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(P)SiC / (N)Si 이종접합 태양전지에 관한 연구
전춘생(Choon-Saing Jhoun),박원규(Won-Kyu Park),우호환(Ho-Whan Woo) 한국태양에너지학회 1991 한국태양에너지학회 논문집 Vol.11 No.1
본 연구에서는 기판의 증착온도를 200±5[5℃]로 유지하여 진공증착법으로 (P)SiC/(N)Si 태양전지를 제작하고 그외 특성을 조사하였다. SiC박막의 최적 두께 1.2[㎛]는 박막두께와 변환효율과의 관계로 부터 정해졌고 태양전지의 특성은 열처리에 의하여 개선되었다. 최적조건의 열처리 온도와 시간은 420[℃]에서 12분이고 분광 응답의 피크값은 열처리 온도의 증가와 더불어 장파장 쪽으로 이동함을 알았다. X선 회절분석 및 SEM검사는 열처리 온도와 시간에 따라 SiC박막내에서 결정성장을 보여주며 2.5×1[㎠]의 태양전지에서 최고 변환효율은 11.7[%]이다. In this study, the (P)SiO/(N)Si solar cell is fabricated by the vacuum evaporation method with the substrate temperature at about 200±5 [℃] and its characteristics are investigated. The optimal thickness of 1.2 [㎛] of SiC film is derived from the relation between film thickness and conversion efficiency. The characteristics of solar cells are improved by the annealing. The optimum annealing temperature and duration are 420[℃] and 12 [min], respectively it is shown that the peak values of spectral response are shifted to the long wavelength region with increasing the annealing temperature. The X-ray diffraction patterns and the scanning electron micrographs show the grain growth in SiC film as the annealing temperature and time is increased. The best conversion efficiency is 11.7[%] for a 2.5×1[㎠] cell.