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Trench 구조를 이용한 단일모드형 고휘도 발광소자의 광출력 증가
유영채,한일기,이정일,Yoo, Young-Chae,Han, Il-Ki,Lee, Jung-Il 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.5
기저준위의 중심 피크가 $1.3\;{\mu}m$인 다층 양자점 구조를 사용하여 트렌치 구조를 가진 J-형태의 고휘도 발광소자 (superluminescent diodes)를 제작하였다. 도파로와 트렌치 구조 사이의 간격이 좁아지면서 광출력이 최대 20배까지 증가하였음을 확인하였다. 전류의 증가에 의한 EL 피크 측정결과 트렌치 구조를 가진 경우에 여기준위의 피크가 기저준위의 피크보다 수 십배 증가하는 것을 확인하였고, 이로부터 트렌치 증가에 의한 광출력의 증가는 양자점의 여기준위에 의한 것으로 판단하였다. J-shaped superluminescent diodes (SLD) utilizing trench structure have been fabricated on the multiple quantum dots epi-structure with its ground state energy wavelength of $1.3\;{\mu}m$. It was observed that optical power was drastically increased up to 20 times in comparison with that of SLD without trench structure, The electroluminescence characteristics showed that the peak intensity of excited state was several ten times higher in the SLD with trench than without trench structure. It is explained that the optical power enhancement of J-shaped SLD with trench structure resulted from the drastic increase of peak intensity of excited state.
$1.5{\mu}m$ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성
유영채,이정일,김경찬,김은규,김길호,한일기,Yoo, Young-Chae,Lee, Jung-Il,Kim, Kyoung-Chan,Kim, Eun-Kyu,Kim, Gil-Ho,Han, Il-Ki 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.5
MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 $1.5{\mu}m$의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3-dB 파장대역폭은 55 nm 이었다. Superluminescent diodes (SLD) with the emitting wavelength of $1.55{\mu}m$ was fabricated on InGaAs quantum dot structure grown by MOCVD. The output power and 3-dB bandwidth at room temperature and continuous wave operation were 3 mw and 55 nm, respectively.
1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성
유영채(Young-Chae Yoo),이정일(Jung-Il Lee),김경찬(Kyoung-Chan Kim),김은규(Eun-Kyu Kim),김길호(Gil-Ho Kim),한일기(Il-Ki Han) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.5
MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자(Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 ㎽ 였고, 3?㏈ 파장대역폭은 55 ㎚ 이었다. Superluminescent diodes (SLD) with the emitting wavelength of 1.55 ㎛ was fabricated on InGaAs quantum dot structure grown by MOCVD. The output power and 3-㏈ bandwidth at room temperature and continuous wave operation were 3 mw and 55 ㎚, respectively.
이철원(Chul-Won Lee),유영채(Young-Chae Yoo),송범헌(Beom-Heon Song) 韓國雜草學會 2009 Weed&Turfgrass Science Vol.29 No.1
헤어리베치를 배·과수원에서 녹비 및 피복작물로 재배하여 효과적이고 환경친화적인 과수원 관리 기술을 개발하기 위하여 시험을 실시하였다. 월동직후 헤어리베치의 지상부 건물중은 5월 하순까지 급격히 증가하였으며, 지표면이 신속하게 피복되고 성숙 고사된 후에도 잔유물이 토양에 피복됨으로서 잡초 발생 억제 효과가 좋았다. 단위면적당(ha) 파종량은 70kg 정도가 적합하였으며, 1회 파종으로 3년정도 과수원 초생관리가 유지되었다. 헤어리베치의 지상부 질소 함량은 5월초·중순에 가장 높았으며, 헤어리베치 재배후 과수원 토양을 분석한 결과 토양 산도, 유기물함량, CEC, 토양 무기성분 함량이 증가되었다. Hairy vetch (Vicia villosa) as a legume crop was seeded 30kg, 50kg, 70kg, 90kg per ha at early September 2003 in pear orchard. The experiments of common hairy vetch were for examine the sod culture and manure effect in orchard. After wintering in early March hairy vetch with high cold tolerance showed rapid regrowth compared to other plants and the dry weight was maximized at flowering period on late May to early June. Weed control was effective highly due to hairy vetch residues after withering in summer season. The practical seeding rate per ha was 70kg for covering soil and weed control, and the sod culture by hairy vetch when is seeded one time at mid summer was maintained for 3 to 4 years. N content of aerial part of hairy vetch reached the maximum at flowering stage in late May to early June. After 4 years of sod culture of hairy vetch in orchard soil pH was changed from 5.4 in no-treatment to 5.9 in 70kg plot and CEC, organic matter content and mineral nutrition were increased more than in no-treatment plot significantly.