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한국어 다의어 교육에 대한 인지언어학 이론의 적용 가능성 : ‘동작어’를 중심으로
임인곤(In-Gon Im) 조선대학교 교과교육연구소 2021 敎科敎育硏究 Vol.42 No.1
본 연구는 한국어 다의어 교육에 대한 인지 언어학적 이론의 적용 가능성을 제시하고 있는 논문이다. 인지언어학의 ‘원형 범주화’이론을 적용하여 신체화되고 객관화된 원형 의미에서 추상화되고 주관화된 파생 의미로의 확장을 규명하고자 한다. 동음이의어와 달리 다의어는 하나의 단어가 기본 의미를 바탕으로 파생 의미를 갖는 단어이다. 한국어에는 이러한 다의어가 많이 존재한다. 한국어를 모국어로 학습하는 한국인 학습자는 기본적인 직관을 통한 다의어 학습이 가능하다. 그러나 한국어에 대한 직관이 없는 외국인 학습자를 대상으로 하는 한국어 교육에서 다의어의 기본 의미에서 파생 의미로의 확장을 명확하게 규명하여 제시하는 것은 중요한 과정이라고 할 수 있다. 기본 의미가 어떠한 과정을 바탕으로 파생 의미를 갖게 되는지에 대한 규명이 중요한 이유가 여기에 있다고 할 수 있다. 따라서 본 연구는 인지언어학 이론이 다의어 의미확장을 규명할 수 있는지에 대한 가능성을 제시하고자 한다. This study presents the applicability of cognitive linguistic theory for Korean polyglot education. By applying the theory of round categorization of cognitive linguistics, we intend to identify the extension from the physicalized and objective circular sense to the abstracted and subjective derivative meaning. Unlike homonyms, polynomonyms are words that have derivative meanings based on basic meanings. There are many such multilingual words in Korean. Korean learners who learn Korean as their native language can learn multilingualism through basic intuition. However, it is an important process to clearly identify and present the extension from the basic meaning of polymorphism to the derived meaning in Korean language education for foreign learners who do not have an intuition about Korean. This is why it is important to find out what process the basic meaning is based on. Therefore, this work seeks to present the possibility of whether cognitive linguistics theory can identify multilingual semantic extensions.
실리콘 박막의 대용융 재결정에서 기판예열이 결정화에 미치는 영향
이시우,주승기,임인곤,반효동 대한금속재료학회(대한금속학회) 1993 대한금속·재료학회지 Vol.31 No.11
Solidification behaviors of silicon thin film in zone melting recrystallization with halogen lamps have been studied in terms of the substrate preheating temperature. Computer simulations were carried out to analyze the temperature profiles and interface instabilities in liquid and solid phases near the solidifying interface. It is expected from the computer simulations that when the preheating temperature is relatively low, the non-planar interface should be developed at the solidifying front and defect density should be low. On the other hand, when the preheating temperature is relatively high, the planar interface and high defect density are expected. At low preheating temperature, below 1000℃, regular defects corresponding to uniform cells were observed. Above 1000℃ Y-shaped irregular defects corresponding to planar interface were observed.
SOI-ZMR 에서 실리콘 박막의 재결정에 미치는 씨드 및 그리드의 영향
이시우,주승기,임인곤,반효동 대한금속재료학회(대한금속학회) 1993 대한금속·재료학회지 Vol.31 No.11
We have recrystallized p-Si thin film using periodically-arrayed seed windows and grid patterns. With continuous seeding effects from periodically-arrayed seed windows, nearly single crystalline films with few defects could be recrystallized. The recrystallized film had same crystallographic orientation with single crystalline substrate. Thermal profile at solidification front could be modified periodically by buried p-Si grid patterns in capping oxide. As a result, defect trails having same spacing with grid patterns could be localized. Defects were localized with grid spacing up to 80㎛, but above 80㎛ defects became irregular due to unstable solidifying front. At relatively low incident beam intensity, films having low defect density could be obtained. As the beam intensity increased the defects became irregular.
Lamp ZMR에 의한 SOI에서 비대칭 선형가열의 효과
반효동,이시우,임인곤,주승기 한국결정성장학회 1992 韓國結晶成長學會誌 Vol.2 No.2
In Zone Melting Recrystallization(ZMR) of SOl structure, thin silicon films have been recrystallized by artificial control of beam intensity profile which was obtained by tilting of upper elliptical reflector. Temperature profiles and gradients near solidification interface were calculated by numerical simulation for analysis of asymmetric line heating effect. The larger the tilting angle of the upper reflector, the larger the degree of supercooling at liquid and the interdefect spacing in thin silicon films. Major defects were continuous subgrainboundaries. Isolated threading dislocations were observed in the case of the film having low defect density. We have found that the thin silicon films were recrystallized into (100) textured single crystals by cross-sectional TEM and thin film X-ray diffraction analysis. SOI구조 형성을 위항 대용융 재결정(ZMR) 공정에서 타원형의 반사경을 기울여 빔강도분포를 인위적으로 변화시켜 실리콘 박막을 재결정시켰다. 비대칭 선형가열 효과를 해석하기 위하여 전산모사를 행하여 응고계면 근처에서의 온도분포와 열구배 변화를 조사하였다. 상부집속열원의 경사각이 증가할수록 액상의 과냉도와 실리콘 박막내의 결함열 간격은 증가하였다. 주된 결함은 연속적인 아결정립계였고 결함밀도가 낮은 경우는 isolated threading dislocations만이 관찰되었다. 단면 TEM과 박막 XRD 분석결과 실리콘 박막은 (100) 집합조직을 갖는 단결정 박막으로 재결정되었음을 확인할 수 있었다.