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Study on the Silicon Wafer Etching by a DC Arc Plasmatron at Atmospheric Pressure
천세민,김지훈,좌상범,강인제,이헌주 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.11
본 연구는 대기압 DC Arc Plasmatron을 이용하여 기체의 유량, 전류, Plasmatron과 Si wafer 간의 거리를 변화시켜 이에 대한 Si wafer에 식각률(etching rate)을 확인하고 최적화 하였다. 150A, CF₄ 200sccm, O₂ 500sccm, 5mm 일때 식각율이 높았고 또한 가스유량보다는 거리가, 전류의 변화보다는 시간이 기판 식각률의 변화에 큰 경향을 주었다. DC 아크 플라즈마를 이용한 플라즈마트론이 대기압 식각공정에서 얼마나 효율적으로 운영 할 수 있으며, 플라즈마 생성에 필요한 최적화된 환경을 알 수 있었다.
마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 용사분말 유동성 향상 기술
천세민,홍용철 한국공업화학회 2016 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2016 No.1
반도체 소자 및 디스플레이 소자를 제조하는 공정 장비의 내부재는 우수한 내플라즈마성, 내식성 및 내산화성 등의 특성이 요구되며 이트리아, 알루미나 및 지르코니아 등의 산화물 세라믹 용사분말을 사용하여 코팅층을 형성한다. 특히 용사분말은 미시적으로 표면이 거칠고 사이즈가 작을수록 유동성이 낮아지는 특성을 가진다. 코팅층 형성 중 용사분말의 유동성이 낮으면 정량적인 주입, 코팅층 기공 생성 및 불균일 문제가 발생함으로 품질 향상을 위해 유동성 및 치밀도를 높일 수 있는 기술이 필요하다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 플라즈마를 사용하여 용사분말, 특히 15~45 μm 사이즈의 소형 분말 표면을 처리하여 유동성을 확보하는 기술을 개발 하였다. 대기압 마이크로웨이브 플라즈마의 고온의 열원과 높은 화학적 반응성을 이용함으로써 용사분말 표면을 용융할 수 있었으며 추가적으로 표면에 극성을 부여하여 기존 분말보다 뛰어난 유동 특성을 확인 하였다.
MOMDPSO를 이용한 혼합 H2/ H∞ 동적 출력 피드백 제어기
천세민(Semin Chun),김태형(Tae-Hyoung Kim) 대한기계학회 2016 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2016 No.12
This paper is focused on the new design method of mixed H2/ H∞ dynamic output feedback controller to reduce simultaneously H2-norm and H∞-norm. In order to achieve this aim, we propose MOMDPSO algorithm which can simultaneously find the order of controller and parameters of controller. Based on H2-norm and H∞-norm, objective functions are suggested. Finally, it is shown the performance of the proposed control method using numerical simulations.