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초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정 성장시 축방향 자기장의 영향
정형태,한승호,윤종규 한국결정성장학회 1993 韓國結晶成長學會誌 Vol.3 No.1
초크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 성장시 액상내의 난류 특성 억제 및 산소, 첨가제 등의 제어를 위해 보통 자기장을 걸어주고 있으며 본 연구에서는 축방향 자기장을 걸어주었을 경우 나타나는 자장의 효과를 수치적으로 계산하였다. 자기력의 증가에 따라 액상내의 유속의 크기는 상당히 억제되었다. 자장의 크기가 증가함에 따라 중심축 부근에서 상승하는 유동의 속도가 감소하기 때문에 S/L 응고계면은 점점 평탄해졌으며, B=0.3 Tesla에서 액상내의 온도 분포는 중심축 부근을 제외하고는 오직 전호 효과로만 계산된 결과와 거의 유사하였다. 또한 고상 및 액상 표면을 통한 열방출량 중 Ar 가스에 의한 열방출량은 3% 미만이었으며 대부분의 열량은 복사를 통해 방출되었다. A suppression of turbulent fluid motion and a control of oxygen and dopants could be improved by application of magnetic field in Czochralski growth of silicon. The effect of an axial magnetic field on Czochralski system was numerically calculated. The fluid motions induced by temperature gradients and by crystal and crucible rotations were suppressed by magnetic force. The S/L interface was gradually flattened in proportion to the increase of magnetic field due to a reduced ascending velocity in the vicinity of center line. The t.emperature distributions in the melt at 8=0.3 Tesla were similar to those analyzed by the conduction heat transfer only. The dissipated amounts of heat flux from melt and crystal surfaces by Ar gas blowing was Jess than 3 %.
정형태,김성욱,장익수 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.41 No.4
본 논문에서는 발룬(Balun) 임피던스 트랜스포머(transformer)를 이용한 새로운 구조의 도허티 증폭기를 설계하였다. 도허티 증폭기의 보조 증폭기는 부하변조를 위해 낮은 출력 영역에서 동작이 되지 않도록 설계되며, 일반적으로 보조 증폭기가 동작하지 않는 경우 증폭기의 출력 임피던스는 개방이 된다고 가정한다. 그러나 실제로 구현된 보조 증폭기의 출력 일피던스는 출력단 정합회로의 임피던스 변환 효과에 의해 개방이 아닌 낮은 임피던스 값을 갖게 된다. 본 논문에서는 상기와 같은 보조 증폭기의 특성을 이용하여 새로운 방식의 푸쉬풀 구조 도허티 증폭기를 설계하였다. 제작된 도허티 증폭기는 2개 반송파의 WCDMA 입력 신호에 대하여 출력전력 40㏈m에서 5㎒ 오프셋 주파수 인접채널 누설전력 비율 -37.3㏈c와 23.7%의 효율 특성을 나타내었다. Push-pull structure with balun transformer is presented for load modulation technique which improves the overall efficiency of power amplifier Under the assumption that output impedance of fumed-off amplifier is high, conventional Doherty amplifier is composed of impedance inverter and peaking amplifier, of which operation is controlled by the input power level. In many case, however, impedance of 'off'amplifier is very low due to matching network or parasitic output capacitance. This paper introduces novel load modulation technique which uses low output impedance of 'off'amplifier. Experimental results show that good linearity and efficient!'enhancement of the proposed push-pull structure
RF전력결합기의 결합효율을 높이는 이득과 위상 제어방법
정형태,강원태,장익수 대한전자공학회 1998 電子工學會論文誌, D Vol.d35 No.4
As to power combining system, it is very important to achieve a high combining efficiency in order to minimize theamount of prime power needed and hence the cooling requirements, all of which translate into reduced cost. The combining efficiency is degraded in practice by variation in the amplitude and phase of the signals to be combined. In this paper, the new power combining newtork is proposed and realized which has the automatic gain and phase control system. This control system makes amplituede and phase variation of its all path equal. When the amplitude and phase variations are within 0~5dB and .+-.50.deg., the results show that high combining efficiency is maintained.
Czochralski 법에 의한 단결정 성장 초기 단계에서 표면 요소 사이의 열전달
정형태,이경우 한국결정성장학회 1992 韓國結晶成長學會誌 Vol.2 No.1
Radiation heat transfer was calculated for initial stage of crystal growth in Czochralski crystal growth system. View factors among surface elements were calculated for the estimation of heat evolution and all the surfaces were assumed to be diffuse-gray. The values of view factors were greatly different along the position of surface elements. The dissipated amounts of heat flux from the melt surface were 3.6 times larger than those from the crystal surface at the initial stage of crystal growth and this amounts were greater when the surface elements were not considered. The trijunction part of the crystal was greatly affected by the melt surface near the crystal. Consequently radiation heat transfer between surface elements must be considered in order to correctly simulate the initial crystal growth. Czochralski법에 의한 단결정 성장 시스템에서 초기 결정 성장시 복사열 방출 관계를 계산하였다. 복사열 계산을 위해 표면 요소 사이의 형상계수를 계산하였으며 표면은 diffuse-gray 면으로 가정하였다. 같은 표면상에서도 표면 요소의 위치에 따라 형상계수의 값이 크게 다르게 나타났다. 초기 성장시 액상 표면에서 방출되는 총 열량이 결정 표면에 비해 3.6배 크게 나타났고 표면 요소를 고려하지 않았을 때는 표면 요소를 고려하였을 때에 비해 상대적으로 큰 열량이 방출되었다. 대기와 액상의 표면과 공통으로 접하고 있는 결정의 맨 아래 부분은 결정에 제일 가까운 액상 표면에 의해 크게 영향을 받았다. 따라서 초기 성장 모사를 위해서는 반드시 표면 요소 사이의 복사 열전달 관계가 고려되어야 한다.