RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
          펼치기
        • 등재정보
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        생명과 생명연장의 경제적 가치: 실증분석 결과

        류근관 ( Keun Kwan Ryu ),전계형 ( Gyeh Yung Jeon ) 한국응용경제학회 2014 응용경제 Vol.16 No.2

        본 연구는 류근관/전계형(2014)에 제시된 두 개의 이론 모형을 한국의 자료에 적용하여 한국에서 연령별 생명의 가치를 추정하고 이에 근거하여 지난 수십 년간 의료발전이 이룩한 생명연장의 경제적 가치를 추정한다. 이어 2010년~2050년에 걸쳐 소득에서 차지하는 건강 관련 지출 비중의 추이가 어떻게 변할지도 예측해 본다. 우리나라에 대해 연령별 생명의 경제적 가치를 구해보면 이는 1~5세 집단에서 가장 높게 나타나는데 보수적으로 계산해도 2010년 화폐가치로 약 8억 원으로 추정된다. 또한 1990년부터 2010년까지 우리나라가 기록한 사망률 감소의 경제적 가치는 약 940조 원으로 추정되고, 향후 사망률이 현재보다 1%만 감소하더라도 그 경제적 가치는 최저 약 48조 원에서 최대 약 125조 원 정도로 추정된다. 한편 2050년에는 국내 총 지출에서 차지하는 건강관련 지출의 비중이 약 27% 정도로까지 상승할 것으로 예측된다. Using two economic models in Ryu and Jeon(2014), we estimate economic value of life in Korea for each 5-year age group and forecast optimal share of health spending by year 2050. We find that the economic value of life is highest for those aged 1-5 years, that this value of life is approximately KRW 800 million at the minimum, that the mortality reduction achieved over the years 1990 to 2010 is worth KRW 940~2,325 trillion, that 1% future decline in the mortality rate is estimated to be worth KRW 48~125 trillion, and that for year 2050 the optimal share of health spending is forecasted to be 27% in Korea and 31% in the U.S.

      • KCI등재

        위성 통신 시스템 응용을 위한 우수한 성능의 Ku 대역 2W MMIC 전력증폭기

        류근관,안기범,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Ahn, Ki-Burm,Kim, Sung-Chan 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.11

        본 논문에서는 위성 통신 시스템 응용을 위하여 Ku 대역에서 동작 가능한 2W MMIC (monolithic microwave integrated circuit) 전력증폭기를 개발하였다. 2W MMIC 전력증폭기는 WIN (wireless information networking) semiconductor Corp.의 GaAs 기반 PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) 공정을 사용하여 개발되었다. 개발된 Ku 대역 2W MMIC 전력증폭기의 측정결과, 13.75 GHz ~ 14.5 GHz의 동작주파수 범위에서 29 dB 이상의 이득, 33.4 dBm 이상의 포화 출력전력을 얻었다. 특히 전력부가효율은 29 %로 기존에 발표된 GaAs 기반 Ku 대역 2W MMIC 전력증폭기 상용 제품들에 비하여 높은 결과를 얻을 수 있었다. In this paper, we demonstrated a Ku-band 2W MMIC power amplifier for satellite communication applications. The device technology used relies on $0.25{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) of Wireless Information Networking (WIN) Semiconductor foundry. The 2W MMIC power amplifier has gain of over 29 dB and saturation output power of over 33.4 dBm in the frequency range of 13.75 ~ 14.5 GHz. Power added efficiency (PAE) is a 29 %. To our knowledge, this is the highest power added efficiency reported for any commercial GaAs-based 2W MMIC power amplifier in the Ku-band.

      • KCI등재

        차량 충돌 방지 레이더 시스템 응용을 위한 77 GHz 도파관 전압 조정 발진기

        류근관,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Kim, Sung-Chan 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.7

