동적 환경에서 자율 이동 로봇군의 이동을 위한 신경 회로망 기반 인공 생명 모델

민석기(Suk-Ki Min),강훈(Hoon Kang) 제어로봇시스템학회 1999 제어·로봇·시스템학회 논문지 Vol.5 No.2

자율이동로봇의 동적 편대 형성과 장애물 회피를 위한 신경망 구조 및 강화학습

민석기(Suk-Ki Min),신석영(Suk-Young Shin),강훈(Hoon Kang) 대한전기학회 1998 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1998 No.7

Glufosinate-ammonium과 Glyphosate의 제초활성 상호작용

민석기(Suk-Ki Min),서보람(Bo-Ram Seo),최정섭(Jung-Sup Choi),황인택(In Taek Hwang),김진석(Jin-Seog Kim) 韓國雜草學會 2006 Weed&Turfgrass Science Vol.26 No.4

매크로기공을 갖는 다공질 실리콘 다이어프램의 제작

민남기(Nam Ki Min),하동식(Dong Sik Ha),정우식(Woo Sik Jeong),민석기(Suk Ki Min) 대한전기학회 1998 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1998 No.7

Laser Direct Dry Etching for Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>/GaAs Multi-layer Structures

Se-Ki Park(박세기),Cheon Lee(이천),Seong-Il Kim(김성일),Eun Kyu Kim(김은규),Suk-Ki Min(민석기) 대한전기학회 1996 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1996 No.7

Glyphosate에 대한 옥수수 반응의 개선된 검정방법

김진석,이병회,김소희,민석기,최정섭,Kim, Jin-Seog,Lee, Byung-Hoi,Kim, So-Hee,Min, Suk-Ki,Choi, Jung-Sup 한국식물생명공학회 2006 식물생명공학회지 Vol.33 No.1

본 연구에서는 옥수수를 대상으로 glyphosate에 대한 여러 가지 생리적 반응을 검토한 후, glyphosate 저항성 평가에 활용될 수 있는 보다 개선된 방법 두 가지를 확립하였다. 한 가지 방법은 옥수수 제3엽 상단에 약제를 국소 처리한 다음, 처리 후 3일째에 약제처리 되지 않았던 제4엽의 신장 정도를 조사하는 것이다 (전식물체-엽생장 검정). 이 경우 glyphosate $50-1,600{\mu}g/mL$ 범위에서 농도가 증가됨에 따라 엽 생장이 억제되었으며, $1,600{\mu}g/mL$ 농도에서의 생장 억제율은 무처리 대비 55.5%였다. 다른 한 가지 방법은 옥수수 제3본엽의 엽절편 ($4{\times}4mm$) 4개씩을 $200{\mu}L$의 시험용액이 담긴 48 well plate에 치상한 후 $25^{\circ}C$ 연속 명조건에 24시간동안 배양하여 shikimate 축적량을 조사하는 것이다 (엽절편-shikimate 축적 검정). 이 경우 시험용액에 0.33% sucrose를 가하면 무첨가에 비해 약3-4배 정도의 shikimate 축적 증가가 관찰되었고 glyphosate $2-8{\mu}g/mL$ 농도범위에서 직선적 증가반응을 나타내어 기존방법 (Shaner et al. 2005)보다 개선된 특징을 보였다. 본 방법들은 glyphosate 저항성 옥수수를 창출할 때 또는 저항성 유전자의 타 식물로의 이동여부와 잡초화된 저항성 옥수수 존재여부를 감별하는데 활용될 수 있을 것이다. 이 때 glyphosate에 대한 저항성 원인이 작용점 EPSPS와 관련이 있는 경우에는 "엽절편-shikimate 축적 검정"이 가장 바람직하고, 저항성 원인이 체내이행 감소 때문일 경우에는 "전식물체-엽생장 검정" 수행이 필요하다. Several methods for determining the response of corn to glyphosate were investigated to provide a fast and reliable method for identifying glyphosate-resistant corn in vivo. Two bioassays were developed. One assay is named 'whole plant / leaf growth assay', in which the herbicide glyphosate is applied on the upper part of 3rd leaf and the growth of herbicide-untreated 4th leaf is measured at 3 day after treatment. in this assay, the leaf growth of conventional corn was inhibited in a dose dependent from 50 to $1600{\mu}g/mL$ of glyphosate and growth inhibition at $1600{\mu}g/mL$ was 55% of untreated control. The assay has the potential to be used especially in the case that the primary cause of glyphosate resistance is related with a reduction of the herbicide translocation. Another assay is named 'leaf segment / shikimate accumulation assay', in which the four excised leaf segments ($4{\times}4mm$) are placed in each well of a 48-well microtiter plate containing $200{\mu}L$ test solution and the amount of shikimate is determined after incubation for 24 h in continuous light at $25^{\circ}C$. In this assay, 0.33% sucrose added to basic test solution enhanced a shikimate accumulation by 3 to 4 times and the shikimate accumulation was linearly occurred from 2 to $8{\mu}g/mL$ of glyphosate, showing an improved response to the method described by Shaner et al. (2005). The leaf segment / shikimate accumulation assay is simple and robust and has the potential to be used as a high throughput assay in the case that the primary cause of glyphosate resistance is related with EPSPS, target site of the herbicide. Taken together, these two assays would be highly useful to initially select the lines obtained after transformation, to investigate the migration of glyphosate-resistant gene into other weeds and to detect a weedy glyphosate-resistant corn in field.

