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        국제거래분쟁의 해결방안으로서의 국제상사중재의 유용성

        오창석 숭실대학교 법학연구소 2006 法學論叢 Vol.16 No.-

        오늘날 무역거래의 세계적인 확장과 그로 인한 국제거래상의 잠재적인 분쟁가능성이 증가함에 따라 상사중재제도는 국가법원의 소송에 비해 가지는 그의 장점 때문에 상거래에서 발생하는 분쟁을 해결하는 중요한 제도로서 발전하게 되었다. 특히 대규모의 국제거래계약의 당사자들은 당해거래로부터 장래 발생할지도 모를 분쟁의 해결을 위하여 중재합의를 체결하는 것이 일반적인 추세이다. 분쟁해결을 위한 방식으로서 법원의 재판에 의하지 않고 중재에 의한 해결이 선호되고 있는 이유는 국가법원에서의 소송상의 문제들에도 기인하지만, 중재제도가 가지는 장점에 더 큰 요인이 있다. 중재에 의한 분쟁해결은 종종 신속하고 효과적이며 저렴한 권리구제 방법으로 인식되고 있는데, 특히 해당분야의 전문가로 구성된 중재판정부가 분쟁에 대한 결정을 함으로써 일반적으로 특수한 사안에 적합한 전문적이고도 합리적인 분쟁해결을 기대할 수 있고, 중재절차는 법원에서의 소송절차에 비해 훨씬 우호적인 분위기 속에서 진행되는 것이 일반적이기 때문에 중재판정에 대한 선의의 이행가능성이 높다. 또한 중재 절차는 원칙적으로 비공개로 진행되며, 분쟁사실 자체에 대한 비밀이 유지되는 것은 물론이고 중재판정은 일반 법원의 판결과 달리 당사자의 동의가 없으면 공개되지 않는 것이 원칙이기 때문에 기업비밀이나 분쟁사실이 외부에 알려지는 것을 꺼려하는 당사자들의 기대에 적합한 분쟁해결 방법이라 할 것이다. 특히 국제거래관계에서 상사중재가 선호되고 있는 이유들 중에서 가장 핵심적인 요소는 무엇보다도 중립적인 중재판정부의 구성과 국제협약을 통한 국제중재판정의 집행의 용이성이라고 할 수 있다. 중재절차는 재판과는 달리 심급제도가 없기 때문에 국가법원의 소송절차보다 비용이 현저하게 저렴하고 신속한 분쟁해결을 할 수 있다는 경제성과 신속성이 중재제도의 장점으로 알려져 왔다. 그러나 국가법원의 소송비용과 소요기간, 그리고 중재비용과 기간에 대한 객관적인 비교는 불가능하며, 중재절차의 경제성과 신속성은 구체적인 사안에 따라 다르게 나타난다. 다만 경제성과 신속성을 포함한 중재제도의 일반적인 장점은 중재계약의 당사자는 물론 그 대리인 및 중재인들이 중재절차에 적극 협조하는 경우에 나타날 수 있으며, 이를 바탕으로 한 상사중재제도의 지속적이고도 효과적인 발전을 위해서는 이 분야에 관여하는 상설중재기관을 비롯하여 특히 국가법원의 중재 우호적인 태도가 요구된다. Mit der Steigerung des koreanischen Außenhandels ebenso wie des Welthandels ganz allgemein und der damit verbundenen Zunahme des Konfliktspotentials bei internationalen Transaktionen gewinnt die private Schiedsgerichtsbarkeit, denen die Entscheidung bürgerlicher Rechtsstreitigkeiten anstelle staatlicher Gerichte durch private Willenserklärung übertragen ist, zunehmend an Bedeutung. In den letzten Jahrzehnten hat sich die Schiedsgerichtsbarkeit wegen ihrer Vorzüge, die sie gegenüber der staatlichen gerichtsbarkeit bietet, als wichtiges Instrument zur Erledigung von Streitigkeiten im internationalen Handelsverkehr immer mehr durchgesetzt und in diesem Bereich die staatliche Gerichtsbarkeit weitgehend verdrängt. Im allgemeinen wird die Schiedsgerichtsbarkeit für Streitigkeit im internationalen Wirtschaftsverkehr als vorteilhaft gegenüber der überlasteten staatlichen Gerichtsbarkeit bezeichnet, da sie eine schnelle, flexible und pragmatische Streitbeilegung fördert. Schließlich ist Recht und Praxis der internationalen Schiedsgerichtsbarkeit in Korea als für die Parteien aus aller Welt zugänglich zu bewerten. Dafür spricht sowohl die Modernisierung des Schiedsgesetzes durch die Übernahme des UNCITRAL-Modellgesetzes als auch die angestrebte Gewährleistung der Finalität des Schiedsspruchs und die grundsätzliche Gleichstellung von staatlicher Gerichtsbarkeit und Schiedsgerichtsbarkeit. Die vorherstehende Untersuchung hat auch gezeigt, daß für die weitere positive Entwicklung der Schiedsgerichtsbarkeit alle an diesem Bereich beteiligten Institutionen, Parteien, Berater wie parteivertreter und staatliche Gerichte gefördert sind, die Vorzüge der Schiedsgerichtsbarkeit herauszustellen.

