정전 열 접합을 이용한 Multi-Substrate Bonding

이덕중,주병권,최우범,한정인,조경익,이광배,장진,오명환 경북대학교 센서기술연구소 1997 센서技術學術大會論文集 Vol.8 No.1

We performed silicon-to-glass bonding using silicon direct bonding followed by anodic bonding(SDAB). Initial bonding between glass and silicon was caused by the hydrophilic surfaces of silicon and glass ensemble using silicon direct bonding(SDB) method. We found that the bonded specimen using SDAB process had higher strength than one using anodic bonding process only. We performed multiple layer bonding by SDAB, which is glass- silicon -glass as sandwich structure. In the silicon wafer, the (1mm x 2mm x 500μm)-sized cavity was formed by the anisotropic etching of the silicon substrate in EPW(Ethylendiamin-Pyrocatechol-Water). And, the cavity was sealed with glass wafers by SDAB method.

월리엄 부스의 생애와 사상

이덕중(Lee Deok Joong) 한국기독교회사학회 2003 교회사학 Vol.2 No.1

신학과 철학에 있어서 `우시아`의 개념 이해

이덕중 ( Lee Deok Joong ) 한국기독교철학회 2017 기독교철학 Vol.23 No.-

우시아`(ουσια)는 철학과 기독교 신학의 역사에서 상이한 개념으로 이해되어 왔다. 철학에 있어서 우시아는 `실체`로서 개개의 독립된 사물로써 규명되는 제일 실체로 불리어졌다. 그러나 기독교의 우시아는 신을 의미하며 사유적 통일성으로서의 `존재`, `본질`로 해석되어 왔다. 이런 우시아가 신학과 철학에서 분리되어 해석됨으로 많은 혼란을 가져왔다. 그것은 초기 기독교 신학이 철학의 옷을 입는 과정에서 해석상의 오해를 낳기도 하였다. 본 논문은 우시아의 개념을 철학적 입장에서 아리스토텔레스의 형이상학과 플라톤의 개념을 살펴보고, 기독교적 입장에서 우시아를 어떻게 해석하고 수용하는지를 살펴보고자 한다. 우시아의 개념이 토마스 아퀴나스에게 와서 철학적 입장과 기독교적 입장을 종합하지만, 그러나 기독교의 신약성경의 개념과는 완전하게 일치하지 않는 모습도 발견할 수 있을 것이다. 결국 신학과 철학의 근본적 차이는 이성과 계시에 있다. 철학은 신의 지식에 대한 이성적 논의의 결론으로 받아들이지만, 기독교는 결론이 아니라 전제로서 받아들여진다. The purpose of this paper is to show why and in what philosophical concept of ousia makes a difference from Christian concept of ousia. Aristoteles made a review on the various questions concerning the concept of ousia in the chapters 7 and 8 of his Metaphysics. These are "What is being?", "What is the universal?", "What is the genus?", and "What is the substrate?" Aristoteles prescribed that ousia is a concrete and individual thing, but that it is an "eternal and unchangeable" thing, separated from the substrate. This idea opened `the way toward his discussion on the primary philosophy, namely theology. `I examined how the concept of ousia had been misunderstood, mistranslated and misused in some Christian philosophers from the early stage of Christianity to the Middle Ages. This misunderstanding of the concept of ousia resulted from failing to set a limitation in an explanation of infinite God. To show their misunderstanding of the concept of God, I explain the Christian concept of God as Being, namely esse.

토마스 아퀴나스의 '우시아' 이해

이덕중(Lee Deok-Jung) 새한철학회 2009 哲學論叢 Vol.55 No.1

토마스 아퀴나스는 아리스토텔레스의 철학을 자신의 사상을 세우는데 중요한 도구로 가져왔다. 특히 존재, 즉 하나님을 증명하고, 그 이론을 세우는데 중요한 기반으로 삼는다. 그 핵심적 용어가 '우시아'(ο σ α)이다. 이 뜻을 사전에서 찾아보면 being(존재), essence(본질), substance(실체), property(자산가) 등으로 해석된다. 철학자들에 따라서 이 '우시아'는 각기 다른 해석과 이해로 발전하기도 한다. 특히 '우시아'는 아리스토텔레스에게서 발전된 존재의 개념인데, 이 말에 대한 오해가 토마스 아퀴나스의 존재를 오해하게 했다. 토마스 아퀴나스가 이 말을 그리스도교 신학에 한정적으로 사용할 때, 하나님이 되는 것이다. 그러므로 그의 그리스도교 신학에 대한 전이해(前理解)가 반드시 필요한 것이다. 토마스 아퀴나스의 그리스도교적 사고를 충분히 이해하지 않으면 '우시아'는 단순히 사전적이고, 철학적 개념 분석에 의존하여 지나치기가 쉽다. 그러므로 '우시아'가 어떻게 이해되어 졌으며, 어떻게 역사 속에서 변형되고 발전되어 왔는지를 정리 해 볼 필요가 있다. 아우구스티누스의 《참회록》에서 아리스토텔레스에 대하여 언급하는 부분이 드러나는데, 이때만 해도 아리스토텔레스의 《형이상학》보다는 《범주론》이 유행을 한다. 이것을 통한 아리스토텔레스의 철학은 중세 초기의 신플라톤주의에 동화되어 그리스도교의 체계 내에 휩싸여 버린다. 중세 초기의 '우시아 논쟁'은 소위 존재에 대한 다양한 논쟁들로 나타나게 되는데, 그것이 그리스도교에서 삼위일체론과 그리스도론으로 나타나게 된다. 그런데 이 논쟁은 '신'에 대한 언어의 오해에서 비롯된 논쟁이었다. 즉, '그리스도는 하나님과 같다.'라는 동일본질과 '그리스도는 하나님과 비슷하다'라는 유사본질간의 갈등이 형성된 것이다. 토마스 아퀴나스에게 있어서 '존재의 구분'의 오해는 어떻게 비롯되는가? 바로 '우시아 이해'에 있다. 즉, 초기 그리스도교가 철학의 언어를 라틴어로 번역하여 수용함에 있어서 '우시아'를 오해하고 있었던 것이다. 토마스 아퀴나스는 신의 존재를 증명하면서, 명확하게 '신은 자신의 본질'이라고 설명한다.