두 가지 제초제에 대하여 저항성을 가지는 항생제 마커-프리 형질전환 감자 육성

방일란,김진석,공수,모황성,민석기,권석윤,이규화,임학태,Fang, Yi-Lan,Kim, Jin-Seog,Gong, Su,Mo, Hwang-Suk,Min, Seok-Ki,Kwon, Suk-Yoon,Li, Kui-Hua,Lim, Hak-Tae 한국식물생명공학회 2007 식물생명공학회지 Vol.34 No.3

본 연구에서는 제초제 저항성 bar 유전자 및 CP4-EPSPS 유전자를 포함하는 발현벡터로 형질전환되고 항생제 마커 유전자를 포함하지 않는 제초제 복합 저항성 감자 식물체를 육성하고자 실험하였다. Bar 유전자를 포함하는 pCAMBIA3300에 CaMV35S 프로모터에 의해 조절되는 CP4-EPSPS 유전자를 도입하여 식물체용 발현 운반체를 제작하고, 이를 Agrobacterium tumafaciens EHA105에 도입하였다. 태동밸리 잎 절편체를 Agrobacterium과 공동배양한 다음, phosphinothricin 0.5 mg/L이 첨가된 배지에서 선발하고 호르몬 무처리 MS발근시켜 형질전환체 (E3-6)를 얻었다. PCR, Southern 분석, 효소면역반응 분석 등을 통해 두 가지 유전자가 도입되었으며 이들이 정상적으로 발현됨이 확인되었다. E3-6 식물체는 glufosinate-ammonium의 어린 식물체 잎 도포처리, glyphosate 용액에 치상한 식물체 조직에서의 shikimate 축적 여부 조사를 통하여 조사한 결과, 두 제초제에 대해 저항성을 나타내었다. 또한 형질전환감자의 전식물체에 대해 glyphosate와 glufosinate-ammonium 각각의 용액 또는 이들의 혼합물을 처리한 후 제초활성 반응을 조사한 결과, E3-6 형질전환 감자는 두 제초제를 각각 단독으로 처리할 때나 혼합하여 동시 처리할 때에도 동일한 저항성이 나타남을 확인하였다. This study was conducted to develop an antibiotics marker-free potato (Solanum tuberosum L., cv. Taedong valley) plant having resistance against two herbicides. Agrobacterium tumefaciens strain EHA105, harboring a binary vector plasmid pCAMBIA3300 containing bar gene under the control of a promoter CaMV35S and linked CP4-EPSPS genes driven by CaMV35S promoter, was used in the current study. The leaf segments of newly bred potato variety (cv. Taedong Valley) was co-cultured with Agrobacterium. Then, the regenerated individual shoots were excised and transferred to potato multiplication medium supplemented with 0.5 mg/L phosphinothricin. The shoots were rooted in MS medium without hormone and obtained putative transgenic plant E3-6. Integration of target genes into the E3-6 plant and their expression was confirmed by PCR, Southern analysis, and ELISA test. The tissue necrosis test on young leaf blade and shikimic acid accumulation test using the tissue of E3-6 plant were conducted to investigate the resistance to glufosinate-ammonium and glyphosate, respectively. The transgenic plants (E3-6) simultaneously showed a high resistance to both herbicides. The same results were surely obtained also in the whole plants foliar-treated with alone or mixture of two herbicides, glufosinate-ammonium and glyphosate.

The Fabrication of (Ga, Al) As/GaAs Modified Multi-Quantum Well Laser Diode by MOCVD

김정진,강명구,김용,엄경숙,민석기,오환술,Kim, Chung-Jin,Kang, Myung-Ku,Kim, Yong,Eom, Kyung-Sook,Min, Suk-Ki,Oh, Hwan-Sool The Institute of Electronics and Information Engin 1992 전자공학회논문지-A Vol.29 No.9

The Modified Multi-Quantum Well(MMQWAl) structures have been grown by Mental-Organic chemical Vapor Deposition(MOCVD) method and stripe type MMQW laser diodes have been investigated. In the case of GaAs/AlGaAs superlattice and quantum well growth by MOCVD, the periodicity, interface abruptess, Al compositional uniformity and layer thickness have been confirmed though the shallow angle lapping technique, double crystal x-ray diffractometry (DCXD) and photoluminescence (PL) measurement. stripe-type MMQW laser diodes have been fabricated using the process technology of photolithography, chemical etching, ohmic contact, back side removing and cleaving. As the result of the electrical and opticalmeasurement of these laser diodes, we have achieved the series resistance of $1[\Omega}~2{\Omega}$ by current-voltage measurements, the threshold current of 200-300mA by currnt-light measurements and the lasing wavelength of 8000-8400$\AA$ by lasing spectrum measurements.

