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김우재,신기원,권희태,온범수,박연수,김지환,방인영,권기청,Kim, Woo Jae,Shin, Gi Won,Kwon, Hee Tae,On, Bum Soo,Park, Yeon Su,Kim, Ji Hwan,Bang, In Young,Kwon, Gi-Chung 한국반도체디스플레이기술학회 2021 반도체디스플레이기술학회지 Vol.20 No.1
The number of processes in the manufacture of semiconductors, displays and solar cells is increasing. And as the processes is performed, multiple layers of films and various patterns are formed on the wafer. At this time, substrate warpage occurs due to the difference in stress between each film and pattern formed on the wafer. the substrate warping phenomenon occurs due to the difference in stress between each film and pattern formed on the wafer. We developed a new warpage measurement method to measure wafer warpage during real-time processing. We performed an experiment to measure the presence and degree of warpage of the substrate in real time during the process by adding only measurement equipment for applying additional electrical signals to the existing ESC and detecting the change of the additional electric signal. The additional electrical measurement signal applied at this time is very small compared to the direct current (DC) power applied to the electrostatic chuck whit a frequency that is not generally used in the process can be selectively used. It was confirmed that the measurement of substrate warpage can be easily separated from other power sources without affecting.
김우재,방인영,김지환,박연수,온범수,권희태,신기원,권기청 한국진공학회 2021 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2021 No.2
오늘날, 삼불화질소(NF<SUB>3</SUB>)는 반도체 제조 분야 등의 세정 공정 과정 중 반응성 가스로 사용된다. 이러한 챔버 세정 공정의 경우 NF<SUB>3</SUB>가 챔버 내로 직접 주입된 후 플라즈마를 방전하여 챔버 내부에 증착된 부산물을 제거한다. 본 연구에서는 실리콘(Si)에 용량 결합형 플라즈마 반응성 이온 식각을 수행하며 잔류 가스 분석기(RGA)와 발광 분광 분석법(OES)을 이용해 공정을 모니터링하였다. 동일한 압력에서 RF 전력이 상승함에 따라 SiF<SUB>3</SUB><sup>+</sup>의 양 및 Si의 식각 속도는 증가하였지만, 불소 원자선은 감소하였다. 동일한 RF 전력에서 압력이 높아지면 불소 원자선의 강도, SiF<SUB>3</SUB><sup>+</sup>의 양 및 Si의 식각 속도 모두 증가하였다.
플라즈마 진단 시스템을 이용한 기판에서의 플라즈마 밀도 측정 실험
박연수,신기원,김우재,권희태,김지환,온범수,방인영,권기청 한국진공학회 2021 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2021 No.2
기존의 플라즈마 벌크(Bulk)를 측정하는 탐침형 측정 방식은 공정을 진행 중, 기판 상에서의 플라즈마 진단이 어렵다는 단점이 존재하며 프로브를 플라즈마 내부에 침투하여 측정하는 방식이기에 섭동이 생기는 단점도 존재한다. 본 실험은 여러 조건에서 방전시킨 플라즈마의 상태를 웨이퍼 내에 삽입된 전극 센서를 이용하여 플라즈마 변수 측정을 통해 플라즈마 상태를 확인하였으며 동시에 기존에 사용되는 Plasma Oscillation method probe를 이용한 측정 결과와 비교하였다. ICP(Inductively Coupled Plasma) 플라즈마 소스에 RF Generator(Radio-Frequency, 13.56 MHz)를 이용하여 방전 전력을 변화시키며 실험을 진행하였다.