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이태섭,Lee, Tae-Seop 한국과학기술단체총연합회 1995 과학과 기술 Vol.28 No.4
1986년 8월27일 취임식을 갖던 날, 우리나라를 강타하며 34명의 인명을 앗아간 A급 태풍 베라호의 저해를 겪고 장기방재 대책의 일환으로 「태풍백서」를 발간했고 6.10항쟁 등 정치적 소용돌이 속에서도 유망한 젊은 과학도들을 발굴 ㆍ육성하기 위한 「과학상」제정을 실현하여 지금도 큰 보람으로 여기고 있다.
효과적인 공기 세정과 막오염 저감을 위한 MBR 모듈의 개발
이태섭,구정은,이강원,김정학 한국막학회 2015 한국막학회 총회 및 학술발표회 Vol.2015 No.11
고농도의 MBR처리공정에서 물리적 세정방법인 공기폭기(Aeration)는 장기간 막성능을 유지시키는기 위한 주요 방법으로, 기존의 연구들은 산기관의 성능을 극대화시켜 공기세정을 최적화시키는 연구를 주로 하였다. 효율적인 슬러지 탈리를 위해 폭기위치⋅시간⋅균일 배출성 및 데드존(Dead Zone) 감소 등 다양한 연구들이 진행되어 왔으며, 이를 통한 더 이상의 성능향상은 기대하기 어려운 상황이다. 산기관 최적화 이외에 막성능을 장기간 유지하기 위해서는 막모듈 전체에 공기에 의한 슬러지 탈리가 일어나야 하며, 이는 모듈의 구조적인 문제를 개선함으로써 해결책을 찾을 수 있다. 본 연구에서는 기존의 분리막 모듈과 구조가 변경된 모듈의 오염(fouling)에 따른 분리막 성능을 비교하고자 한다.
Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성
이태섭,구상모,Lee, Taeseop,Koo, Sang-Mo 한국전기전자학회 2014 전기전자학회논문지 Vol.18 No.4
본 연구에서는, Ni/CNT/$SiO_2$ 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터를 제작하고 전기적 특성을 조사하였다. 이를 통하여 4H-SiC MIS 소자에서 탄소나노튜브의 역할을 분석하고자 하였다. 탄소나노튜브는 이소프로필알코올과 혼합하여 $SiO_2$ 표면에 분산하였다. 소자의 전기적 특성 분석을 위하여 300-500K의 온도 범위에서 소자의 정전용량-전압 특성을 측정하였다. 밴드 평탄화 전압은 양의 방향으로 shift되었다. 정전용량-전압 그래프로부터 계면 포획 전하 밀도 및 산화막 포획 전하 밀도가 유도되었다. 산화막의 상태는 4H-SiC MIS 구조의 계면에서 전하 반송자 또는 결함 상태와 관련된다. 온도가 증가함에 따라 밴드 평탄화 전압은 음의 방향으로 shift되는 결과를 얻었다. 실험 결과로부터, Ni과 $SiO_2$ 계면에 탄소나노튜브를 첨가함에 따라 4H-SiC MIS 캐패시터의 게이트 특성을 조절 가능할 것으로 판단된다. In this study, the electrical characteristics of Ni/CNT/$SiO_2$ structures were investigated in order to analyze the mechanism of carbon nanotubes in 4H-SiC MIS device structures. We fabricated 4H-SiC MIS capacitors with or without carbon nanotubes. Carbon nanotubes were dispersed by isopropyl alcohol. The capacitance-voltage (C-V) is characterized at 300 to 500K. The experimental flat-band voltage ($V_{FB}$) shift was positive. Near-interface trapped charge density and oxide trapped charge density values of Ni/CNT/$SiO_2$ structure were less than values of reference samples. With increasing temperature, the flat-band voltage was negative. It has been found that its oxide quality is related to charge carriers or defect states in the interface of 4H-SiC MIS capacitors. Gate characteristics of 4H-SiC MIS capacitors can be controlled by carbon nanotubes between Ni and $SiO_2$.
탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성
이태섭,구상모,Lee, Taeseop,Koo, Sang-Mo 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.9
In this study, the electrical characteristics of the nickel (Ni)/carbon nanotube (CNT)/$SiO_2$ structures were investigated in order to analyze the mechanism of CNT in MOS device structures. We fabricated 4H-SiC MOS capacitors with or without CNTs. CNT was dispersed by isopropyl alcohol. The capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) are characterized. Both devices were measured by Keithley 4200 SCS. The experimental flatband voltage ($V_{FB}$) shift was positive. Near-interface trap charge density ($N_{it}$) and negative oxide trap charge density ($N_{ox}$) value of CNT embedded MOS capacitors was less than that values of reference samples. Also, the leakage current of CNT embedded MOS capacitors is higher than reference samples. It has been found that its oxide quality is related to charge carriers and/or defect states in the interface of MOS capacitors.
Cox 비례위험모형을 이용한 우측 대장암 3기 자료 분석
이태섭,이민정 한국데이터정보과학회 2017 한국데이터정보과학회지 Vol.28 No.2
In this paper, we conducted survival analyses by fitting the Cox proportional hazards model to stage III proximal colon cancer data obtained from the Surveillance, Epidemiology, and End Results program of the National Cancer Institute. We investigated the effect of covariates on the hazard function for death from proximal colon cancer in stage III with surgery performed and estimated the survival probability for a patient with specific covariates. We showed that the proportional hazards assumption is satisfied for covariates that were used to analyses, using a test based on the Schoenfeld residuals and plots of the Schoenfeld residuals and log[−log{bS(t)}]. We evaluated the model calibration and discriminatory accuracy by calibration plot and time-dependent area under the ROC curve, which were calculated using 10-fold cross validation. 본 논문에서는 미국 국립암연구소의 SEER 프로그램에서 제공하는 우측 대장암 3기 자료에 Cox 비례위험모형을 적합하여 생존분석을 하였다. 우측 대장암 3기 환자의 사망률에 유의한 영향을 미치는 공변량들을 파악하고, 관심있는 공변량들을 가진 환자의 생존율을 추정하였다. Schoenfeld 잔차를기반한 검정과 Schoenfeld 잔차 도표, log[−log{bS(t)}] 도표를 이용하여 분석에 사용된 공변량들이비례위험 가정을 만족함을 확인하였다. 적합된 Cox 비례위험모형의 타당성을 검증하기 위해 10-fold 교차 검증을 이용하여 calibration 도표와 시간에 의존하는 ROC 곡선 아래 면적을 계산하였다. 이를통해 적합된 Cox 비례위험모형의 타당성을 확인하였다.