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Study on the Silicon Wafer Etching by a DC Arc Plasmatron at Atmospheric Pressure
천세민,김지훈,좌상범,강인제,이헌주 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.11
본 연구는 대기압 DC Arc Plasmatron을 이용하여 기체의 유량, 전류, Plasmatron과 Si wafer 간의 거리를 변화시켜 이에 대한 Si wafer에 식각률(etching rate)을 확인하고 최적화 하였다. 150A, CF₄ 200sccm, O₂ 500sccm, 5mm 일때 식각율이 높았고 또한 가스유량보다는 거리가, 전류의 변화보다는 시간이 기판 식각률의 변화에 큰 경향을 주었다. DC 아크 플라즈마를 이용한 플라즈마트론이 대기압 식각공정에서 얼마나 효율적으로 운영 할 수 있으며, 플라즈마 생성에 필요한 최적화된 환경을 알 수 있었다.