RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
          펼치기
        • 등재정보
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
          펼치기
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • InSb薄膜의 磁氣低抗效果

        南泰喆 영남대학교 공업기술연구소 1984 연구보고 Vol.12 No.1

        Thin films of InSb have been prepared by the zone-crystallization in ambient air of vacuum deposited layers on glass substrates using a simple hot-wire apparatus. The multiple zone passes can be used to provide additional purification of the InSb films. The improved film quality is demonstrated by a film prepared with four zone passes at 1.4 ㎛/sec growth rate in a temperature gradient 300℃/㎝. The film with 1㎛ thickness has carrier cancentration and election mobility of 1.5×10??㎝-³ and 1.6×10⁴㎠/V.sec respectively at room temperature.

      • 웨이퍼-스케일 集積시스템에 있어서의 多重層의 칩과 칩의 相互連結

        南泰喆 嶺南大學校 工業技術硏究所 1987 연구보고 Vol.15 No.2

        As the density and speed of digital system, it becomes increasingly important that the chip-to-chip interconnections can limit overall performance of an integrated system. Here, the analysis of interconnections which are long and their cross-sectional dimensions are the order of several micrometers, is discussed. A proposed two-level structure gives us to have low crosstalk, low loss and operation at frequencies exceeding 1 GHz.

      • 수직 Hall 소자의 제작과 특성

        남태철 경북대학교 센서기술연구소 1991 연차보고서 Vol.1991 No.-

        칩에 수직인 자계를 감지하는 통상의 Hall plate(수평 Hall 소자)를 이용하여 3차원 자기센서를 실현하기 위해서는 수평 자기 검출을 할 수 있는 구조로 된 수직 Hall 소자가 필요하다. 수직 Hall 소자는 구조와 제작상 기존의 Hall plate보다 강도가 낮다. 감도향상을 위하여 본 연구에서 표준 바이폴라 공정으로 Si을 재료로 하여 여러 형상의 수직 Hall 소자들을 제작하고 특성분석을 수행하였다. 수직 홀 소자의 감도는 전류경로의 길이에 비례하고 폭과 두께에 반비례한다. 수직 홀 소자는 전류를 칩에 수직으로 전류를 가하기 때문에 전류경로길이는 집적화를 고려할 때 주변회로와의 공정 양립성으로부터 결정되어지기 때문에 제한된다. 따라서 본 연구에서는 전류경로의 폭과 두께가 수직 Hall 소자의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. 전류경로 폭이 미치는 특성을 조사하기 위해 매몰층폭이 10, 30, 50, 70, 150㎛ 인 5가지의 소자(전류전극 폭은 10 ㎛)와 전류전극 폭이 10, 20, 30, 40 ㎛인 4가지의 소자(매몰층폭 150 ㎛)은 전면분포를 한 웨이퍼상에 제작하여 특성을 분석하였고, 전류경로두께를 변화시키기 위해 p 분리확산벽에 역바이어스를 인가하여 특성을 분석하였다. 수직 Hall 소자의 자기 특성은 좋은 직선성을 보였으며, 전류와 온도변화에 대한 감도는 안정하고 방향성이 우수하며, 역바이어스 전압에 따른 감도는 전압이 커짐에 따라 증가를 보였으며 Vr=Floating일 때 30 V/AT에서 Vr=-8 V일 때 140 V/AT이었다. 매몰층폭 W_b에 따른 특성 조사 결과 W_b가 클수록 감도는 감소했고, 옵셋전압도 감소하였으며, 그리고 옵셋 및 감도의 특성변화율을 더 안정화되었다. W_b가 작을 수록 감도는 증가(W_b가 10 ㎛일 때 108 V/AT)했고 옵셋전압은 크게 증가하였으며, 특성변화율은 더 불안정하게 되었다. 전류전극 폭에 대해서는 전류전극 폭이 작은 쪽이 감도가 우수하였다. 고감도를 위해서는 매몰층폭을 작게, 역바이어스 전압을 크게, 전류전극 폭을 작게 하는 것이 바람직하지만 집적화를 고려할 때, 임의의 증폭도를 갖는 증폭기를 조합할 수 있는 집적화센서에 있어서 S/N비등의 엄격한 요구가 없는 경우에는 옵셋과 감도와 안정성이 좋은 매몰층폭이 큰 쪽이 유리하다는 것을 알았다.