        본 논문에서는 차량 충돌 방지 레이더 시스템 응용을 위하여 중심 주파수가 77 GHz인 도파관 (waveguide) 전압조정 발진기 (VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 구현된 도파관 전압 조정 발진기는 GaAs 기반의 건다이오드 (Gunn diode)와 버랙터 다이오드 (varactor diode), 도파관 천이기 (waveguide transition), 저역 통과 필터(LPF, low pass filter) 및 공진기 (resonator) 기능을 동시에 수행하는 다이오드의 바이어스 (bias) 포스트 (post)로 구성되어진다. 77 GHz 신호는 동공 (cavity)을 38.50 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며 WR-12에서 WR-10으로 천이되어 출력된다. 도파관 천이기는 77 GHz의 중심주파수에서 1.86 dB의 삽입손실(insertion loss)과 -30.22 dB의 입력반사계수 (S11, input reflection coefficient) 특성을 갖는다. 제작된 도파관 전압조정 발진기는 870 MHz의 대역폭 (bandwidth)과 12.0 dBm ~ 13.75 dBm의 출력 전력 특성을 나타내었다. 위상잡음 특성은 1 MHz 오프셋 (offset)에서 -100.78 dBc/Hz의 우수한 특성을 얻었다. In this work, we demonstrated a 77 GHz waveguide VCO with transition from WR-12 to WR-10 for anti-collision radar applications. The fabricated waveguide VCO consists of a GaAs-based Gunn diode, a varactor diode, a waveguide transition, and two bias posts for operating as a LPF and a resonator. The cavity is designed for fundamental mode at 38.5 GHz and operated at second hormonic of 77 GHz. The waveguide transition has a 1.86 dB of insertion loss and -30.22 dB of S11 at the center frequency of 77 GHz. The fabricated VCO achieves an oscillation bandwidth of 870 MHz. Output power is from 12.0 to 13.75 dBm and phase noise is -100.78 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency from the carrier.

      • KCI등재

        우수한 성능의 94 GHz 도파관 전압조정발진기의 개발

        류근관,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Kim, Sung-Chan 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.5

        본 논문에서는 GaAs 기반의 건 다이오드(Gunn diode)와 버렉터 다이오드(varactor diode)를 사용하여 중심 주파수가 94 GHz인 도파관(waveguide) 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 94 GHz 신호는 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며, 다이오드의 바이어스(bias) 포스트(post)가 저역통과필터(LPF, low pass filter) 및 공진기(resonator) 기능을 동시에 수행하도록 설계하였다. 제작된 도파관 전압조정발진기는 760 MHz의 대역폭과 12.61~15.26 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 -101.13dBc/Hz(at 1MHz offset)의 우수한 특성을 얻었다. In this paper, we developed a 94 GHz waveguide VCO(voltage controlled oscillator) using a GaAs-based Gunn diode and a varactor diode. The cavity is designed for fundamental mode at 47 GHz and operated at second harmonic of 94 GHz. Bias posts for diodes operate as LPF(low pass filter) and resonator. The fabricated waveguide VCO achieves an oscillation bandwidth of 760 MHz. Output power is from 12.61 to 15.26 dBm and phase noise is -101.13 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency from the carrier.

      • KCI등재

        비접촉 마이크로웨이브 프루브 시스템의 I/Q Demodulator를 위한 MMIC Mixer의 설계

        류근관,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Kim, Sung-Chan 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.5

        A MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) mixer chip using the Schottky diode of an GaAs p-HEMT process has been developed for the I/Q demodulator of non-contact near field microwave probing system. A single balanced mixer type is adopted to achieve simple structure of the I/Q demodulator. A quadrature hybrid coupler and a quarter wavelength transmission line for 180 degree hybrid are realized with lumped elements of MIM capacitor and spiral inductor to reduce the mixer chip size. According to the on-wafer measurement, this MMIC mixer covers RF and LO frequencies of 1650MHz to 2050MHz with flat conversion loss. The MMIC mixer with miniature size of $2.5mm{\times}1.7mm$ demonstrates conversion loss below 12dB for both variations of RF and LO frequencies, LO-to-IF isolation above 43dB and RF-to-IF isolation above 23dB, respectively. 본 논문에서는 비접촉 마이크로웨이브 프루브 시스템의 I/Q demodulator를 위한 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) mixer chip을 GaAs p-HEMT 공정의 Schottky 다이오드를 이용하여 설계 및 제작하였다. 프루브 시스템의 I/Q demodulator 구조를 단순화하기 위해 single balanced 구조의 mixer를 채택하였다. Single balanced mixer에서 $90^{\circ}$hybrid coupler와 ${\lambda}/4$ 전송선로를 이용하여 $180^{\circ}$hybrid를 설계하였으며 이를 MIM 커패시터와 spiral 인덕터를 이용하여 구현함으로써 mixer chip의 크기를 줄일 수 있었다. On-wafer 측정 결과, 본 논문의 MMIC mixer는 1650MHz ~ 2050MHz의 RF 및 LO 주파수 대역을 포함하고 있으며, 응용 주파수 대역 내에서 RF 및 LO의 변화에 대해 약 12dB 이하의 평탄한 변환손실(conversion loss) 특성을 나타내었다. 또한, MMIC mixer chip은 $2.5mm{\times}1.7mm$의 초소형 크기를 가지며 LO-IF 및 RF-IF의 격리도는 각각 43dB 및 23dB 이상의 특성을 나타내었다.

