http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
이준성,유현신,서형식,노석선,Lee, Jun-Seong,Rheu, Hyun-Sin,Seo, Hyung-Sik,Rho, Seok-Seon 대한한방안이비인후피부과학회 2001 한방안이비인후피부과학회지 Vol.14 No.2
The result were as follows: 1. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is used to be very busy on the Gypsum Fibrosum( 石膏) and Asari herba cum Radice(細辛). 2. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is clearing away heat and helping sweat 3. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is cold and hot. 4. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is pungent, bitter and sweet. 5. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is non-toxic. 6. Apply the drug to the Dental and Paradental digease is used to be very busy on the chanel of liver and stomach.
ZnO:Al 투명전도막을 이용한 높은 개방전압을 갖는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조
이정철(Lee, Jeong-Chul),이준신(Yi, Jun-Sin),송진수(Song, Jin-Soo),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2006 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.06
Superstrate pin amorphous silicon thin-film (a-Si:H) solar cells are prepared on SnO₂:F and ZnO:Al transparent conducting oxides (TCO) In order to see the effect of TCO/P-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage V_{oc} than cells prepared on SnO₂:F. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer ({mu}c-Si:H) between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as V_{oc}, of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high V_{oc}, of 994mv while keeping fill factor (72.7%) and short circuit current density J_{sc} at the same level as for the cells on SnO₂:F TCO. This high V_{oc} value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
주택보급형 태양전지 양산기술 및 계통연계 3kW 태양광 시스템 상용화 기술개발
이박일(Lee, Park-Il),문상진(Mun, Sang-Jin),윤종호(Yun, Jong-Ho),김흥근(Kim, Heung-Geun),유권종(Yu, Gwon-Jong),윤태영(Yun, Tae-Yeong),김신섭(Kim, Sin-Seop),배상순(Bae, Sang-Sun),이준신(Lee, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.11
태양전지는 요구전력의 필요에 따라 직 병렬로 연결하여 태양전지 모듈(solar cell module)로 제품화한다. 태양전지가 실제로 전자제품에 연결해서 사용하기 위해서는 주변장치(BOS, Balance of System)가 사용된다. 또한 일사량의 강도에 따라 불균일한 직류전기가 발생되므로, 태양광발전시스템은 모듈을 직 병렬로 연결한 태양전지 어레이(solar cell array)와 안정된 전기공급을 위한 전력조정기(power conditioning system, 이하 PCS)가 필요하다. 또한 직류가 아닌 교류를 필요로 하는 응용제품에는 직 교류변환장치 인버터(inverter)를 필요로 한다. 본 과제는 전시를 위한 연구개발 목적보다는 태양광 시스템 보급 양산기술에 중심을 두어 태양광 산업경제를 활성화 하고자한다. 따라서 본 과제는 기존에 연구개발과 특수목적 시장 중심인 초고효율 태양전지 개발보다 경제적인 기여도와 파급효과가 크다.
고효율 저가형 결정질 태양전지의 양산화를 위한 shallow emitter 적용 공정의 최적화
이경수(Lee Kyong-Su),한창순(Han Chang-Soon),한석규(Han Seok-Kyu),주민규(Ju Min-Kyu),김병국(Kim Byung-Kuk),조영미(Jo Young-Mi),이준신(Yi Jun-Sin) 한국태양에너지학회 2010 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11
In manufacturing the solar cell with high efficiency crystalline structure, forming the emitter layer by phosphorous doping is one of the critical factors to determine the efficiency of solar cell. Forming the layer of emitter doped with a lower impurity concentration makes the spectral response improvement in the short wavelength region and increases the amount of short circuit current. However shallow emitter requires various material and process optimizations such as the contact resistance reduction, junction leakage prevention and metal contact firing profile. This paper reports our efforts directed to minimize the contact resistance by optimizing emitter uniformity, front Ag metal contact on a shallow emitter layer for the high efficiency solar cells. Using Cz p-type Si wafer with 125㎜ by 125㎜ area, we fabricated shallow emitter with the sheet resistance of 60-100ohm/square by changing temperature and gas ratio of N2,O2, POCl3 in batch type furnace. We varied the belt speed of metal firing furnace and the number of screen printed metal fingers. The contact resistance was measured by using contact resistance mapping instrument. We observed that the amount of current density was improved more than 1mA/cm2 in comparison to the reference cells with sheet resistance of 40-60ohm/square.
실리콘 기판 습식 세정에 따른 a-Si:H/c-Si 계면 및 이종접합 태양전지 특성 분석
송준용(Song, Jun-Yong),정대영(Jeong, Dae-Young),김찬석(Kim, Chan-Seok),박상현(Park, Sang-Hyun),조준식(Cho, Jun-Sik),윤경훈(Yun, Kyoung-Hun),송진수(Song, Jin-Soo),이준신(Lee, Jun-Sin),김동환(Kim, Dong-Hwan),이정철(Lee, Jeong-Chul) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
고효율 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위한 요소기술 중 a-Si:H/c-Si 간의 계면 안정화는 태양전지 효율에 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 n-type 결정질 실리콘 기판을 사용하여, 소수전하들의 재결합을 방지하고, 계면 안정화를 실행하는 방안으로 실리콘 기판 습식 세정을 수행하였다. 반도체 공정에서 일반적으로 알려진 RCA 세정기법에 HF 세정을 마지막공정으로 추가하여 자연 산화막과 기타 불순물을 더욱 효과적으로 제거할 수 있도록 실험을 진행하였다. 마지막 공정으로 추가된 HF 세정에 의한 a-Si:H/c-Si 계면 안정화 효과를 관찰하기 위하여 HF농도와 HF 세정시간에 따른 소수반송자 수명을 측정하였다. 또한 HF 세정 이후 공정의 영향을 확인하기 위하여 PE-CVD법으로 a-Si:H 박막 증착 이전 실리콘 기판의 온도와 상온에서 머무는 시간에 따른 a-Si:H/c-Si 계면안정화 특성을 분석하였다. 본 실험을 통해 HF세정공정이 계면특성에 미치는 영향을 확인하였으며 실리콘 기판 습식 세정이 이종접합태양전지 특성에 미치는 영향을 분석하였다.