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정웅희,박종대,조창호,Jeong, Ung-Hui,Park, Jong-Dae,Jo, Chang-Ho 배재대학교 자연과학연구소 2004 自然科學論文集 Vol.14 No.2
생활 주변에서 쉽게 구할 수 있는 플래쉬 램프회로를 이용하여 소형 고체레이저를 개발하였다. 레이저 매질로는 Nd:YAG가 사용되었으며, 수동형 큐스위칭 $동작^{[1-4]}$을 위하여 Cr:YAG 결정이 사용되었다. 플래쉬 램프 회로로는 코닥 일회용 카메라, 후지 일회용 카메라, 자동차 장식용으로 사용되는 훠링의 스파크 라이트를 사용하였다. 레이저의 펌핑 에너지에 따른 레이저 출력의 변화를 측정하고, 수동형 Q-switch로 사용되는 Cr:YAG의 도핑 농도에 따른 레이저 출력을 측정하였다. 또한 출력경의 투과율에 따른 레이저 출력을 측정하여 레이저 출력경의 최적투과율을 실험적으로 구하였다.
HAP 기반 네트워크에서의 EM 알고리즘을 사용한 실시간 이동 기지국 배치
정웅희 ( Woong Hee Jung ),송하윤 ( Ha Yoon Song ) 한국정보처리학회 2010 정보처리학회논문지 C : 정보통신,정보보안 Vol.17 No.2
HAP(High Altitude Platform)은 지표면 17~22km위에 있는 성층권 영역에서 운행하는 정지 궤도 공중 플랫폼으로 공중에서의 MBS(Mobile Base Station)로서의 역할이 가능하다. HAP 기반 네트워크는 인공위성 시스템과 지상통신 시스템의 장점들을 가지고 있다. 본 논문에서는 HAP 기반망의 구성 및 그 유지를 위한 HAP MBS의 배치에 대해 연구한다. 이 연구를 위해 지상 이동 노드들을 클러스터링하기 위한 클러스터링 알고리즘이 사용되는데, 본 논문에서는 EM(Expectation Maximization) 클러스터링 알고리즘을 사용한다. 본 논문의 목표는 이동 통신 단말기들 간의 거리와, 각 단말기들의 이동속도를 고려하여 단말기들이 효율적으로 클러스터링 되어 HAP의 배치가 효율적일 수 있도록 EM 알고리즘을 적용 및 개선하고, 이 EM 알고리즘을 이용한 HAP MBS 배치기법을 인구밀도에 기반을 둔 RWP(Random Waypoint) 노드 모빌리티를 이용하여 그 성능을 평가한다. HAP(High Altitude Platform) is a stationary aerial platform positioned in the stratosphere between 17Km and 22Km height and it could act as an MBS (Mobile Base Station). HAP based Network has advantages of both satellite system and terrestrial communication system. In this paper we study the deploy of multiple HAP MBS that can provides efficient communication for users. For this study, EM(Expectation Maximization) clustering algorithm is used to cluster terrestrial mobile nodes. The object of this paper is improving EM algorithm into the clustering algorithm for efficiency in variety aspects considering distance between mobile terminal units and speed of mobile terminal units, and estimating performance of HAP MBS deploy technique with use of improved EM algorithm using RWP (Random Waypoint) node mobility.
HAPS 기반 네트워크에서의 실시간 이동 기지국 위치 문제 해결 정책
정웅희 ( Woong-hee Jung ),송하윤 ( Ha Yoon Song ),조관식 ( Kwan Sik Cho ) 한국정보처리학회 2008 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.15 No.2
EM(Expectation Maximization)은 불확실한 데이터들을 가지고 분포를 모델링하는, 널리 알려진 군집화 알고리즘이다. EM 알고리즘에서, 정규 분포는 기대(Expectation)-최대화(Maximization)과정을 반복하는 과정에서 그 윤곽을 다져간다. 이 때 이 과정은 EM 알고리즘의 다양한 확률 초기화에 따라 다른 결과를 내게 된다, 본 논문에서는 이 확률 초기화 값의 조정을 통하여 HAPS(High Altitude Platform Station) 기반 네트워크에서 이동 기지국의 위치를 실시간으로 결정하고자 하는 문제를 풀기 위한 조건을 몇 가지 반영시켜 확률 초기 값을 결정해 보고, 그 결과를 제시한다. 이에 더불어, ITU에서 제한 하고 있는 이동 기지국의 서비스 반경을 고려하는 방법을 제시한다.
