool to evaluate research activities and to provide researcher with basic information resources. 본 연구에서는 한국과학기술정보연구원에서 구축중인 한국과학기술인용색인을 바탕으로 국내 주요 과학기술계 학술지에 수록된 연구 논문을 중심으로 연구자들의 인용현황을 분석하였다. 또한 기계공학 분야를 실험 대상으로 선정하여 현재 SCI의 기계공학 분야의 인용 순위와 비교한 결과 SCI의 JCR과는 실질적인 차이가 있음을 발견하였다. 본 연구는 국내 연구자에게 분야별 필수적인 연구 정보원의 제공과 국내 기관별, 분야별 과학기술 수준을 파악하고 평가하기 위한 도구로서 활용이 가능한 한국인용색인데이터베이스의 효율적인 구축방안 및 서비스모델을 제안한다.
국내학술지 영향력 지표 분석을 위한 한국과학기술인용색인(KSCI) 연구
최광남 한국문헌정보학회 2004 한국문헌정보학회지 Vol.38 No.4
In this study, we analyze out citing and cited references among researchers, using KSCI (Korean Science Citation Index) database that is developed by KISTI. we generate and analyze that impact factor and immediate index with same method in JCR's. KSCI's impact factor and immediate index compared to JCR's, and with this basis, this study propose the need of development KSCI database and present new service model for evaluate of domestic journals. 본 연구에서는 한국과학기술정보연구원(KISTI)에서 구축한 한국과학기술인용색인(KSCI) 데이터베이스를 이용하여 연구자들의 인용현황을 분석하였다. 그리고 세계적으로 가장 널리 이용되고 있는 TS사의 JCR 방식으로 영향력 지표와 즉시성 색인을 생성하여 이를 분석하였다. 산출된 영향력 지표와 즉시성 색인을 2002년도 JCR 지표와 비교하였고, 이를 근거로 한국과학기술인용색인(KSCI) 데이터베이스의 필요성 및 국내학술지 평가를 위한 새로운 모델을 제시하였다.
Characteristics of Self assembled Monolayer as $Ta_2O_5$ Dielectric Interface for Polymer TFTs
최광남,곽성관,정관수,김동식,Choi, Kwang-Nam,Kwak, Sung-Kwan,Chung, Kwan-Soo,Kim, Dong-Sik The Institute of Electronics and Information Engin 2006 電子工學會論文誌. Journal of the institute of electronics Vol.43 No.1
중합 박막 트랜지스터의 특성은 유기 반도체에 앞서 게이트유전체 표면의 화학적 변형에 의해 조절 가능하다. 화학적 처리는 자기조립 단분자막 형태의 유전물질과 함께 파생된 tantalum pentoxide($Ta_2O_5$) 표면으로 구성된다. Octadecyl trichlorosilane(OTS), hexamethyldisilazane (HMDS), aminopropyltreithoxysilane(ATS) 자기조립 단분자막의 성장은 중합체로 결합된 poly-3-hexylthiophene(P3HT)의 분위기에서 $0.01\sim0.06cm2/V{\cdot}s$의 이동도로 진행되었다. 이동도 향상 메커니즘은 중합체와 자기조립 단분자막 사이의 분자 상호작용에 영향을 미치는 것으로 확인하였다. 이는 향후 ploymer TFT의 유전박막 중 하나로서 유용하게 사용 될 것이다. The characteristics of polymeric thin-film transistors(TFTs) can be controlled by chemically modifying the surface of the gate dielectric prior to the organic semiconductor. The chemical treatment consists of derivative the tantalum pentoxide($Ta_2O_5$) surface with organic materials to form self-assembled monolayer(SAM). The deposition of an octadecyl-trichlorosilane(OTS), hexamethy-ldisilazone(HMDS), aminopropyltreithoxysilane(ATS) SAM leads to a mobility of $0.01\sim0.06cm2/V{\cdot}s$ in a poly-3-hexylthiophene(P3HT) conjugated polymer. The mobility enhancement mechanism is likely to involve molecular interactions between the polymer and SAM. These result can be used for polymer TFT's dielectric material.
플라스틱 기판위에 엑시머 레이저 열처리된 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
최광남,김동식,정관수,곽성관 대한전자공학회 2006 電子工學會論文誌 IE (Industry electronics) Vol.43 No.2
In this paper characteristics of polycrystalline silicon crystallized by excimer laser on plastic substrate under 150 ℃ is investigated. Amorphous silicon is deposited by rf-magnetron sputter in atmosphere of Ar and He for preventing depletion effect by dehydrogenation as deposition by PECVD. After annealing by 308 nm, 30 Hz, double pulse type XeCl excimer laser, p-chnnel low temperature polycrystalline silicon TFT which maximum mobility is 64 cm2/Vs at 344 mJ/cm2 is fabricate. FPD (flat panel display) 의 능동구동 (active matrix) 방식의 플렉시블 디스플레이를 위해 PES의 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 상온에서도 박막의 증착이 가능한 RF 마크네트론 스퍼터링과 양질의 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있다고 알려진 XeCl 엑시머 레이져 열처리를 이용하였으며 모든 공정이 150℃ 이하의 극저온에서 이루어졌다. 플라스틱 기판에 형성한 실리콘 박막 트랜지스터는 344 mJ/cm2 의 에너지 밀도에서 결정화 하였을 때 이동도 63.64cm2/V 로 기판에 회로를 집적할 수 있기에 충분한 특성을 얻을 수 있었다.