철학에 있어서의 '아이티아' 이해

이덕중(Lee Deok-Jung) 새한철학회 2008 哲學論叢 Vol.3 No.53

철학에 있어서 아이티아는 무엇인가? 또한 아르케는 어떻게 이해해야 하는가? 이 두 단어사이에서 철학이 비롯되었다고 해도 과언이 아니다. 철학자들마다 아이티아를 이해하는 방식이 다르다. 또한 해석하는 방식도 다르다. 그리고 아이티아는 현대에 있어서 과학적 의미로서 사용되기도 한다. 그러므로 여기에서 밝히고자하는 것은, 가장 먼저 아르케와 아이티아의 의미를 물을 것이다. 그리고 이것이 어떻게 해석되고, 어떻게 사용되어 왔는지를 살펴보아야 한다. 플라톤에게 있어서 아르케는 신에 의해 만들어진 원소이다. 또는 규칙이나 질서로 이해할 수 있다. 반면에 플라톤에게 있어서 아이티아는 근원적인 의미로 사용하지 않는다. 단지 회화적 의미로 사용하는 모습을 볼 수 있다. 아리스토텔레스에게 있어서 '아이티아'는 곧 '아르케'이다. 그의 형이상학 에서 보면 '아르케'를 대신하여 '아이티아'를 사용하기도 한다. '아이티아'가 중세시대에 번역되는 과정이 있다. 아리스토텔레스를 번역하는 아랍의 철학과 그리스도교의 아우구스티누스를 말할 수 있다. 아리스토텔레스의 '아이티아'를 중세에 연결한 중요한 사람인 제라드의 원인론 을 들 수 있다. 그 저술 속에 '아이티아'가 'Causa'로 번역되어 사용하게 되었다. 중세에 있어서 'Causa'는 아리스토텔레스의 4원인설을 의미하는 것으로 전해졌다. 그러나 토마스 아퀴나스는 'Causa'를 제1원인으로서 신의 존재를 밝히는 의미로 사용했다.

진공-정전 열 접합을 이용한 FED의 Tubeless Packaging

주병권,이덕중,정지원,안준호,김훈,오명환 경북대학교 센서기술연구소 1998 센서技術學術大會論文集 Vol.9 No.1

Sotalime-to-sodalime glass electrostatic bonding was performed by using Si interlayer and its applicability was evaluated by panel capping of FED in vacuum environment. The bonding properties of the bonded sodalime-to-sodalime structure were investigated and Mo-tip FED was successfully vacuum-packaged by the developed bonding technology.

유기물을 사용한 PDP 저온 접합

문승일,이덕중,김영조,이윤희,주병권 한국전기전자재료학회 2002 전기전자재료학회논문지 Vol.15 No.11

This paper repors on low temperature sealing process of PDP using binder and capping glass. The exhausting hole on rear glass of PDP was sealed by capping glass using screen-printed binder without exhausting glass tube. Based on the tubeless packaging process, out gassing problem could be reduced and vacuum conductance could be improved by eliminating exhaust tube.

수직형 Feed-through 갖는 RF-MEMS 소자의 웨이퍼 레벨 패키징

박윤권,이덕중,박흥우,김훈,이윤희,김철주,주병권,Park, Yun-Kwon,Lee, Duck-Jung,Park, Heung-Woo,kim, Hoon,Lee, Yun-Hi,Kim, Chul-Ju,Ju, Byeong-Kwon 한국전기전자재료학회 2002 전기전자재료학회논문지 Vol.15 No.10

Wafer level packaging is gain mote momentum as a low cost, high performance solution for RF-MEMS devices. In this work, the flip-chip method was used for the wafer level packaging of RF-MEMS devices on the quartz substrate with low losses. For analyzing the EM (electromagnetic) characteristic of proposed packaging structure, we got the 3D structure simulation using FEM (finite element method). The electric field distribution of CPW and hole feed-through at 3 GHz were concentrated on the hole and the CPW. The reflection loss of the package was totally below 23 dB and the insertion loss that presents the signal transmission characteristic is above 0.06 dB. The 4-inch Pyrex glass was used as a package substrate and it was punched with air-blast with 250${\mu}{\textrm}{m}$ diameter holes. We made the vortical feed-throughs to reduce the electric path length and parasitic parameters. The vias were filled with plating gold. The package substrate was bonded with the silicon substrate with the B-stage epoxy. The loss of the overall package structure was tested with a network analyzer and was within 0.05 dB. This structure can be used for wafer level packaging of not only the RF-MEMS devices but also the MEMS devices.