New Solid-phase Crystallization of Amorphous Silicon by Selective Area Heating
김도경,정웅희,배정현,김현재 한국정보디스플레이학회 2009 Journal of information display Vol.10 No.3
A new crystallization method for amorphous silicon, called selective area heating (SAH), was proposed. The purpose of SAH is to improve the reliability of amorphous silicon films with extremely low thermal budgets to the glass substrate. The crystallization time shortened from that of the conventional solid-phase crystallization method. An isolated thin heater for SAH was fabricated on a quartz substrate with a Pt layer. To investigate the crystalline properties, Raman scattering spectra were used. The crystalline transverse optic phonon peak was at about 519㎝⁻¹, which shows that the films were crystallized. The effect of the crystallization time on the varying thickness of the SiO₂ films was investigated. The crystallization area in the 400nm-thick SiO₂ film was larger than those of the SiO₂ films with other thicknesses after SAH at 16 W for 2 min. The results show that a SiO₂ capping layer acts as storage layer for thermal energy. SAH is thus suggested as a new crystallization method for large-area electronic device applications.
Solution-processed indium–zinc oxide with carrier-suppressing additives
김동림,정웅희,김건희,김현재 한국정보디스플레이학회 2012 Journal of information display Vol.13 No.3
Metal oxide semiconductors were considered promising materials as backplanes of future displays. Moreover, the adoption of carrier-suppressing metal into indium–zinc oxide (IZO) has become one of the most important themes in the metal oxide research field. In this paper, efforts to realize and optimize IZO with diverse types of carrier suppressors are summarized. Properties such as the band gap of metal in the oxidized form and its electronegativity were examined to confirm their relationship with the metal’s carrier-suppressing ability. It was concluded that those two properties could be used as indicators of the carrier-suppressing ability of a material. As predicted by the properties, the alkali earth metals and early transition metals used in the research effectively suppressed the carrier and optimized the electrical properties of the metal oxide semiconductors. With the carrier-suppressing metals, IZO-based thin-film transistors with high (above 1 cm2/V · s) mobility, a lower than 0.6V/dec sub-threshold gate swing, and an over 3 × 106 on-to-off current ratio could be achieved.
용액 공정으로 제작된 주석-아연 산화물의 조성 변화에 따른 특성 변화 분석
김동림,임유승,정웅희,김현재,Kim, Dong-Lim,Rim, You-Seung,Jeong, Woong-Hee,Kim, Hyun-Jae 한국전기전자재료학회 2012 전기전자재료학회논문지 Vol.25 No.6
In this paper, the properties of SnZnO films obtained from solution process with different component fractions were compared. The thermal behavior of the SnZnO solutions showed only a slight change according to the component fraction change. However, the definite changes were revealed at the structural properties of the SnZnO films. With diverse analyses, the origin of the changes was proved to the influence of phase change from $SnO_2$ to ZnO in SnZnO lattice. With the $SnO_2$-phase-dominant SnZnO, the highest field effect mobility and on/off ratio of about 8.6 $cm^2/Vs$ and $2{\times}10^8$ were achieved, respectively.
Stability of Solution-processed ZrInZnO Thin-film Transistors under Gate Bias Stress
정태훈,김현재,김시준,윤두현,정웅희,김동림,임현수 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.59 No.2
The effects of bias stress solution-processed ZrInZnO (ZIZO) thin-film transistors (TFTs) for various annealing temperatures and gate insulators were investigated under gate bias stress. In the as-fabricated ZIZO TFTs with different gate insulators, higher mobility is achieved with SiNx, but superior subthreshold swing (S.S) is achieved with SiO_2 because the gate insulator has different k value and quality. After 1000 s of positive and negative gate bias stresses, the threshold voltages of the ZIZO TFTs with SiNx and SiO_2 gate insulators shifted dramatically while variations in the S.S and the mobility changed slightly. This suggests that electrons or holes are temporarily trapped/detrapped at the existing traps in the gate insulator, semiconductor, or channel/insulator.
액상공정으로 제작된 ZrInZnO 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 관한 연구
정태훈,김시준,윤두현,정웅희,김동림,임현수,김현재,Jeong, Tae-Hoon,Kim, Si-Joon,Yoon, Doo-Hyun,Jeong, Woong-Hee,Kim, Dong-Lim,Lim, Hyun-Soo,Kim, Hyun-Jae 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.6
Soution-processed ZrInZnO (ZIZO) thin-film transistors (TFTs) with varying Zr content were fabricated. The ZIZO TFT (Zr=20 at. %/Zn) has an optimal performance with the saturation field effect mobility of 0.77 $cm^2/Vs$, the threshold voltage (Vth) of 2.1 V, the on/off ratio of $4.95{\times}10^6$, and subthreshold swing (S.S) of 0.73 V/decade. Using this optimized ZIZO TFT, the positive and negative gate bias stress according to annealing temperature was also investigated. While the Vth shifts dramatically after 1,000 s of both gate bias stresses, variations in the S.S are negligible. It suggests that electrons or holes are tem porarily trapped in the gate insulator, the semiconductor, or the interface between both layers.