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주거의 발전을 위한 사회.건축적 접근 ( A Socio-Architectural Study for the Development of Housing )
장성준 대한건축학회 1983 建築 Vol.27 No.5
본 고찰은 복지정책이 적용될만한 주거를 대상으로 하며, -즉 저소득층 주택건설,불량주택 재개발,농촌주택개량- 이의 발전을 이루기 위하여 인식돼야 할 몇가지 상황을 제시하며, 이 상황이 얼마나 구체적으로 주거문화에 결정적 영향을 주는가를 예시하는데 그 목적이 있다.
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Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선
장성준,유종근,박종태,윤세레나,Jean-Pierre Colinge 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.04
This paper reports the measurement and analysis of the short channel effects and the punchthrough voltage of SOI-MOSFET with a self-aligned ground plane electrode in the silicon mechanical substrate underneath the buried oxide. When the channel length is reduced below 0.2um, it is observed that the threshold voltage roll-off and the subthreshold swing with channel length are reduced and DIBL is improved more significantly in GP-SOI devices than FD-SOI devices. It is also observed from the dependence of threshold voltage with substrate biases that the body factor is a higher in GP-SOI devices than FD-SOI devices. From the measurement results of punchthrough voltage, GP-SOI devices show the higher punchthrough voltages than FD-SOI devices 매몰 산화층 밑의 실리콘 기판에 자기정렬 방법으로 ground plane 전극을 만든 SOI MOSFET의 단채널 현상과 punchthrough 특성을 측정분석하였다. 채널 길이가 0.2μm 이하의 소자에서는 GP-SOI 소자가 FD-SOI 소자보다 채널 길이에 따른 문턱전압 저하 및 subthreshold swing이 작고 DIBL 현상이 크게 개선됨을 알 수 있었다. 기판전압에 따른 문턱전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 body factor가 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 punchthrough 전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 punchthrough 전압이 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.
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