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열벽 증착 방법으로 성장한 ZnTeCu 박막의 전기적 특성
박성래(S.G.Park),남성윤(S.G.Nam),오병성(B.S.O),이기선(K.S.Lee) 한국태양에너지학회 1997 한국태양에너지학회 논문집 Vol.17 No.3
열벽 증착(hot-wall evaporation)방법으로 Cu를 첨가한 ZnTe박막을 성장하였다. doping을 하지 않은 ZnTe박막의 전기 전도형은 p-형으로 전기 전도도는 10^-6(Ω·cm)^-1을 정도로 매우 낮았다. 첨가한 Cu의 양에 따라 전기 전도도는 10²(Ω·cm)^-1까지 증가하였으나 이동도는 크게 변하지 않았다. Cu를 매우 많이 첨가한 경우는 금속과 같은 전기 전도도를 관찰하였다. Cu-doped ZnTe thin films have been grown by hot-wall evaporation. The electrical conductivity of the intrinsic ZnTe film was of p-type and as low as 10^-6 (Ω·cm)^-1. As the doped Cu concentration was increased, the electrical conductivity was increased up to 10²(Ω·cm)^-1, but the mobility was decreased a little. The heavily doped sample shows the metal-like electrical resistivity.