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        「체스 광(狂)」을 통해 본 쁘렘짠드의 시대 인식

        이은구 한국외국어대학교 외국문학연구소 2009 외국문학연구 Vol.- No.33

        본고는 쁘렘짠드의 단편소설 「체스 광(狂)」에서 체스 내기에 중독된 주인공들의 향락, 퇴폐, 상실, 좌절, 죽음 등을 통해 당시 식민 지배하의 인도 지배층들이 암울한 시대를 어떻게 인식하고 있었는지에 대해 다양한 분석을 시도하였다. 체스 내기에 중독되어 현실을 직시하지 못하고 있는 봉건 영주는 봉건 사회체제 붕괴의 두려움으로 인해 파멸 의식을 갖게 되었고, 영국식민 통치자들의 압제의 공포로 인해 좌절감과 소외 의식을 갖게 되었다. 이들은 봉건주의와 식민주의에 의해 이중으로 압박받는 암담한 현실에서 국가와 민족에 관심을 보여야 할 지배층으로서 자아에 대한 신념과 의지를 완전히 상실한 패배주의자이며 극단적 이기주의자였다. 쁘렘짠드는 1856년을 배경으로 하는 이 역사소설을 통해 민족의식을 망각한 지배층을 풍자적으로 조소함으로써 1920년대 인도 사회의 모순을 비판하였다. 특히 이들에 대한 풍자적 묘사는 현실을 직시하지 못한채 가정과 사회에 무책임한 태도로 일관하고 있는 지배층에 대한 통렬한 비난 효과를 극대화하고 있다. 쁘렘짠드는 식민지 시대 인도 사회의 일면을 예리하게 관찰하고 분석하면서 개선의 여지나 변화의 조짐도 없는 당대의 현실을 매우 암울한 시대로 인식했다. 그리고 그는 암담한 현실을 청산하고 새로운 세계를 창출한다는 의미에서 죽음의 상황을 설정했다. 그러므로 체스 내기에서마저 자신의 체면과 위신을 지키려고 장렬하게 싸우다 전사한 이들의 추악한 비극의 현장은 새로운 세계를 갈망하는 작가의 의도를 표출한 것이라고 하겠다. 「체스 광(狂)」에서 쁘렘짠드는 향락에 빠진 암담한 식민지적 현실을 냉혹하게 비판하면서 지배층 인물들의 자기모순적 행위를 정직하게 묘사하였다. 그리하여 쁘렌짠드는 민중을 계몽해야 한다는 사명감을 갖고 민족과 역사의 한 증인으로서 당대의 시대 상황을 그대로 묘사한 사실주의 작가로 높이 평가받고 있다. This article tried various analyses about how the ruling class of India at that time was looking at the dark and miserable time, through enjoyment, corruption, loss, frustration and death of the two heroes addicted to chess betting from the The Chess Players, a short story written by Premchand. The feudal lords who cannot look squarely on the reality due to his addiction on chess betting developed to have destructive consciousness due to the fear for a breakdown of feudal society system, and also developed the consciousness of estrangement from the fright for oppression of the British colony rulers. They were in the ruling class and were to be interested in the country and nation fell in dark reality, thus they were doubly pressured by feudalism and colonialism, and they were also defeatists who completely lost the faith and will about themselves and extreme egoists at the same time. Premchand criticized contradiction of the Indian society in the 1920s by satirically mocking the ruling class who forgot their national consciousness through this historical novel with its background being on the year 1856. Especially, the satire description about them optimizes the effect of severe criticism on the ruling class people consistent in their irresponsible manner to both their homes and society, whilst not facing up to reality. Premchand has sharply observed and analyzed one facet of Indian society in the colonial era, while recognizing the reality at that time as a very gloomy age with no possibility of improvement or any sign of change. Also, he has set the situation of death in a sense of liquidating the dark present and creating a new world. Therefore, the scene of such ugly tragedy of those who died in battle while fighting for the one’s prestige and dignity even for some chess betting shows the intention of author who craves for a new world. In The Chess Players, Premchand cruelly criticizes the dark colonial reality in enjoyment, and described the self-contrary behaviors of the ruling class people sincerely and honestly. For that reason, Premchand, as a witness of a nation who had the historical errand of educating them, is recognized as a successful realism writer who realistically described the conditions of those days.

