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알루미늄 산화막과 이트륨 세라믹의 내플라즈마성에 관한 연구
송제범,신재수 大田大學校 産業技術硏究所 2013 산업기술연구소 論文集 Vol.24 No.2
Process for manufacturing display devices is applied to the surface state of the coating film, and the plasma resistance properties were observed. Electrical characteristics of the breakdown voltage is evaluated. Aluminum oxide has a high withstand voltage and low leakage current occurred could be confirmed. While yttrium ceramic has high withstand voltage was confirmed. Aluminum oxide is relatively superior corrosion resistance to chemical characteristics. On the other hand, the plasma corrosion resistance of the ceramic coating is relatively excellent. In this report, anodic aluminum oxide films and yttrium ceramic were evaluated by monitoring breakdown voltage, crack, and contamination particles during plasma treatment. 디스플레이 제조용 플라즈마 공정장비에 적용되고 있는 양극산화 공정으로 제조한 알루미늄 산화막(Al2O3)과 플라즈마 융사 공정으로 제조한 이트륨 세라믹(Y2O3) 코팅막의 표면구조, 물성 및 화학기체와 플라즈마에 의한 부식성을 관찰하였다. 전기적 특성은 내전압을 이용하여 평가하였다. 알루미늄 산화막은 많은 누설전류가 발생하였고 낮은 내전압을 확인할 수 있었다. 이트륨 세라믹 코팅막은 알루미늄 산화막 보다 높은 내전압을 확인할 수 있었다. 화학부식성에 대해서는 알루미늄 산화막 코팅이 이트륨 세라믹 코팅막에 비해 비교적 우수한 특성을 보였다. 플라즈마 부식성은 세라믹 코팅이 비교적 우수함을 알 수 있었다. 플라즈마에 대한 영향을 검증하고자 내전압, 균열을 관찰하였고 공정 중에서 발생하는 오염입자를 평가하였다.
송제범,이창희,신재수 大田大學校 産業技術硏究所 2011 산업기술연구소 論文集 Vol.22 No.1
본 연구에서는 반도체 및 LCD 제조 시 사용되는 전극 부품의 특성평가 방법을 수행하였다. 전극 부품의 화학기체와 플라즈마의 영향에 따른 코팅 막 형태 변화 및 전기적특성의 변화를 세밀하게 알아보기 위하여 양극산화피막법(Anodizing)으로 산화막을 성장시킨 Al2O3 평가용 샘플을 제작하여 실험하였다. 내전압을 통하여 피막의 절연특성을 평가하고 부식기체(HCl)와 Ar플라즈마 공정에 노출시켜서 열화되는 피막의 특성을 정량화하고 자 하였다. 전극 부품은 부식가스(HCl)와 플라즈마의 노출시간이 증가됨에 따라 절연특성이 감소하는 경향을 인하였다. 플라즈마 공정시 배기라인에 In-Situ Particle Monitoring(ISPM)을 이용하여 플라즈마 노출시간이 증가됨에 따라 오염입자의 발생정도를 확인하였고 분석장비를 이용하여 부식성(corrosion), 전기적 특성(electric property) 및 오염입자를 통해 청정도(cleanness) 등을 분석하였다. In this study, the electrodes used in semiconductor and CD manufacturing attributes of parts valuation method was performed. Part of the electrode under the influence of hemical gas and plasma-coated membrane morphological changes and changes in electrical properties aenodayijingeuro to learn precisely grown oxide Al2O3 was experimenting with production samples for evaluation. Dielectric strength of the insulation throughout the film and evaluate the corrosion gas (HCl) and the Ar plasma process that exposed you to a deterioration of coating properties were quantified evangelize. Electrode parts subject to corrosive gases (HCl) and with increasing plasma exposure time of the insulation was confirmed a tendency to decrease, the plasma process in the exhaust line at In-Situ Particle Monitoring (ISPM) using a plasma with increasing exposure time the degree of contamination, depending on the particle was confirmed by analysis equipment corrosion, the electrical properties through the purity and pollution particles were analyzed.
디스플레이 제조 식각공정에서 세라믹 코팅재료와 플라즈마 변수의 상호관계 연구
송제범,이승수,김민중,김진태,오성근,윤주영 한국공업화학회 2016 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2016 No.0
디스플레이 식각공정은 플라즈마를 활용하여 미세회로패턴을 구현하는 공정이다. 플라즈마 공정장비는 디스플레이 생산을 위해 연속적으로 쉬지 않고 가동을 하게 된다. 이때, 식각장비 구성 부품들은 플라즈마의 이온, 활성기체, 높은 공정온도에 장시간 노출이 되면서 부품 내구성이 떨어져 수명이 낮아지는 문제점이 있다. 부품의 수명을 연장하기 위해서는 내플라즈마성이 강한 산화막 재료를 코팅한다. 하지만 코팅재료의 특성 및 구조에 따라서 플라즈마 공정이 변하여 원하는 공정결과가 구현되지 않음에도 불구하고 산화막 코팅재료 특성이 플라즈마 변수에 미치는 영향에 관한 연구가 많이 이루어지지 않고 있다. 본 연구에서는 알루미늄 산화막 코팅재료 특성에 따른 플라즈마 변수를 진단하여 코팅재료와 플라즈마 변수의 상호관계를 연구하였다.