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손명환(Myung-Hwan Sohn),김석호(Seokho Kim),심기덕(Ki-deok Sim),배준한(Jun Han Bae),이석주(Seok-Ju Lee),엄범용(Beom-Yong Eom),박해용(Hae-Yong Park) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
초전도 시스템에서 전류를 공급하는 역할을 하는 전류리드는 없어서는 안 될 핵심 부품이다. Powder-in-tube(PIT) 법으로 제작한 1세대(1G) 고온초전도 선재보다 열전달특성이 나쁜 2세대(2G) 고온초전도 선재를 이용하여 고온초전도 전류리드를 제작하였다. 사용한 선재는 미국 AMSC사 선재이다. 초전도 자석으로의 열침입을 최소화하기 위해 지지구조물은 GFRP를 사용하였고 금속연결부는 무산소동을 사용하였다. 2G 선재 6가닥을 사용하여 제작한 전류리드는 액체질소 온도에서 I-V 특성을 평가한 결과 약 400 A급 전류리드도 사용 가능하다고 판단되었으며, 열전달 특성을 측정하기 위해 무냉매형 특성평가장치를 사용하였는데, 77 K과 7 K 사이에서 약 50 ㎽정도 였다. 본 논문에선 2G 고온초전도 선재를 사용하여 제작한 전류리드의 전기적 열적 특성에 대해 논의하고자 한다.
접지기반 차동신호 전송을 위한 저전력 4-Gb/s 수신단 설계
이미라(Mira Lee),김석(Seok Kim),정영균(Youngkyun Jeong),배준한(Jun-Han Bae),권기원(Kee-Won Kwon),전정훈(Jung-Hoon Chun) 대한전자공학회 2012 전자공학회논문지 Vol.49 No.9
본 논문에서는 접지기반의 저전압 차동 입력 신호를 전달 받는 수신단에 대해 기술하였다. 공통게이트단으로 구성된 레벨시프터와 실시간 선형 이퀄라이저를 이용하여, 채널을 통과하며 왜곡된 신호의 전압 마진과 시간 마진을 확보하였다. 입력 신호의 공통모드 전압이 변하더라도, 레벨시프터에 공급되는 전류의 양을 일정하게 유지 할 수 있는 바이어스 회로를 추가하였다. 저전력 65-nm CMOS 공정으로 수신단회로를 구현하고 측정하였다. -19.7dB의 감쇄를 보이는 FR4 PCB 채널을 통해 4-Gb/s 400mVp-p 차동 신호를 수신단으로 전달하였을 때 10<SUP>-11</SUP> BER기준 0.48UI의 시간 마진을 얻을 수 있었으며, 0.30mW/Gb/s의 낮은 전력 소모를 유지하였다. This paper describes a 4-Gb/s receiver circuit for a low-swing ground-referenced differential signaling system. The receiver employs a common-gate level-shifter and a continuous linear equalizer which compensates inter-symbol-interference (ISI) and improves voltage and timing margins. A bias circuit maintains the bias current of the level-shifter when the common level of the input signal changes. The receiver is implemented with a low-power 65-nm CMOS technology. When 4-Gb/s 400mVp-p signals are transmitted to the receiver through the channel with the attenuation of -19.7dB, the timing margin based on bit error rate (BER) of 10<SUP>-11</SUP> is 0.48UI and the power consumption is as low as 0.30mW/Gb/s.