      • SCOPUSKCI등재

        $Pb(Zr,Ti)O_3$ 강유전체 박막 이력곡선의 변형에 관한 연구

        이은구,이종국,이재갑,김선재,Lee, Eun-Gu,Lee, Jong-Guk,Lee, Jae-Gap,Kim, Seon-Jae 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.5

        다양한 Zr/Ti 비율을 갖고 있는 강유전체 PZT박막을 졸-겔 법으로 증착하였고 상부 백금전극의 제조방법과 열처리온도의 변화에 따라 강유전체 특성을 측정하여 이력곡선의 변형 원인을 조사하였다. Pt/PZT/Pt 캐패시터는 상부 백금전극을 반응성 이온 식각(RIE) 하는 과정에서 생성된 dc plasma 전압에 의하여 양의 방향으로 분극되었고 도메인 계면에 포획된 전하에 의해 내부전장이 발생되었다. PZT 박막은 sputtering으로 상부전극을 증착하는 과정에서 이력곡선의 중간에 잘룩하게 되는 시효현상이 관찰되었다. 상부전극을 제작한 후 열처리는 포획된 전하흫 제거시켜 양호한 이력곡선 특성을 되찾게 하였다. Zr/Ti 비율이 감소함에 따라 내부전장이 증가하였으며 내부전장이 없어지는 열처리온도가 증가하였다. Deformation in the hysteresis loop of $Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) thin films with various Zr/Ti ratios has been studied by varying the top electrode preparation method and the annealing temperature. Pt/PZT/Pt capacitors was found to be positively poled due to dc plasma potential generated during reactive ion etch (RIE) of Rt. Internal field is formed by space charges trapped at domain boundaries. Aging phenomenon such as constriction in the middle of the hysteresis loop was observed in the PZT film with top electrode deposited by sputtering. Top electrode annealing restores the hysteresis loop by removing the space charges. As Zr/Ti ratio decrease, voltage shift increases and an-nealing temperature at which internal field disappears also increases.

      • SCOPUSKCI등재

        저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장

        이은구,박진성,이재갑,Lee, Eun-Gu,Park, Jin-Seong,Lee, Jae-Gap 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.2

        The surface morphology and grain growth of amophous silicon (a-Si) films deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) have been investigated as a function of deposition and in sltu annealing condition. The film deposited at the amorphous to polycrystalline transition temperature has an extra-rough, rugged surface with (311) t.exture. At the same deposition temperature, the grain structure tends to shirr. from the polycrystalline to the amorphous phase with increasing the film thickness. It is found that nucleation of a-Si during in situ annealing at the transition temperature without breaking the vacuum starts to occur from surface Si atom migration in contrast to a heterogeneous nucleation during film deposition. 저압 화학 기상증착법으로 제작한 비정질 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장 과정을 증착조건과 열처리 조건의 변화에 따라 조사하였다. 비정질에서 결정으로 변화하는 전이온도인 570~$590^{\circ}C$에서 증착한 시편은 (311)조직의 거친 표면으로 성장하였다. 같은 증착 온도에서 두께가 두꺼울수록 다결정에서 비정질로 변화하였다. 증착하는 과정에서의 결정화는 기판에서부터 시작되지만, 진공상태를 그대로 유지하고 비정질 실리콘을 전이온도에서 열처리하면 표면 실리콘 원자가 이동하여 결정화하였다.

      • KCI등재
      • SCOPUSKCI등재
      • KCI등재

        베이스 영역의 불순물 분포를 고려한 집적회로용 BJT의 역포화전류 모델링

        李恩九,김철성,金泰漢 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.40 No.4

        The model of the transistor saturation current of the BJT for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed. The method for calculating the doping profile in the base region using process conditions is presented and the method for calculating the base Gummel number of lateral PNP BJT and vertical NPN BJT is proposed. The transistor saturation currents of NPN BJT using 20V and 30V process conditions obtained from the proposed method show an average relative error of 6.7% compared with the measured data and the transistor saturation currents of PNP BJT show an average relative error of 6.0% compared with the measured data 반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

      • SCOPUSKCI등재

        (Bi,La)FeO<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub> 세라믹스의 자전효과

        이은구,이종국,장우양,김선재,이재갑,Lee Eun Gu,Lee Jong Kook,Jang Woo Yang,Kim Sun Jae,Lee Jae Gab 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.2

        Magnetoelectric (ME) effects for lanthanum modified $BiFeO_3-PbTiO_3\;(BE-_xPT)$ solid solutions have been investigated. The value of magnetoelectric polarization coefficient, up is 10 times greater than that of $Cr_2O_3$. The results also show that up is due to a linear coupling between polarization and magnetization, and that up is independent of do magnetic bias and ac magnetic field. The ME effect is believed to be significantly enhanced due to breaking of the cycloidal spin state of a long-period spiral spin structure, via randomly distributed charged imperfections.

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