비전도성 에폭시를 사용한 RF-MEMS 소자의 웨이퍼 레벨 밀봉 실장 특성

박윤권,이덕중,박흥우,송인상,김정우,송기무,이윤희,김철주,주병권 한국마이크로전자및패키징학회 2001 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.8 No.4

본 연구에서는 RF-MEMS소자의 웨이퍼레벨 패키징에 적용하기 위한 밀봉 실장 방법에 대하여 연구를 하였다. 비전도성 B-stage에폭시를 사용하여 밀봉 실장하는 방법은 플립칩 접합 방법과 함께 MEMS 소자 패키징에 많은 장점을 줄 것이다. 특히 소자의 동작뿐만 아니라 기생성분의 양을 줄여야 하는 RF-MEMS 소자에는 더욱더 많은 장전을 보여준다. 비전도성 B-stage 에폭시는 2차 경화가 가능한 것으로 우수한 밀봉 실장 특성을 보였다. 패키징시 상부기관으로 사용되는 유리기판 위에 500 $\mu\textrm{m}$의 밀봉선을 스크린 프린팅 방식으로 패턴닝을 한 후에 $90^{\circ}C$와 $170^{\circ}C$에서 열처리를 하였다. 2차 경화 후 패턴닝된 모양이 패키징 공정이 끝날 때까지 계속 유지가 되었다. 패턴닝 후 에폭시 놀이가 4인치 웨이퍼에서 $\pm$0.6$\mu\textrm{m}$의 균일성을 얻었으며, 접합강토는 20 MPa을 얻었다. 또한 밀봉실장 특성을 나타내는 leak rate는 $10^{-7}$ cc/sec를 얻었다. In this paper, hermetic sealing technology was studied for wafer level packaging of the RF-MEMS devices. With the flip-chip bonding method. this non-conductive B-stage epoxy sealing will be profit to the MEMS device sealing. It will be particularly profit to the RF-MEMS device sealing. B-stage epoxy can be cured by 2-step and hermetic sealing can be obtained. After defining 500 $\mu\textrm{m}$-width seal-lines on the glass cap substrate by screen printing, it was pre-baked at $90^{\circ}C$ for about 30 minutes. It was, then, aligned and bonded with device substrate followed by post-baked at $175^{\circ}C$ for about 30 minutes. By using this 2-step baking characteristic, the width and the height of the seal-line could be maintained during the sealing process. The height of the seal-line was controlled within $\pm$0.6 $\mu\textrm{m}$ in the 4 inches wafer and the bonding strength was measured to about 20MPa by pull test. The leak rate, that is sealing characteristic of the B-stage epoxy, was about $10^{-7}$ cc/sec from the leak test.

유리-유리 기판의 진공-정전 열 접합 특성

주병권,이덕중,이윤희 한국마이크로전자및패키징학회 2000 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.7 No.1

유리 프릿과 유리 튜브를 사용하지 않고 FED, VFD와 PDP를 봉입할 수 있는 기반 기술로서, 진공 내에서 두 장의 sodalite유리 기판들을 정전 열 접합하는 공정을 연구하였으며, 대기 중에서 정전 열 접합한 기판 쌍들과 비교하여 접합 특성을 비교.분석하였다. 진공 분위기 내에서 비정질 실리콘 interlayer를 이용하여 접합된 유리 기판 쌍의 경우, 대기압의 경우와 비교할 때 동일한 접합 온도와 전압에서 접합 강도가 상대적으로 낮은 것으로 측정되었으며, 산소 분위기의 경우 접합 강도가 증가하였음을 확인하였다. XPS와 SIMS를 통한 비정질 실리콘 표면 및 유리기판 표면의 조성 변화 분석으로부터, 진공내에서 산소가 부족함으로써 정전 열 접합 과정에서 부가적으로 수반되는 실리콘 산화막이 불완전하게 형성된 것으로 해석 할 수 있다. As an essential technology for the FED, VFD and PDP packaging having merits of no glass frit and no glass tube usage, two sodalime glass substrates were electrostatically-bonded in a vacuum environment, and the bond properties were compared with the case of bonding in atmosphere. The glass wafer pairs bonded in vacuum using a-Si interlayer had a relatively lower bond strength than the ones bonded in atmosphere under same bonding conditions (temperature and voltage). And the bond strength was increased in the case of oxygen ambient. Through the XPS and SIMS analyses fur the surface region of a-silicon and bulk glass, it might be concluded that the lower bonding strength was originated from the inactive silicon oxide growth occurred during the electrostatic bonding process due to oxygen deficiency in vacuum.