      • KCI등재

        Carrier transport mechanism of strained AlGaN/GaN Schottky contacts

        남태철,장자순,성태연 한국물리학회 2012 Current Applied Physics Vol.12 No.4

        Using polarization field effect-based thermionic field emission (PFE-TFE) model based on currente voltageetemperature data, possible carrier transport mechanisms for Pt/Au and Cr/Pd Schottky contacts to Al0.25Ga0.75N/GaN layers were investigated. Thermionic emission (TE) model was also investigated to compare to the PFE-TFE. It was shown that Schottky barrier heights (SBHs) are significantly affected by a polarization field-induced carrier density of the AlGaN layer. In addition, relatively little temperature dependence on the leakage current density of both contacts was found, which is in good agreement with the PFE-TFE model. The results indicate that the TFE is responsible for the current flow across the metal/AlGaNeGaN interface at T ≥ 293 K.

      • 진폭변조를 이용한 고감도 자기센서

        남태철 경북대학교 센서기술연구소 1992 연차보고서 Vol.1992 No.-

        본 논문에서는 고감도의 집적화 자기센서를 실현하기 위하여 신호 처리과정에서의 외부잡음유입 및 증폭기에서 발생하는 잡음을 방지하여 자기 감지부에서 나온 증폭된 신호를 복원할 수 있게 하고 옵셋의 온도에 대한 비선형적인 변화를 보상하는 회로를 감지부와 함께 집적화시켜 진폭변조를 이용하는 집적화 자기센서에 관하여 그 개념을 제안하고 이 집적화 자기센서의 전체 회로를 설계^[1-9]하고 각 부분별로 그 특성을 분석, 시뮬레이션 하였다. This paper describes the highly-sensitive Si magnetic sensor using the amplitude modulation in order to realize the integrated magnetic sensor which to sense a weak magnetic field. Generally, the most important two parameters in Hall 1C which degrade the ability of magnetic detection are the variation of offset according to the variation of temperature and the noise of amplifiers. In this paper, we use a Hall element and compensator to reduce the offset and the noise of amplifiers by using amplititude modulation method.

      • 실험실습 교육개선에 관한 연구 : 졸업논문제 추진 방안 The Driving Plan of Graduation Thesis System

        남태철 嶺南大學校 工業技術硏究所 1994 工業技術硏究所論文集 Vol.22 No.1

        학부교육의 내실화를 위한 실험실습 교육개선 방안의 일환인 졸업 논문제의 현황을 파악하고 문제점을 도출하여 졸업 논문제의 조기 정착화 방안을 마련하고자 연구를 수행하였다. 공과대학을 중심으로 설문조사를 통한 전국 대학의 졸업 논문제의 실시현황과 제반 문제를 검토하고 실현가능하고 본교의 실정에 적합한 졸업 논문제 안을 제시하였다. This study has been carried out to understand the present situations of graduation thesis systems which are the one part of the schemes of the educational improvement in the experimental practice, analyse their problems and offer a plan for the early execution of the graduation thesis system. We have investigated the present situations of the executing the graduation thesis systems of the other engineering colleges by a questionnaire, and presented the driving plan of graduation thesis system which is practiceable and compatible with our college's actual circumstances.

      • InSb MIS의 構造에 關한 硏究

        南泰喆 嶺南大學校 工業技術硏究所 1987 연구보고 Vol.15 No.2

        The Characteristics of InSb MIS structure are analysed theoretically. The equivalent circuits are proposed to explain these characteristics physically. The InSb MIS structures are produced by anodic oxidation in 0.1N KOH solution at room temperature. And C(V) curves for InSb MIS structure are investigated at 77°K. The transition frequency which goes from high frequency operation to low frequency operation is 100Hz, and the surface state density is 2.3×10?? states/cm²at 100Hz. The flat band voltage and hysteresis are decreased after annealling.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