      • KCI등재

        단일 전송선로의 주파수 동조회로를 이용한 push-push 전압제어 발진기의 설계 및 제작

        류근관,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Kim, Sung-Chan 한국전기전자학회 2012 전기전자학회논문지 Vol.16 No.2

        본 논문에서는 전압제어 발진기에서 변형된 구조의 주파수 동조회로를 갖는 push-push 전압제어 유전체 공진 발진기를 설계 및 제작하였다. Push-push 전압제어 유전체 공진 발진기는 중심주파수 16GHz에서 설계되었으며, LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술 공정의 장점을 이용하여 주파수 동조 회로를 A6 기판의 중간 layer에 삽입하여 설계하였으며 이로 인해 회로의 전체 크기를 줄일 수 있었다. 제작된 push-push 전압제어 유전체 공진 발진기의 측정결과 기본 주파수의 억압특성은 30dBc 이상 특성을 나타내었으며 0~12V의 제어전압 범위에서 0.43MHz의 주파수 튜닝 대역폭을 얻었다. 또한 커리어로부터 100KHz 떨어진 지점에서 -103dBc/Hz의 위상잡음 특성을 나타내었다. In this paper, a push-push VCDRO (Voltage Controlled Dielectric Resonator Oscillator) with a modified frequency tuning structure is investigated. The push-push VCDRO designed at 16GHz is manufactured using a LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) technology to reduce the circuit size. The frequency tuning structure is embedded in intermediate layer of A6 substrate by an advantage of LTCC process. Experimental results show that the fundamental frequency suppression is above 30dBc, the frequency tuning range is 0.43MHz over control voltage of 0 to 12V, and phase noise of push-push VCDRO presents a good performance of -103dBc/Hz at 100KHz offset frequency from carrier.

      • KCI등재

        LTCC를 이용한 push-push 유전체 공진 발진기의 설계 및 제작

        류근관,오일덕,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Oh, Eel-Deok,Kim, Sung-Chan 한국정보통신학회 2010 한국정보통신학회논문지 Vol.14 No.3

        LTCC(low temperature co-fired ceramic) 공정의 다층기판을 이용하여 push-push 유전체 공진 발전기를 설계 및 제작하였다. 중심주파수 8GHz를 갖는 직렬 궤환형의 단일 유전체 공진 발진기를 설계하고 이를 이용하여 중심주파수 16GHz인 push-push 유전체 공진 발진기를 설계하였다. 발전기의 회로 크기에 큰 영향을 미치는 바이어스 회로를 LTCC 다층구조의 중간층에 배치함으로써 일반적인 단층기판을 이용한 경우에 비해 발진기 회로의 크기를 크게 줄 일 수 있었다. 제작된 push-push 유전체 공진 발진기의 측정결과 기본 주파수 및 3차 고조파 억압특성은 각각 15dBc 및 25dBc 이상의 특성을 나타내었으며 발진기의 위상잡음 특성은 -102dBc/Hz@100KHz 및 -128dBc/Hz@1MHz의 특성을 각각 나타내었다. The push-push DRO(dielectric resonator oscillator) using a multi-layer structure of LTCC(low temperature co-fired ceramic) fabrication is designed. After the single DRO of series feedback type in the center frequency of 8GHz is designed, the push-push DRO in the center frequency of 16GHz including the Wilkinson power combiner is designed. The bias circuit affecting the size of oscillator are embedded in the intermediate layer of the LTCC multi-layer substrate. As a result, the large reduction in the size of VCO is obtained compared to the general oscillator on the single layer substrate. Experimental results show that the fundamental and third harmonics suppression are above 15dBc and 25dBc, respectively, and phase noise characteristics of the push-push DRO presents performance of -102dBc/Hz@100KHz and -128dBc/Hz@1MHz offset frequencies from carrier.

