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CdSe 박막의 광전기화학적 특성 및 미세구조에 관한 분석
손광철,홍완표,이승연 한국산업응용수학회 2001 Journal of the Korean Society for Industrial and A Vol.5 No.2-1
광전도체 및 태양에너지 변환 소자에 응용되는 CdSe 박막을 전기화학적 방법을 이용하여 성장시켰다. 순환전압전류도를 분석하여 전착전위를 설정하였고, 광전기화학적 실험을 통하여 성장된 CdSe 박막을 분석하였고, 결정성 및 표면조사는 X-선회절과 주사전자현미경을 사용하여 연구하였다. 광전기화학 실험결과 전착된 박막은 n-형으로 성장되었으며, 평면밴드전위가 -0.4~-0.46V vs. SCE였다. X-선회절 무늬결과로부터 전착된 박막이 입방체 결정임을 확인하였다. 주사전자현미경 사진결과는 그레인 크기가 0.1~1.0㎛이었다. CdSe thin films, using for the optoelectronic applications such as photoconductors and solar cells, have been grown by the electrochemical electrodeposition techniques. The cyclic voltammograms are used to decide electrodeposition potentials. The electrodeposited CdSe thin films have been analyzed using the photoelectrochemical experiments. The crystallinity and the surface morphology have been studied the X-ray diffraction(XRD) and the scanning electron microscopy(SEM), respectively. From photoelectrochemical experiments, the electrodeposited CdSe thin films are grown by n-type semiconductors and the flatband potential is ca. -0.4 ~ -0.46 V vs. SCE. The XRD patterns are informed to be consisted of the cubic crystallinity structure. The SEM results show that the sizes of grains are from 0.1 to 1.0 ㎛.
CdSe 박막의 광전기화학적 특성 및 미세구조에 관한 분석
손광철,홍완표,이승연 한국산업정보응용수학회 2001 한국산업정보응용수학회 Vol.5 No.2
광전도체 및 태양에너지 변환 소자에 응용되는 CdSe 박막을 전기화학적 방법을 이용하여 성장시켰다. 순환전압전류도를 분석하여 전착전위를 설정하였고, 광전기화학적 실험을 통하여 성장된 CdSe 박막을 분석하였고, 결정성 및 표면조사는 X-선회절과 주사전자현미경을 사용하여 연구하였다. 광전기화학 실험결과 전착된 박막은 n-형으로 성장되었으며, 평면밴드전위가 -0.4 ∼ -0.46 V vs. SCE였다. X-선회절 무늬결과로부터 전착된 박막이 입방체 결정임을 확인하였다. 주사전자현미경 사진결과는 그레인 크기가 0.1 ∼ 1.0㎛ 이었다. CdSe thin films, using for the optoelectronic applications such as photoconductors and solar cells, have been grown by the electrochemical electrodeposition techniques. The cyclic voltammograms are used to decide electrodeposition potentials. The electrodeposited CdSe thin films have been analyzed using the photoelectrochemical experiments. The crystallinity and the surface morphology have been studied the X-ray diffraction(XRD) and the scanning electron microscopy(SEM), respectively. From photoelectrochemical experiments, the electrodeposited CdSe thin films are grown by n-type semiconductors and the flatband potential is ca. -0.4 ∼ -0.46 V vs. SCE. The XRD patterns are informed to be consisted of the cubic crystallinity structure. The SEM results show that the sizes of grains are from 0.1 to 1.0 ㎛.