      • 고밀도 플라즈마에 의한 $CeO_2$ 박막의 식각 메커니즘 연구

        오창석,김창일,Oh, Chang-Seok,Kim, Chang-Il 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.12

        $CeO_2$ 박막은 강유전체 메모리 디바이스 응용을 위한 금속-강유전체-절연체-실리콘 전계효과 트랜지스터 구조에서의 강유전체 박막과 실리콘 기판 사이의 완충층으로서 제안되어지고 있다. 본 논문에서는 $CeO_2$ 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여 $Cl_2$/Ar 가스 혼합비에 따라 식각하였다. 식각 특성을 알아보기 위한 실험조건으로는 RF 전력 600 W, dc 바이어스 전압 -200 V, 반응로 압력 15 mTorr로 고정하였고 $Cl_2$($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비를 변화시키면서 실험하였다. $Cl_2$/($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비가 0.2일때 $CeO_2$ 박막의 식각속도는 230 ${\AA}$/min으로 가장 높았으며 또한 $YMnO_3$에 대한 $CeO_2$의 선택비는 1.83이였다. 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응은 XPS와 SIMS를 통해서 분석하였다. XPS 분석 결과 $CeO_2$ 박막의 표면에 Ce와 Cl의 화학적 반응에 의해 CeCl 결합이 존재함을 확인하였고, 또한 SIMS 분석 결과로 CeCl 결합을 확인하였다. $CeO_2$ 박막의 식각은 Cl 라디칼의 화학적 반응의 도움을 받으며 Ce 원자는 Cl과 반응을 하여 CeCl과 같은 혼합물로 $CeO_2$ 박막 표면에 존재하며 이들 CeCl 혼합물은 Ar 이온들의 충격에 의해 물리적으로 식각 되어진다. Cerium oxide ($CeO_2$) thin film has been proposed as a buffer layer between the ferroelectric thin film and the Si substrate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon (MFIS) structures for ferroelectric random access memory (FRAM) applications. In this study, $CeO_2$ thin films were etched with $Cl_2$/Ar gas mixture in an inductively coupled plasma (ICP). Etch properties were measured for different gas mixing ratio of $Cl_2$($Cl_2$+Ar) while the other process conditions were fixed at RF power (600 W), dc bias voltage (-200 V), and chamber pressure (15 mTorr). The highest etch rate of $CeO_2$ thin film was 230 ${\AA}$/min and the selectivity of $CeO_2$ to $YMnO_3$ was 1.83 at $Cl_2$($Cl_2$+Ar gas mixing ratio of 0.2. The surface reaction of the etched $CeO_2$ thin films was investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. There is a Ce-Cl bonding by chemical reaction between Ce and Cl. The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) analysis were compared with the results of XPS analysis and the Ce-Cl bonding was monitored at 176.15 (a.m.u). These results confirm that Ce atoms of $CeO_2$ thin films react with chlorine and a compound such as CeCl remains on the surface of etched $CeO_2$ thin films. These products can be removed by Ar ion bombardment.

      • Propeller 理論

        吳昌錫 釜山工業大學校 1964 論文集 Vol.2 No.-

        이상으로 propeller의 회전의 의하여 thrust가 발생되고 그 회전에 의한 torque를 받게된다. 또 propeller는 blade angle에 따라 pitch와 slip를 갖게 되는 실제로 propeller는 대단히 복잡한 꼴을 가지므로 이것을 간단한 작동원판으로 가정해서 propeller 전체의 작용을 대체로 논해보면 흐름의 후부에서는 velocity가 증가되며 slip stream을 만들게 된다.

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