X-Ray Triple Crystal Diffraction Spectrometer의 제작과 그 응용

박영한,염효영,윤형근,민석기,박용주,Park Young-Han,Yeom Byo-Young,Yoon Hyng-Guen,Min Suk-ki,Park Young Joo 한국결정학회 1997 韓國結晶學會誌 Vol.8 No.1

고분해도의 X-선 산란을 위해 두 실험 방법이 개발됐다. 그 방법들은 (1) 2-결정 회절 스펙트로메터 (DCD)설치와 (2) 3-결정 회절 스펙트로메터 (TCD) 설치였다. Si(511)-시료(hkl)의 DCD배열로 Si(333), Si(004), GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. 또한 단일체 단색 평행기와 $K_{\alpha1}$ 선택기를 포함하는 Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl)의 TCD배열로 Si(333), Si(004) 그리고 GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. DCD와 TCD에 의한 rocking curve의 FWHM의 차이가 논의됐다. DCD에 의한 $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$의 (004) 및 (115) 반사 토포그라프가 행해졌다. Two experimental methods have been developed for high resolution measurement of x-ray scattering. The methods used were (1) an x-ray double crystal diffraction (DCD) spectrometer set-up and (2) an x-ray triple crystal diffraction (TCD) spectrometer set-up. With the DCD arrangement of Si(511)-sample(hkl), rocking curves have been plotted for Si (333), Si(004) and GaAs(004). Also, with the TCD arrangement of Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl) including monolithic monocro-collimator and $K_{\alpha1}$ selector, rocking curves have been plotted for Si(333), Si(004) and GaAs(004). The results of FWHM by DCD and TCD set-up have been compared each other and discussed. The reflection topographs (004) and (115) in an $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$ sample have been obtained by DCD set-up.

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장

김무성,김용,엄경숙,김성일,민석기,Kim, Moo-Sung,Kim, Yong,Eom, Kyung-Sook,Kim, Sung-Il,Min, Suk-Ki 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.

MOCVD에 의하여 초격자 및 HEMT 구조를 성장하고 그 특성을 보고한다. GaAs/AlGaAs의 경우, 주기성(periodicity),계면 급준성, Al 조성 균일성을 경사연마 및 double crystal x-ray 측정에 의하여 확인하였고, 고립 양자우물의 양자효과(quantum size effect)에 의한 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 관측하였다. 이 PL FWHM (full width at half maximum)과 우물 두께의 관계로 부터 계면 급준성이 1 monolayer fluctuation 정도인 초격자 구조가 성장되었음을 확인하였다. 한편, HEMT 구조의 경우에 헤테로 계면에 형성된 2차원 전자층의 존재를 C-V profile, SdH(shu-bnikov-de Haas)진동, 저온 Hall 측정을 통하여 확인하였다. 저온 Hall 측정에서 15K에서 sheet carrier density $5.5{\times}10^{11}cm^-2$,mobility $69,000cm^2/v.sec$, 77K에서 sheet carrier density $6.6{\times}10^{11}cm^-2$, mobility $41,200cm^2/v.sec$ 이었다. 또한 quantum Hall effect 측정으로 부터 잘 형성된 SdH 진동 및 quantized Hall plateau를 관측하였다. We developed the technologies of wuperlattice and HEMT structures grown by MOCVD, and their characterization. In the case of GaAs/AlGaAs superlattice, the periodicity, interface abruptness and Al compositional uniformity were confirmed through the shallow angle lapping technique and double crystal x-ray measurement. Photoluminesence spectra due to quantum size effect of isolated quantum wells were also observed. The heterojunction abruptness was estimated to be within 1 monolayer fluctuation by the analysis of the relation between PL FWHM(Full Width at Half Maximum) and well width. HEMT structure was successfully grown by MOCVD. The 2 dimensional electron gas formation at heterointerface in HEMT structure were evidenced through the C-V profile, SdH (Shubnikov-de Haas)oscillation and low temperature Hall measurement. Low field mobility were as high as $69,000cm^2/v.sec$ for a sheet carrier density of $5.5{\times}10^{11}cm^-2$ at 15K, and $41,200cm^2/v.sec$ for a sheet carrier density of $6.6{\times}10^{11}cm^-2$ at 77K. In addition, well defined SdH oscillation and quantized Hall plateaues were observed.