      • KCI등재

        밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs

        류근관,김성찬,Ryu, Keun-Kwan,Kim, Sung-Chan 한국전기전자학회 2012 전기전자학회논문지 Vol.16 No.2

        본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 ${\mu}m$인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다. We reported on a high performance InGaAs/InAlAs metamorphic HEMT with 50 nm gate length on a GaAs substrate. The fabricated $50nm{\times}60{\mu}m$ MHEMT showed good DC and RF characteristics. Typical drain current density of 740 mA/mm and extrinsic transconductance(gm) of 1.02 S/mm were obtained with our devices. The current gain cut-off frequency(fT) and maximum oscillation frequency(fmax) obtained for the fabricated MHEMT device were 430 GHz and 406 GHz, respectively.

      • KCI등재

        전압제어 유전체 공진 발진기의 저위상잡음 설계 및 신뢰도 분석

        류근관,Ryu Keun-Kwan 한국정보통신학회 2005 한국정보통신학회논문지 Vol.9 No.2

        본 논문에서는 낮은 위상잡음을 갖는 전압제어 유전체 공진 발진기를 비선형 설계하였으며 그 위상잡음을 Lesson식과 비교하여 잘 일치함을 확인하였다. 전압제어 유전체 공진 발진기의 위상잡음을 개선하기 위하여 유전체 공진기와 결합하는 마이크로스트립 라인으로 고임피던스 변환기를 이용함으로써 공진회로의 Q값이 그대로 능동소자에 전달되도록 하였다. 전압제어 유전체 공진 발진기의 고신뢰성을 확보하기 위해 worst case 해석과 part stress 해석을 수행하였으며 이를 바탕으로 신뢰도 분석을 수행하여 위성중계기의 EOL(End of Life)에서 전압제어 유전체 공진 발진기가 정상적으로 동작할 수 있는 확률을 예측하였다. 제작된 전압제어 유전체 공진 발진기는 0-l2V의 제어전압에서 0.56MHz/V의 튜닝계수를 가지고 있으며 136mw의 DC 전력을 소모한다. 또한 -116.3dBc/Hz (a)100KHz와 -94.18dBc1Hz (a)10KHz의 우수한 위상잡음 특성과 7.33dBm 이상의 출력특성을 얻었다. The VCDRO(Voltage Controlled Dielectric Resonate. Oscillator) with low phase noise is designed using nonlinear analysis, and its phase noise characteristics are compared with that of Lesson's equation. The microstripline coupled with dielectric resonator is realized as a high impedance inverter to improve the phase noise performance, and the quality factor of resonator circuit can be transferred to active device with the enhanced the loaded quality factor. The worst case and part stress analyses are achieved to obtain the high reliability of VCDRO and the reliability analysis is accomplished to estimate the probability of operation at the end of life. The developed VCDRO has the oscillating tuning factor of 0.56MHZ1V for the control voltage range of 0-l2V. This VCDRO requires the DC power of 136mW. The phase noise characteristics exhibit good performances of -94.18dBc/Hz (a)10KHz and -116.3dBc/Hz (a)100KHz. And, the output power over 7.33dBm is measured.

      • KCI등재

        결합 마이크로스트립 라인을 이용한 전압제어 발진기의 동조전압에 따른 위상잡음 특성 개선

        류근관(Keun-Kwan Ryu),신동환(Dong-Hwan Shin),염인복(In-Bok Yom),김성찬(Sung-Chan Kim) 한국통신학회 2010 韓國通信學會論文誌 Vol.35 No.5

        전압제어 발진기의 위상잡음 특성을 개선하기 위해 결합 마이크로스트립라인을 이용하여 공진주파수를 동조하는 변형된 구조의 주파수 동조회로를 제안한다. 위상잡음 특성이 개선됨을 실험적으로 입증하기 위해 주파수 동조회로를 제외하면 같은 구조를 갖는 2개의 9.8㎓ HEMT 전압제어 발진기를 설계 및 제작하였다. 측정결과 결합 마이크로스트립라인의 주파수 동조회로를 갖는 제안된 구조의 전압제어 발진기가 일반적인 전압제어 발진기에 비해 100㎑ 오프셋 지점에서 8㏈c/㎐ 이상의 위상잡음 특성 개선효과를 나타내었다. Improvement of phase noise characteristics in a different approach of HEMT VCO (Voltage Controlled Oscillator) with coupled microstrip lines to tune the oscillating frequency is investigated. Two HEMT VCOs of 9.8㎓ are manufactured in the same configuration except for the frequency tuning circuit in order to empirically demonstrate the phase noise reduction. Experimental result shows that phase noise reduction can be enhanced 8dBc/㎐ at 100㎑ offset frequency from carrier by frequency tuning circuit with coupled microstrip lines over the conventional VCO.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